4M
×
72位动态RAM模块
（ ECC - 模块）
HYM 724000GS -50 / -60
HYM 724010GS -50 / -60
初步信息
4 194 304字由72位ECC - 组织模式
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
90 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快速页面模式功能
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 9900毫瓦活跃（ -50版）
最大。 8910毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 165 mW的待机
TTL
- 275 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
18去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）
缓冲输入excepts RAS和DQ
168针，双读出，单列直插式内存模块
利用18 4M
×
4 -DRAMs在TSOPII -包
四BiCMOS工艺的8位缓冲器/线路驱动器74ABT244
两个版本： HYM 724000GS用TSOPII组件（ 4.06毫米厚）
HYM 724010GS与SOJ组件（ 8.89毫米厚度）
4096刷新周期/ 64毫秒， 12月10日解决
金触点垫
与25.35毫米（1000万）的高度双面模块
半导体集团
1
11.95
HYM724000/10GS-50/-60
4M X 72 ECC-模块
该HYM 724000 / 10GS - 60 / -70是72-组织为4 194 430字的32兆字节的DRAM模块
在一个168针，双读出的比特，单列直插式封装，包括18 HYB 5116400BT / BJ
4M
×
4的DRAM在300万宽TSOPII或SOJ-包安装有18 0.2一起
F
陶瓷去耦电容在PC板上。除了RAS和DQ的所有输入都通过使用缓冲
4 BiCMOS工艺的8位缓冲器/线路驱动器。
每个HYB 5116400BT / BJ是在数据表中描述的完全电测试，
根据对模块组装之前西门子质量标准的程序进行处理。后
装配到电路板上时，进行另一组的电测试。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
订购信息
TYPE
HYM 724000GS -50
HYM 724000GS -60
HYM 724010GS -50
HYM 724010GS -60
引脚名称
A0-A11,B0
DQ0 - DQ71
RAS0 ， RAS2
CAS0 ， CAS2
WE0 ， WE2
OE0 ， OE2
VCC
VSS
PD1 - PD8
PDE
ID0 ， ID1
北卡罗来纳州
在线检测和ID引脚真值表：
模块
HYM 724000GS -50
HYM 724000GS -60
ID0
VSS
VSS
ID1
VSS
VSS
PD1
1
1
PD2
1
1
PD3
0
0
PD4
1
1
PD5
0
0
PD6
0
1
PD7
0
1
PD8
0
0
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
电源（ +5伏）
地
存在检测引脚
设备检测启用
ID辨识位
无连接
Q67100-Q2076
Q67100-Q2075
订购代码
包
L-DIM-168-6
L-DIM-168-6
L-DIM-168-6
L-DIM-168-6
说明
为50ns DRAM模块
60ns的DRAM模块
为50ns DRAM模块
60ns的DRAM模块
注意：
1 =高电平（驱动器输出） ， 0 =低电平（驱动器输出）的磷酸二酯酶的活性（地） 。对于PDE在高
所有等级PD终端处于三态。
半导体集团
2
HYM724000/10GS-50/-60
4M X 72 ECC-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
输入/输出电压.............................................. ................................. -0.5到MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................ 12,60 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0 70 ×C ;
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
符号
限值
分钟。
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
平均
V
CC
电源电流：
-50版
-60版
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
马克斯。
5.5
0.8
–
0.4
10
10
V
V
V
V
A
A
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
2.4
– 1.0
2.4
–
– 10
– 10
–
–
1800
1620
mA
mA
2) 3) 4)
I
CC2
–
50
mA
–
平均
V
CC
RAS时电源电流
I
CC3
只刷新周期：
-50版
-60版
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
, t
RC
=
t
RC
分）
–
–
1800
16
mA
mA
2) 4)
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
