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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第770页 > HYM721000GS-60
1M
×
72位动态RAM模块
( ECC - 模块)
HYM 721000GS -60 / -70
HYM 721010GS -60 / -70
先进的信息
1 048 576字由72位ECC - 组织模式
快速访问和周期时间
60 ns访问时间
110 ns的周期时间( -60版)
70 ns访问时间
130 ns的周期时间( -70版)
快速页面模式功能
40 ns的周期时间( -60版)
45 ns的周期时间( -70版)
单+ 5 V ( ± 10 % )电源
低功耗
最大。 10890毫瓦活跃( -60版)
最大。 9900毫瓦活跃( -70版)
CMOS - 451 mW的待机
TTL
- 550 mW的待机
CAS先于RAS的刷新, RAS只刷新
18去耦电容安装在基板
所有的输入,输出和时钟完全兼容TTL
4字节交织启用,双地址输入( A0 / B0 )
缓冲输入excepts RAS和DQ
168针,双读出,单列直插式内存模块
利用18 1M
×
4 -DRAMs在TSOPII -包
四BiCMOS工艺的8位缓冲器/线路驱动器74ABT244
两个版本: HYM 721000GS用TSOPII组件( 4.06毫米模块厚度)
HYM 721010GS与SOJ组件( 8.89毫米模块厚度)
1024刷新周期/ 16毫秒
金触点垫
与25.35毫米(1000万)的高度双面模块
半导体集团
1
12.95
HYM721000/10GS-60/-70
1米x 72 ECC-模块
该HYM 721000GS - 60 / -70是组织为1 048 576字由72位A 8兆字节的DRAM模块
一个168针,双读出,单列直插式封装,包括18 HYB 514400BT 1M
×
4
DRAM的在300万宽TSOPII - 安装包与18一起0.2
F
陶瓷的
在PC板上的去耦电容。除了RAS和DQ的所有输入都通过使用四个缓冲
BiCMOS工艺的8位缓冲器/线路驱动器。
每个HYB 514400BT是在数据表中描述的完全电子测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板,另一组的电气测试执行。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
订购信息
TYPE
HYM 721000GS -60
HYM 721000GS -70
HYM 721010GS -60
HYM 721010GS -70
引脚名称
A0-A9,B0
DQ0 - DQ71
RAS0 , RAS2
CAS0 , CAS2
WE0 , WE2
OE0 , OE2
VCC
VSS
PD1 - PD8
PDE
ID0 , ID1
北卡罗来纳州
在线检测和ID引脚真值表:
模块
HYM 721000 / 10GS -60
HYM 721000 / 10GS -70
ID0
VSS
VSS
ID1
VSS
VSS
PD1
0
0
PD2
0
0
PD3
1
1
PD4
0
0
PD5
0
0
PD6
1
0
PD7
1
1
PD8
0
0
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
电源( +5伏)
存在检测引脚
设备检测启用
ID辨识位
无连接
订购代码
Q67100-Q2004
根据要求
根据要求
根据要求
L-DIM-168-2
L-DIM-168-2
L-DIM-168-2
L-DIM-168-2
说明
60ns的DRAM模块
为70ns DRAM模块
60ns的DRAM模块
为70ns DRAM模块
注意:
1 =高电平(驱动器输出) , 0 =低电平(驱动器输出)的磷酸二酯酶的活性(地) 。对于PDE在高
所有等级PD终端处于三态。
半导体集团
2
HYM721000/10GS-60/-70
1米x 72 ECC-模块
引脚配置
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
VSS
NC
NC
VCC
WE0
CAS0
NC
RAS0
OE0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
NC
NC
VCC
NC
NC
针#
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
VSS
OE2
RAS2
CAS4
NC
WE2
VCC
NC
NC
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
DQ24
NC
NC
NC
NC
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VSS
PD1
PD3
PD5
PD7
ID0 ( VSS )
VCC
针#
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
VSS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VCC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
VSS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
VCC
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
VSS
NC
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
NC
NC
VCC
NC
B0
针#
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
VSS
NC
NC
NC
NC
PDE
VCC
NC
NC
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
NC
NC
NC
NC
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
VCC
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
VSS
PD2
PD4
PD6
PD8
ID1 ( VSS )
VCC
半导体集团
3
HYM721000/10GS-60/-70
1米x 72 ECC-模块
RAS0
CAS0
WE0
OE0
RAS2
CAS4
WE2
OE2
DQ0-DQ3
I/O1-I/O4
D0
DQ36-DQ39
I/O1-I/O4
D9
DQ4-DQ7
I/O1-I/O4
D1
DQ40-DQ43
I/O1-I/O4
D10
DQ8-DQ11
I/O1-I/O4
D2
DQ44-DQ47
I/O1-I/O4
D11
DQ12-DQ15
I/O1-I/O4
D3
DQ48-DQ51
I/O1-I/O4
D12
DQ16-DQ19
I/O1-I/O4
D4
DQ52-DQ55
I/O1-I/O4
D13
DQ20-DQ23
I/O1-I/O4
D5
DQ56-DQ59
I/O1-I/O4
D14
DQ24-DQ27
I/O1-I/O4
D6
DQ60-DQ63
I/O1-I/O4
D15
DQ28-DQ31
I/O1-I/O4
D7
DQ64-DQ67
I/O1-I/O4
D16
DQ32-DQ35
I/O1-I/O4
D8
DQ68-DQ71
I/O1-I/O4
D17
A0
B0
A1-A9
D0 - D8
D9 - D17
D0 - D17
VCC
VSS
D0 - D17 ,缓冲区
PDE
VCC或Vss
PD1-PD8
框图
半导体集团
4
HYM721000/10GS-60/-70
1米x 72 ECC-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
输入/输出电压........................................................................................................ - 1 + 7 V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................ 13,86 W
数据输出电流(短路) ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意:
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
1)
T
A
= 0 70 ×C ;
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
符号
限值
分钟。
输入高电压
输入低电压
输出高电压(
I
OUT
= - 5毫安)
输出低电压(
I
OUT
= 4.2 mA)的
输入漏电流
( 0 V& LT ;
V
IN
< 6.5 V ,所有其他引脚= 0 V)
输出漏电流
( DO被禁用, 0 V <
V
OUT
< 5.5 V )
马克斯。
5.5
0.8
0.4
10
10
V
V
V
V
A
A
单位
TEST
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
I
O( L)
2.4
– 1.0
2.4
– 10
– 10
平均
V
CC
电源电流:
I
CC1
HYM 721000 / 10GS -60
HYM 721000 / 10GS -70
( RAS , CAS ,地址,骑自行车,
t
RC
=
t
RC
分)
待机
V
CC
电源电流
( RAS CAS = =
V
IH
)
1980
1800
mA
mA
2), 3)
I
CC2
50
mA
平均
V
CC
RAS时电源电流
I
CC3
只刷新周期:
HYM 721000 / 10GS -60
HYM 721000 / 10GS -70
( RAS骑自行车, CAS =
V
IH
, t
RC
=
t
RC
分)
2)
1980
1800
mA
mA
半导体集团
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HYM721000GS-60
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HYM721000GS-60
√ 欧美㊣品
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