HYM5V72A804A H系列
缓冲8Mx72位CMOS DRAM模组
基于8Mx8 DRAM ， EDO ， ECC ， 3.3V ， 4K / 8K刷新
描述
该HYM5V72A804A H系列是8Mx72位EDO模式的CMOS DRAM模块组成的9 8Mx8
在TSSOP TSOP和16位的BiCMOS线驱动器上的一个168引脚的玻璃环氧印刷电路板。 0.1pF和
0.01μF去耦电容安装的每个DRAM 。该HYM5V72A804AH G系列的镀金
插座式双列直插式内存模块适合简单的交换和另外64M字节的内存。
特点
马克斯。有源功率耗散
速度
50
60
8K
3.60W
2.95W
4K
4.57W
3.92W
3.3V的单电源供电
±
10%
读 - 修改 - 写功能
LVTTL兼容的输入和输出
/ CAS先接后/ RAS ， / RAS -只，隐藏
和自刷新功能
刷新周期
THPC
25ns
30ns
产品型号
HYM5V72A804A H系列
HYM5V72A834A H系列
REF 。
4K
8K
快速的访问时间和周期时间
速度
50
60
TRAC
50ns
60ns
大隘社
18ns
20ns
168针Buffered DIMM内存
缓冲输入（除/ RAS和DQ ）
并行存在检测与PD / ID引脚矩阵
扩展数据输出操作
/ CAS先接后/ RAS刷新，刷新隐藏
模式： 4K周期/ 64ms的
PIN DISCRIPTION
/ RAS0 ， / RAS2
/ CAS0 ， / CAS4 ，
/ WE0 ， / WE2
/ OE0 ， / OE2
A0，B0 ， A1 -A12的
A0，B0 ， A1 -A11
DQ0-DQ71
PD1-PD8
/ PDE
ID0 ， ID1
VCC
VSS
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入（ 8K产品）
地址输入（ 4K产品）
数据输入/输出
设备检测
设备检测启用
ID位
电源（ + 3.3V ）
地
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担
用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
Rev.03 / Jun.98
1998
韩国现代半导体公司
HYM5V72A804A H系列
引脚名称
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
名字
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
VSS
NC
NC
VCC
/WE0
/CAS0
NC
/RAS0
/OE0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
*A12
VCC
NC
NC
#
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
名字
VSS
/OE2
/RAS2
/CAS4
NC
/WE2
VCC
NC
NC
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
DQ24
NC
NC
NC
NC
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VSS
PD1
PD3
PD5
PD7
ID0
VCC
#
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
名字
VSS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VCC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
VSS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
VCC
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
VSS
NC
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
A11
NC
VCC
NC
B0
#
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
名字
VSS
NC
NC
NC
NC
/ PDE
VCC
NC
NC
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
NC
NC
NC
NC
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
DQ64
DQ65
DQ66
DQ67
VCC
DQ68
DQ69
DQ70
DQ71
VSS
PD2
PD4
PD6
PD8
ID1
VCC
注意：
1.A12用于8K刷新产品（ HYM5V72A834A H系列）
2
HYM5V72A804A H系列
存在检测引脚
针
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
PD8
ID0
ID1
-50
-60
NC
NC
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
VSS
NC
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS / NC
VSS / NC
注意：
1.PDs为开放NC或通过板载缓冲电路驱动到Vss 。
2.IDs直接连接到NC或Vss的不带缓冲。
3.ID1将是要么开放式数控的自刷新或驱动到Vss电压标准。
框图
注： 1.A12用于8K刷新产品（ HYM5V72A834A H系列）
2.所有电阻25Ohm ± 5 ％
3
HYM5V72A804A H系列
绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
T
SOLDER
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
等级
0到70
-55到150
-0.5到4.6
-0.5到4.6
50
11.4
260
10
单位
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
注：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ℃至70 ℃）下
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
-
-
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
注：所有电压参考V
SS
.
4
HYM5V72A804A H系列
DC特性
(T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
=3.3V
±
10%, V
SS
= 0V时，除非另有说明。 ）
符号
I
CC1
参数
工作电流
测试条件
/ RAS ， / CAS自行车
的tRC =的tRC （分钟）
/ RAS = / CAS
≥
V
IH
其他投入
≥
V
SS
/ RAS骑自行车
/ CAS = V
IH
的tRC =的tRC （分钟）
/ CAS骑自行车
/ RAS = V
IL
THPC = THPC （分钟）
/ RAS = / CAS
≥
V
CC
- 0.2V
的tRC =的tRC （分钟）
50
60
50
60
速度
50
60
马克斯。当前
8K产品
1000
820
9.18
1000
820
1090
910
4.68
2.88
1000
820
4K产品
1270
1090
9.18
1270
1090
1180
1000
4.68
2.88
1270
1090
mA
单位
I
CC2
I
CC3
LVTTL待机
当前
/ RAS只刷新
当前
EDO模式电流
mA
mA
I
CC4
mA
I
CC5
I
CC6
CMOS待机
当前
/ CAS先接后/ RAS
刷新当前
备用电池
电流（ SL-部分）
mA
mA
SL-部分
50
60
I
CC7
V
IH
= V
CC
- 0.2V, V
IL
= 0.2V
/ CAS = CBR骑自行车或0.2V
/ OE & / WE = V
IH
= V
CC
- 0.2V
地址=不关心
DQ0 - DQ71 =打开
/ RAS和放大器; / CAS = 0.2V
其他引脚相同，因为我
CC
7
测试条件
V
SS
≤
V
IN
≤
V
CC
+ 0.3,
所有其它引脚不低于
测试= V
SS
V
SS
≤
V
OUT
≤
V
CC
/ RAS和放大器; / CAS在V
IH
I
OL
= 2.0毫安
I
OH
= -2.0mA
5.13
5.13
mA
I
CC8
自刷新
电流（ SL-部分）
参数
输入漏
电流（任何输入）
输出漏
电流（任何输入）
输出低电压
输出高电压
4.23
4.23
mA
符号
I
LI
分钟。
-10
-22.5
-5
-
2.4
/ RAS
最大
10
22.5
5
0.4
-
单位
A
但所有/ RAS
I
LO
V
OL
V
OH
A
V
V
记
1. I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率（TRC和THPC ） 。
2.指定的值与空载输出获得。
3. I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC
1, I
CC
3, I
CC
如图6所示，地址可以只进行一次，而改变
/ RAS = VIL 。在我
CC
如图4所示，地址可以被改变最多一次，而/ CAS = V
IH
在一个EDO模式周期
时间THPC 。
4.只/ RAS （最大）= 1μs的时间被加到刷新备用电池，但tRAS的的（最大） = 10μs的被施加到
正常的功能操作。
5. I
CC
5 （最大）= 2.88毫安，我
CC
7 ，我
CC
8顷仅施加到SL-一部分。
6. V
OH
= 2.0V, V
OL
= 0.8V的交流功能测试。
5
QQ：2880707522 复制
