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4M
x
36位动态RAM模块
HYM 364020S / GS- 60
SIMM模组与4 194 304字由36位组织
用于PC的主存储器的应用
快速访问和周期时间
60 ns访问时间
110 ns的周期时间( -60版)
快页模式功能
40 ns的周期时间( -60版)
单+ 5 V ( ± 10 % )电源
低功耗
最大。 7260毫瓦活跃( -60版)
CMOS - 66 mW的待机
TTL -132毫瓦的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
12去耦电容安装在基板
所有的输入,输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块(L -SIM - 72-12 ), 22.9毫米( 900密耳)高度
采用8 4Mx4 - DRAM和4 4Mx1 -的DRAM在SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒
在字节写入奇偶校验应用而优化的使用
锡铅接触垫(S版)
金触点垫( GS - 版)
半导体集团
1
6.95
HYM 364020S / GS- 60
4M
×
36-Bit
该HYM 364020S / GS - 60是划分为4 194 304字由16兆字节的DRAM模块
36-
在一个72引脚单列直插式封装,包括八个HYB 5117400BJ 4M位
×
4 DRAM和4
HYB 514100BJ 4M ×1的DRAM在300万宽SOJ -包安装有十二个0.2在一起
F
陶瓷去耦电容在PC板上。
该HYM 364020S / GS -60还可以通过18位动态RAM模块用作8 388 608字
通过连接DQ0和DQ18 , DQ1与DQ19 , DQ2和DQ20 ,..., DQ17和DQ35的手段,
分别。
每个HYB 5117400BJ和HYB 514100BJ是在数据表中描述的完全电
根据对模块组装前西门子标准的质量检验程序和处理。
装配到电路板上之后,进行进一步的组电测试。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 364020S / GS -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 364020S -60
HYM 364020GS -60
订购代码
Q67100-Q2006
Q67100-Q982
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
描述
DRAM模块
(访问时间60 ns )
DRAM模块
(访问时间60 ns )
半导体集团
2
HYM 364020S / GS- 60
4M
×
36-Bit
引脚配置
引脚名称
VSS
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
北卡罗来纳州
A1
A3
A5
A10
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
北卡罗来纳州
A8
北卡罗来纳州
DQ26
1 DQ0
2
3 DQ1
4
5 DQ2
6
7 DQ3
8
9 VCC 10
11 A0
12
13 A2
14
15 A4
16
17 A6
18
19 DQ4 20
21 DQ5 22
23 DQ6 24
25 DQ7 26
27 A7
28
29 VCC 30
31 A9
32
33 RAS2 34
35 DQ8 36
A0-A10
DQ0-DQ35
CAS0 - CAS3
RAS0 , RAS2
WE
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源( + 5V)
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
DQ17
VSS
CAS2
CAS1
北卡罗来纳州
WE
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
DQ16
PD0
PD2
北卡罗来纳州
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
DQ35 38
CAS0 40
CAS3 42
RAS0 44
北卡罗来纳州46
北卡罗来纳州48
DQ27 50
DQ28 52
DQ29 54
DQ30 56
DQ31 58
DQ32 60
DQ33 62
DQ34 64
北卡罗来纳州66
PD1 68
PD3 70
VSS 72
存在检测引脚
-60
PD0
PD1
PD2
PD3
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
半导体集团
3
HYM 364020S / GS- 60
4M
×
36-Bit
RAS0
CAS0
DQ0-DQ3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D0
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D1
Di
Do
CAS RAS
M0
DQ4-DQ7
DQ8
CAS1
DQ9-DQ12
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D2
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D3
Di
Do
CAS RAS
M1
DQ13-DQ16
DQ17
RAS2
CAS2
DQ18-DQ21
DQ22-DQ25
DQ26
CAS3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D4
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D5
Di
Do
CAS RAS
M2
DQ27-DQ30
DQ31-DQ34
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D6
CAS RAS
I/O1-I/O4
D7
OE
Di
Do
CAS RAS
M3
VCC
VSS
C0 - C11
DQ35
A0-A10
WE
D0 - D7 , M0 -M3
D0 - D7 , M0 -M3
框图
半导体集团
4
HYM 364020S / GS- 60
4M
×
36-Bit
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. .............................. -0.5V至MIN( VCC + 0.5 , 7.0 )V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation..................................................................................................................... 9.3 W
数据输出电流(短路) ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意:
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ,
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(
I
OUT
= - 5毫安)
输出低电压(
I
OUT
= 4.2 mA)的
输入漏电流
( 0 V& LT ;
V
IN
< 6.5 V ,所有其他引脚= 0 V)
输出漏电流
( DO被禁用, 0 V <
V
OUT
< 5.5 V )
平均
V
CC
电源电流
( RAS , CAS ,地址,骑自行车,
t
RC
=
t
RC
分)
-60版
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
0.4
20
10
V
V
V
V
A
A
2.4
– 0.5
2.4
– 20
– 10
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
I
O( L)
I
CC1
1)
1320
mA
2),3),4)
待机
V
CC
电源电流
( RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期
( RAS骑自行车, CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分)
-60版
I
CC2
I
CC3
24
mA
1320
mA
2),4)
半导体集团
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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