4M ×32位的动态内存模块
HYM 324020S / GS -60 / -70
初步信息
4 194 304字×32位的组织
（另8 388 608字×16位）
快速访问和周期时间
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
70 ns访问时间
130 ns的周期时间（ -70版）
快页模式功能
40 ns的周期时间（ -60版）
45 ns的周期时间（ -70版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 4840毫瓦活跃
（ HYM 324020S / GS- 60 ）
最大。 4400毫瓦活跃
（ HYM 324020S / GS -70）
CMOS - 44 mW的待机
TTL - 88 mW的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
8去耦电容安装在
基板
所有输入，输出及钟表充分TTL
兼容
72脚单列直插式内存模块与
22.86毫米（ 900万）的高度
采用8 4Mx4 -的DRAM在300MIL宽
SOJ -包
2048刷新周期/ 32毫秒
锡铅接触垫（S - 版）
金触点垫（ GS - 版）
订购信息
TYPE
HYM 324020S -60
HYM 324020S -70
HYM 324020GS -60
HYM 324020GS -70
订购代码
Q67100-Q979
Q67100-Q980
Q67100-Q2005
根据要求
包
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
描述
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（访问时间70 ns ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（访问时间70 ns ）
半导体集团
571
09.94
HYM 324020S / GS -60 / -70
4M ×32位
该HYM 324020S / GS - 60 / -70是组织为4 194 304字由一个16M的字节的DRAM模块
在一个72引脚单列直插式封装，包括在300 8 HYB 5117400BJ 4M ×4的DRAM 32位
万宽SOJ -包安装有8 0.2在一起
F
在PC机上的陶瓷去耦电容
板。
该HYM 324020S / GS -60 / -70也可以用作8 388 608字由16位动态RAM
通过连接DQ0和DQ16 ， DQ1与DQ17 ， DQ2和DQ18的装置模块，...， DQ15和
DQ31 ，分别。
每个HYB 5117400BJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 324020S / GS - 60 / -70的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
引脚定义和功能
PIN号
A0-A10
DQ0-DQ31
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
功能
地址输入
HYM 324020S / GS
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
存在检测引脚
-60
PD0
PD1
PD2
PD3
-70
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
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HYM 324020S / GS -60 / -70
4M ×32位
引脚配置
（ TOP VIEW ）
半导体集团
573
HYM 324020S / GS -60 / -70
4M ×32位
框图
半导体集团
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HYM 324020S / GS -60 / -70
4M ×32位
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
焊接温度............................................................................................................ 260℃
焊接时间............................................................................................................................. 10秒
输入/输出电压.............................................. .......................... - 0.5 V至MIN（
V
CC
+ 0.5, 7.0) V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 6.16 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注：如果运行条件
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
DC特性
1)
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
符号
限值
分钟。
马克斯。
2.4
– 0.5
2.4
–
– 20
– 10
单位
TEST
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
CC
+ 0.5 V
0.8
–
0.4
20
10
V
V
V
A
A
I
CC1
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
60纳秒 - 版本
70纳秒 - 版本
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
60纳秒 - 版本
70纳秒 - 版本
–
–
–
880
800
16
mA
mA
mA
2)
3)
I
CC2
I
CC3
–
–
880
800
mA
mA
2)
半导体集团
575
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