8M
×
32位动态RAM模块
小尺寸内存模块
HYM 328020GD -50 / -60
初步信息
8 388 608字×32位的组织
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
95 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快速页面模式功能
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源
低功耗
最大。 2016年毫瓦活跃（ -50版）
最大。 1728毫瓦活跃（ -60版）
LVCMOS- 3.6 mW的待机
LVTTL - 28.8 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，自刷新
4去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72引脚，双读出，两名银行，小外形DIMM模块
利用四个4M
×
16 -DRAMs （ HYB 3165160T ）
4096刷新周期/ 64毫秒
金触点垫
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195
11.94
HYM328020GD-50/-60
8M ×32的SO -DIMM
该HYM 328020GD -50 / -60是由32位组织为8 388 608字的32兆字节的DRAM模块
在一个72引脚，双读出，小外形封装，包括4 HYB 3165160T 4M
×
16的DRAM
在500万宽TSOPII - 54 - 包安装四个0.2在一起
F
陶瓷去耦
电容在PC板上。每个HYB 3165800T是在数据表中所描述的，完全
根据西门子模块之前，标准质量程序电气测试和处理
装配。装配到电路板上之后，进行进一步的组电测试。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
这些模块非常适用于便携式系统的应用在需要高内存容量。
订购信息
TYPE
HYM 328020GD -50
HYM 328020GD -60
引脚名称
A0-A11
A0-A9
DQ0 - DQ31
RAS0 - RAS3
CAS0 - CAS3
WE
VCC
VSS
PD1 - PD7
北卡罗来纳州
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
功率（ 3.3伏）
地
存在检测引脚
无连接
订购代码
根据要求
根据要求
包
L-DIM-72-2
L-DIM-72-2
说明
50 ns的DRAM模块
60 ns的DRAM模块
在线检测和ID引脚Thruth表* ） ：
模块
HYM 328020GD -50
HYM 328020GD -60
PD1
NC
NC
PD2
NC
NC
PD3
VSS
VSS
PD4
VSS
VSS
PD5
VSS
NC
PD6
VSS
NC
PD7
NC
NC
注： PD1 .. PD4 ：配置
PD5 .. PD6 ：速度
PD7
：刷新模式（NC =正常刷新）
*）根据JEDEC信投票JC- 42.5-95编号＃六百五十一分之六百四十六
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HYM328020GD-50/-60
8M ×32的SO -DIMM
绝对最大额定值
1)
工作温度范围............................................... ............................................... 0到70 C
存储温度范围............................................... ..........................................- 55 150℃
焊接temperature.............................................................................................................260 C
焊接time..............................................................................................................................10 s
输入/输出电压.............................................. ....................................- 0.5分（ VCC + 0.5,4.6 ）V
电源voltage....................................................................................................-0.5V 4.6 V
动力dissipation......................................................................................................................1.0 W
数据输出电流（短circuit)..................................................................................................50毫安
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（ LVTTL ）
输出“ H”电平的电压（电流输出= -2mA ）
输出低电压（ LVTTL ）
输出“L”电平的电压（电流输出= + 2毫安）
输出高电压（ LVCMOS ）
输出“ H”电平的电压（电流输出= -100uA ）
输出中的低电压（ LVCMOS ）
输出“L”电平的电压（电流输出= +为100uA ）
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
在<的Vcc ，所有其他引脚= 0 V
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.3
0.8
–
0.4
2.0
– 0.3
2.4
–
单位注
V
V
V
V
V
V
A
A
6)
6)
2)
2)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
-50纳秒版本
-60纳秒版本
VCC- 0.2 -
-
– 10
– 10
0.2
10
10
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
VOUT
< VCC）
平均
VCC
电源电流：
–
–
560
480
8
mA
mA
mA
3) 4) 5)
（ RAS ， CAS ，地址单车：的tRC =的tRC分钟）
待机Vcc电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH ）
I
CC2
–
–
I
CC3
平均
V
cc的供电电流，在RAS-只
更新周期：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS循环： CAS =
V
IH ：的tRC =的tRC分钟） 。
–
–
560
480
mA
mA
3) 5)
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HYM328020GD-50/-60
8M ×32的SO -DIMM
DC特性
（续）
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 3 V
±
0.3 V
参数
符号
限值
分钟。
马克斯。
340
300
800
mA
mA
A
3) 4) 5)
单位注
平均
V
cc的电源电流，
在快页模式：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
I
CC4
–
–
（ RAS =
V
IL
中国科学院，地址单车： TPC = TPC分钟） 。
待机Vcc电源电流
（ RAS CAS = =
V
cc-0.2V)
I
CC5
–
–
平均Vcc电源电流，在CAS先接后
I
CC6
RAS的刷新模式：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS ， CAS骑自行车：的tRC =的tRC分钟。 ）
–
–
–
560
480
800
mA
mA
A
3) 4)
自刷新电流
平均期间自刷新电源电流。
（ CBR循环tRAS>TRASSmin ， CAS保持为低电平，
WE = VCC - 0.2V ，地址和DIN = VCC- 0.2V或0.2V ）
I
CC7
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