4M
×
72位EDO -DRAM模块
（ ECC - 模块）
168引脚缓冲DIMM模块
HYM 72V4005GS -50 / -60
HYM 72V4015GS -50 / -60
168引脚JEDEC标准，缓冲8字节双列直插式内存模块
用于PC的主存储器的应用
1银行4M X 72组织
优化的ECC应用
扩展数据输出（ EDO ）
性能：
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
周期
EDO模式周期时间
50纳秒
18纳秒
30纳秒
84纳秒
20纳秒
-60
60纳秒
20纳秒
35纳秒
104纳秒
25纳秒
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）供电
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全LVTTL & LVCMOS兼容
4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）
缓冲输入excepts RAS和DQ
并行存在检测
利用18 4M
×
4 -DRAMs四的BiCMOS缓冲器/线路驱动器
两个版本： HYM 72V4005GS用TSOPII组件（ 4mm厚）
HYM 72V4015GS与SOJ -部件（9毫米厚）
4096刷新周期/ 64毫秒， 12月10日解决
金触点垫
与25.35毫米（1000万）的高度双面模块
半导体集团
1
5.96
HYM72V4005/15GS-50/-60
4M X 72 - ECC EDO-模块
该HYM 72V4005 / 15GS - 50 / -60是72-组织为4 194 430字的32兆字节的DRAM模块
在一个168针，双读出的比特，单列直插式封装，包括18 HYB 3116405BT / BJ
4M
×
4的DRAM在300万宽TSOPII或SOJ-包安装有陶瓷在一起
在PC板上的去耦电容。除了RAS和DQ的所有输入都通过使用四个缓冲
的BiCMOS缓冲器/线路驱动器。
每个HYB 3116405BT / BJ是在数据表中描述的完全电测试，
根据对模块组装之前西门子质量标准的程序进行处理。后
装配到电路板上时，进行另一组的电测试。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
订购信息
TYPE
HYM 72V4005GS -50
HYM 72V4005GS -60
HYM 72V4015GS -50
HYM 72V4015GS -60
引脚名称
A0-A11,B0
DQ0 - DQ71
RAS0 ， RAS2
CAS0 ， CAS4
WE0 ， WE2
OE0 ， OE2
VCC
VSS
PD1 - PD8
PDE
ID0 ， ID1
北卡罗来纳州
在线检测和ID引脚真值表：
模块
ID0
ID1
VSS
VSS
PD1
1
1
PD2
1
1
PD3
0
0
PD4
1
1
PD5
1
1
PD6
0
1
PD7
0
1
PD8
0
0
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
功率（ 3.3伏）
地
存在检测引脚
设备检测启用
ID辨识位
无连接
订购代码
包
L-DIM-168-5
L-DIM-168-5
L-DIM-168-5
L-DIM-168-5
说明
3.3V 50ns的EDO -DRAM模块
3.3V 60ns的EDO -DRAM模块
3.3V 50ns的EDO -DRAM模块
3.3V 60ns的EDO -DRAM模块
HYM 72V4005 / 15GS -50 Vss的
HYM 72V4005 / 15GS -60 Vss的
注意：
1 =高电平（驱动器输出） ， 0 =低电平（驱动器输出）的磷酸二酯酶的活性（地） 。对于PDE在高
所有等级PD终端处于三态。
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2
HYM72V4005/15GS-50/-60
4M X 72 - ECC EDO-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
输入/输出电压.............................................. ................................. -0.5到MIN（ VCC + 0.5 ， 4.6 ）V
电源voltage................................................................................................... - 1到+ 4.6 V
动力dissipation.................................................................................................................... 8.3 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0 70 ×C ;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（ LVTTL ）
输出“，”电压电平（
I
OUT
= - 2 mA）的
H
输出低电压（ LVTTL ）
输出“，”电压电平（
I
OUT
= 2 mA）的
L
输出高电压（ LVCMOS ）
输出“，”电压电平（
I
OUT
= – 100
A)
H
输出低电压（ LVCMOS ）
输出“，”电压电平（
I
OUT
= 100
A)
L
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
<的Vcc ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< VCC ）
平均
V
CC
电源电流：
-50版
-60版
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流
（ RAS = CAS = 2.4V ，地址变更
在15,6
s
TRC ）
,
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
2.0
– 1.0
2.4
–
Vcc-0.2
–
– 20
– 20
0.8
–
0.4
–
0.2
20
20
–
–
1800
1620
mA
mA
2)3)4)
I
CC2
–
50
mA
–
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