8M ×36位EDO - DRAM模块
HYM 368025S / GS -50 / -60
SIMM模组与8 388 608字36位的企业中两家银行
用于PC的主存储器的应用
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
84 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
104 ns的周期时间（ -60版）
超页模式（ EDO ）的能力
20 ns的周期时间（ -50版）
25 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 6820毫瓦活跃（ -50版）
最大。 6160毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 132 mW的待机
TTL
-264毫瓦的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块（L -SIM - 72-14 ）与31.75毫米高度
采用16 4Mx4 - EDO - DRAM和8 4M ×1 EDO - DRAM的
在300万宽SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒
在字节写入奇偶校验应用而优化的使用
锡铅接触垫（S-版）
金触点垫（ GS - 版）
半导体集团
1
4.97
HYM 368025S / GS -50 / -60
8M
×
36位EDO-模块
该HYM 368025S / GS - 50 / -60是36-组织为8 388 608字的32兆字节的DRAM模块
位在两家银行在72引脚单列直插式封装，包括16 HYB 5117405BJ 4M
×
4
EDO - DRAM和8 HYB 514105BJ 4M ×1 EDO - DRAM的在300万宽SOJ -包
与在PC板上的去耦电容一起安装。
每个HYB 5117405BJ和HYB 514105BJ是在数据表中描述的完全电
根据对模块组装前西门子标准的质量检验程序和处理。
装配到电路板上之后，进行进一步的组电测试。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 368025S / GS - 50 / -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 368025S -50
HYM 368025S -60
HYM 368025GS -50
HYM 368025GS -60
订购代码
包
L-SIM-72-14
L-SIM-72-14
L-SIM-72-14
L-SIM-72-14
描述
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
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2
HYM 368025S / GS -50 / -60
8M
×
36位EDO-模块
引脚配置
引脚名称
VSS 1 DQ0 2
DQ18 3 DQ1 4
DQ19 5 DQ2 6
DQ20 7 DQ3 8
DQ21 9 VCC 10
北卡罗来纳州11 A0
12
A1
13 A2
14
A3
15 A4 16
A5
17 A6 18
A10 19 DQ4 20
DQ22 21 DQ5 22
DQ23 23 DQ6 24
DQ24 25 DQ7 26
DQ25 27 A7
28
北卡罗来纳州29 VCC 30
A8
31 A9
32
RAS3 33 RAS2 34
DQ26 35 DQ8 36
DQ17 37 DQ35 38
VSS 39 CAS0 40
CAS2 CAS3 41 42
CAS1 43 RAS0 44
RAS1北卡罗来纳州45 46
WE
北卡罗来纳州47 48
DQ9 49 DQ27 50
DQ10 51 DQ28 52
DQ11 53 DQ29 54
DQ12 55 DQ30 56
DQ13 57 DQ31 58
VCC 59 DQ32 60
DQ14 61 DQ33 62
DQ15 63 DQ34 64
DQ16 65 66北卡罗来纳州
PD0 PD1 67 68
PD2 PD3 69 70
北卡罗来纳州71 VSS 72
A0-A10
DQ0-DQ35
CAS0 - CAS3
RAS0- RAS3
WE
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
存在检测引脚
-50
PD0
PD1
PD2
PD3
北卡罗来纳州
-60
北卡罗来纳州
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
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3
HYM 368025S / GS -50 / -60
8M
×
36位EDO-模块
RAS0
CAS0
DQ0-DQ3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D0
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D3
Di
Do
CAS RAS
M0
RAS1
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D1
CAS RAS
I/O1-I/O4
D2
OE
Di
Do
CAS RAS
M1
DQ4-DQ7
DQ8
CAS1
DQ9-DQ12
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D4
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D7
Di
Do
CAS RAS
M2
RAS3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D5
CAS RAS
I/O1-I/O4
D6
OE
Di
Do
CAS RAS
M3
DQ13-DQ16
DQ17
RAS2
CAS2
DQ18-DQ21
DQ22-DQ25
DQ26
CAS3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D8
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D11
Di
Do
CAS RAS
M4
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D9
CAS RAS
I/O1-I/O4
D10
OE
Di
Do
CAS RAS
M5
DQ27-DQ30
DQ31-DQ34
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D12
CAS RAS
I/O1-I/O4
D15
OE
Di
Do
CAS RAS
M6
VCC
VSS
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D13
CAS RAS
I/O1-I/O4
D14
OE
Di
Do
CAS RAS
M7
DQ35
A0-A10
WE
D0 - D15 ， M0 -M7
D0 - D15 ， M0 -M7
C0 - C23
框图
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4
HYM 368025S / GS -50 / -60
8M
×
36位EDO-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. .............................. -0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 9.24 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
-50版
-60版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期（每行）
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
-50版
-60版
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
20
20
V
V
V
V
A
A
2.4
– 0.5
2.4
–
– 20
– 20
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
1)
–
–
1240
1120
48
mA
mA
mA
2),3),4)
I
CC2
I
CC3
–
–
–
1240
1120
mA
mA
2),4)
半导体集团
5
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