1M
×
36位动态RAM模块
(2M
×
18位动态RAM模块）
HYM 361120 / 40S / GS -60 / -70
先进的信息
1 048 576字由36位组织
（另2 097 152字由18位）
快速访问和周期时间
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
70 ns访问时间
130 ns的周期时间（ -70版）
快速页面模式功能
40 ns的周期时间（ -60版）
45 ns的周期时间（ -70版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 6820毫瓦活跃（ -60版）
最大。 6160毫瓦活跃（ -70版）
CMOS - 66 mW的待机
TTL
- 132 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，
隐藏刷新
12去耦电容安装在
基板
所有的输入，输出和时钟完全TTL
兼容
72脚单列直插式内存模块
利用四个1M
×
1 ， DRAM和8
1M
×
4 - DRAM的300万SOJ包装
1024刷新周期/ 16毫秒
锡铅接触垫（S - 版）
金触点垫（ GS - 版）
HYM 321140S ：单双面模块
31.75毫米（1250万）的高度
HYM 321120S ：用双面模块
25.40毫米（1000万）的高度
订购信息
TYPE
HYM 361140S -60
HYM 361140S -70
HYM 361120S -60
HYM 361120S -70
HYM 361140GS -60
HYM 361140GS -70
HYM 361120GS -60
HYM 361120GS -70
订购代码
Q67100-Q959
Q67100-Q958
Q67100-Q942
Q67100-Q741
Q67100-Q1019
Q67100-Q651
Q67100-Q961
Q67100-Q960
包
L-SIM-72-8
L-SIM-72-8
L-SIM-72-3
L-SIM-72-3
L-SIM-72-8
L-SIM-72-8
L-SIM-72-3
L-SIM-72-3
说明
DRAM模块（存取时间为60ns ）
DRAM模块（访问时间70 ns ）
DRAM模块（存取时间为60ns ）
DRAM模块（访问时间70 ns ）
DRAM模块（存取时间为60ns ）
DRAM模块（访问时间70 ns ）
DRAM模块（存取时间为60ns ）
DRAM模块（访问时间70 ns ）
半导体集团
591
06.94
HYM 361120 / 40S / GS -60 / -70
1M
×
36-Bit
该HYM 361120 / 40S / GS - 60 / -70是组织为1 048 576字由4兆字节的DRAM模块
在一个72针单直插式封装包括四个HYB 511000BJ 1M 36位
×
1 DRAM和8
HYB 514400BJ 1M
×
4的DRAM在300万宽SOJ -安装包与12一起
0.2
F
陶瓷去耦电容在PC板上。
该HYM 361120 / 40S / GS -60 / -70还可以通过18位动态RAM用作2 097 152字
通过连接DQ0和DQ18 ， DQ1与DQ19 ， DQ2和DQ20的装置模块，...， DQ17和
DQ35 ，分别。
每个HYB 511000BJ和HYB 514400BJ是在数据表中描述的完全电
根据对模块组装前西门子标准的质量检验程序和处理。
装配到电路板上之后，进行进一步的组电测试。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对通用I / O功能的HYM 361120 / 40S / GS - 60 / -70决定采用早期的写周期。
引脚定义和功能
PIN号
A0-A9
DQ0-DQ35
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
功能
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
存在检测引脚
-60
PD0
PD1
PD2
PD3
-70
V
SS
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
V
SS
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
592
HYM 361120 / 40S / GS -60 / -70
1M
×
36-Bit
引脚配置
（ TOP VIEW ）
半导体集团
593
HYM 361120 / 40S / GS -60 / -70
1M
×
36-Bit
框图
半导体集团
594
HYM 361120 / 40S / GS -60 / -70
1M
×
36-Bit
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
焊接温度............................................................................................................ 260℃
焊接时间............................................................................................................................. 10秒
输入/输出电压........................................................................................................ - 1 + 7 V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 8.68 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
1)
T
A
= 0 70 ×C ;
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
平均
V
CC
电源电流：
-60版
-70版
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
符号
限值
分钟。
马克斯。
5.5
0.8
–
0.4
20
10
V
V
V
V
A
A
2.4
– 1.0
2.4
–
– 20
– 10
单位
TEST
条件
–
–
–
–
–
–
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
–
–
1240
1120
mA
mA
2), 3)
I
CC2
–
24
mA
–
平均
V
CC
RAS时电源电流
I
CC3
只刷新周期：
-60版
-70版
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
, t
RC
=
t
RC
分）
2)
–
–
1240
1120
mA
mA
半导体集团
595
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