2M
x
32位动态RAM模块
HYM 322035S / GS -50 / -60 / -70
先进的信息
2 097 152字×32位的组织
1记忆库
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
84 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
104 ns的周期时间（ -60版）
70 ns访问时间
124 ns的周期时间（ -70版）
超页模式 - EDO能力
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
45 ns的周期时间（ -70版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 2640毫瓦活跃（ -50版）
最大。 2420毫瓦活跃（ -60版）
最大。 2200毫瓦活跃（ -70版）
CMOS - 22 mW的待机
TTL
-44 mW的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
4去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块（L -SIM - 72-9 ）与20.32毫米（ 800万）的高度
利用四个2M
×
8 -DRAMs在400万SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒11/10解决
优化使用字节写非奇偶校验的应用
锡铅接触垫（S版）
金触点垫（ GS - 版）
半导体
Semicunductor集团
1
2.96
HYM 322035S / GS -50 / -60 / -70
2M
×
32位EDO-模块
该HYM 322035S / GS - 50 / -60 / -70是组织为2 097 152字由一个8兆字节的DRAM模块
在一个72针单直插式封装包括四个HYB 5117805BSJ 2M的32位
×
8 EDO - DRAM的
在400万宽SOJ -包安装四个0.2在一起
F
陶瓷去耦电容
一PC板。
每个HYB 5117805BSJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 322035S / GS - 60 / -70的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 322035S -50
HYM 322035S -60
HYM 322035S -70
HYM 322035GS -50
HYM 322035GS -60
HYM 322035GS -70
订购代码
包
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
L-SIM-72-9
描述
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间70 ns ）
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间70 ns ）
半导体集团
2
HYM 322035S / GS -50 / -60 / -70
2M
×
32位EDO-模块
引脚配置
引脚名称
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
北卡罗来纳州
A1
A3
A5
A10
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
北卡罗来纳州
A8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VSS
CAS2
CAS1
北卡罗来纳州
WE
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
VCC
DQ13
DQ14
DQ15
PD0
PD2
北卡罗来纳州
1 DQ0 2
3 DQ1 4
5 DQ2 6
7 DQ3 8
9 VCC 10
11 A0
12
13 A2
14
15 A4 16
17 A6 18
19 DQ4 20
21 DQ5 22
23 DQ6 24
25 DQ7 26
27 A7
28
29 VCC 30
31 A9
32
33 RAS2 34
北卡罗来纳州35 36
北卡罗来纳州37 38
39 CAS0 40
41 CAS3 42
43 RAS0 44
北卡罗来纳州45 46
北卡罗来纳州47 48
49 DQ24 50
51 DQ25 52
53 DQ26 54
55 DQ27 56
57 DQ28 58
59 DQ29 60
61 DQ30 62
63 DQ31 64
北卡罗来纳州65 66
67 PD1 68
69 PD3 70
71 VSS 72
A0R-A10R
A0C-A9C
DQ0-DQ31
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
存在检测引脚
-50
PD0
PD1
PD2
PD3
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
-60
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
-70
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
V
SS
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
3
HYM 322035S / GS -50 / -60 / -70
2M
×
32位EDO-模块
RAS0
CAS0
CAS
DQ0-DQ7
I/O1-I/O8
OE
D1
RAS
CAS1
CAS
DQ8-DQ15
I/O1-I/O8
OE
D2
RAS
RAS2
CAS2
CAS
DQ16-DQ23
I/O1-I/O8
OE
D3
RAS
CAS3
CAS
DQ24-DQ31
I/O1-I/O8
OE
D4
RAS
A0R - A10R ，
A0C - A9C
WE
VCC
C1 - C 4
VSS
D1 - D4
D1 - D4
框图
半导体集团
4
HYM 322035S / GS -50 / -60 / -70
2M
×
32位EDO-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. ..............................- 0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation..................................................................................................................... 4.2 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
符号
限值
分钟。
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
-50版
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
-50版
-60版
-70版
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
10
10
V
V
V
V
A
A
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
2.4
– 0.5
2.4
–
– 10
– 10
1)
–
–
–
480
440
400
8
mA
mA
mA
mA
2),3),4)
I
CC2
I
CC3
–
–
–
–
480
440
400
mA
mA
mA
2), 4)
半导体集团
5
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