4M
x
36位EDO - DRAM模块
HYM364025S/GS-50/-60
SIMM模组与4 194 304字由36位组织
用于PC的主存储器的应用
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
84 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
104 ns的周期时间（ -60版）
超页模式（ EDO ）的能力
20 ns的周期时间（ -50版）
25 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 6820毫瓦活跃（ -50版）
最大。 6160毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 66 mW的待机
TTL -132毫瓦的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块（L -SIM - 72-12 ）， 22.9毫米（ 900密耳）高度
采用8 4Mx4 - EDO - DRAM和4 4Mx1 - EDO - DRAM的在SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒
在字节写入奇偶校验应用而优化的使用
锡铅接触垫（S版）
金触点垫（ GS - 版）
半导体集团
1
4.97
HYM 364025S / GS -50 / -60
4M
×
36位EDO-模块
该HYM 364025S / GS - 50 / -60是组织为4 194 304字由16兆字节的DRAM模块
36位在72引脚单列直插式封装，包括八个HYB 5117405BJ 4M
×
4 EDO- DRAM的
四HYB 514105BJ 4M ×1 EDO - DRAM的在300万宽SOJ -安装包一起
陶瓷去耦电容在PC板上。
每个HYB 5117405BJ和HYB 514105BJ是在数据表中描述的完全电
根据对模块组装前西门子标准的质量检验程序和处理。
装配到电路板上之后，进行进一步的组电测试。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 364025S / GS - 50 / -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 364025S -50
HYM 364025S -60
HYM 364025GS -50
HYM 364025GS -60
订购代码
根据要求
Q67100-Q2366
根据要求
Q67100-Q2367
包
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
描述
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
半导体集团
2
HYM 364025S / GS -50 / -60
4M
×
36位EDO-模块
引脚配置
引脚名称
VSS
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
北卡罗来纳州
A1
A3
A5
A10
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
北卡罗来纳州
A8
北卡罗来纳州
DQ26
1 DQ0
2
3 DQ1
4
5 DQ2
6
7 DQ3
8
9 VCC 10
11 A0
12
13 A2
14
15 A4
16
17 A6
18
19 DQ4 20
21 DQ5 22
23 DQ6 24
25 DQ7 26
27 A7
28
29 VCC 30
31 A9
32
33 RAS2 34
35 DQ8 36
A0-A10
DQ0-DQ35
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
DQ17
VSS
CAS2
CAS1
北卡罗来纳州
WE
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
DQ16
PD0
PD2
北卡罗来纳州
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
DQ35 38
CAS0 40
CAS3 42
RAS0 44
北卡罗来纳州46
北卡罗来纳州48
DQ27 50
DQ28 52
DQ29 54
DQ30 56
DQ31 58
DQ32 60
DQ33 62
DQ34 64
北卡罗来纳州66
PD1 68
PD3 70
VSS 72
存在检测引脚
-50
PD0
PD1
PD2
PD3
-60
V
SS
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
V
SS
半导体集团
3
HYM 364025S / GS -50 / -60
4M
×
36位EDO-模块
RAS0
CAS0
DQ0-DQ3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D0
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D1
Di
Do
CAS RAS
M0
DQ4-DQ7
DQ8
CAS1
DQ9-DQ12
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D2
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D3
Di
Do
CAS RAS
M1
DQ13-DQ16
DQ17
RAS2
CAS2
DQ18-DQ21
DQ22-DQ25
DQ26
CAS3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D4
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D5
Di
Do
CAS RAS
M2
DQ27-DQ30
DQ31-DQ34
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D6
CAS RAS
I/O1-I/O4
D7
OE
Di
Do
CAS RAS
M3
VCC
VSS
C0 - C11
DQ35
A0-A10
WE
D0 - D7 ， M0 -M3
D0 - D7 ， M0 -M3
框图
半导体集团
4
HYM 364025S / GS -50 / -60
4M
×
36位EDO-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. .............................. -0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation..................................................................................................................... 8.7 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
20
10
V
V
V
V
A
A
2.4
– 0.5
2.4
–
– 20
– 10
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
50纳秒 - 版本
60纳秒 - 版本
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
50纳秒 - 版本
60纳秒 - 版本
–
–
–
1240
1120
16
mA
mA
mA
2) 3) 4)
I
CC2
I
CC3
–
–
1240
1120
mA
mA
2) 4)
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
