1M
×
32位动态RAM模块
（超页模式 - EDO版）
HYM 321005S / GS -50 / -60
先进的信息
SIMM模组与1 048 576字×32位的组织
用于PC的主存储器的应用
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
84 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
104 ns的周期时间（ -60版）
超页面模式 - EDO能力
20 ns的周期时间（ -50版）
25 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大2200毫瓦活跃（ -50版）
最大。 1980年毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 11 mW的待机
TTL
- 22 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐藏
2去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块
利用两个1M
×
16 -DRAMs在SOJ -42封装
1024刷新周期/ 16毫秒
优化使用字节写非奇偶校验的应用
锡铅接触垫HYM 321005S
金铅接触垫HYM 321005GS
与20.32毫米（ 800万）的高度单面模块
半导体集团
1
9.96
HYM 321005S / GS -50 / -60
1M
×
32位EDO-模块
该HYM 321005S / GS - 50 / -60是组织为1 048 576字由4兆字节EDO- DRAM模块
在一个72针单直插式封装包括两个HYB 5118165BSJ 1M 32位
×
16 EDO - DRAM的
在400万宽SOJ -包安装两个0.2在一起
F
陶瓷去耦电容
一PC板。
每个HYB 5118165BSJ是在数据表中描述的完全电子测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可通过使用存在的待检测的模块的速度检测引脚。
对HYM 321005S / GS - 50 / -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 321005S -50
HYM 321005S -60
HYM 321005GS -50
HYM 321005GS -60
订购代码
Q67100-Q2062
Q67100-Q2063
Q67100-Q2064
Q67100-Q2065
包
L-SIM-72-10
L-SIM-72-10
L-SIM-72-10
L-SIM-72-10
说明
EDO - DRAM模块
（接入time50 NS ）
EDO - DRAM模块
（访问时间60 ns ）
EDO - DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO - DRAM模块
（访问时间60 ns ）
半导体集团
2
HYM 321005S / GS -50 / -60
1M
×
32位EDO-模块
引脚名称
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
北卡罗来纳州
A1
A3
A5
北卡罗来纳州
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
北卡罗来纳州
A8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1 DQ0
2
3 DQ1
4
5 DQ2
6
7 DQ3
8
9 VCC 10
11 A0
12
13 A2
14
15 A4
16
17 A6
18
19 DQ4 20
21 DQ5 22
23 DQ6 24
25 DQ7 26
27 A7
28
29 VCC 30
31 A9
32
33 RAS2 34
北卡罗来纳州35 36
A0-A9
DQ0-DQ31
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VSS
CAS2
CAS1
北卡罗来纳州
WE
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
VCC
DQ13
DQ14
DQ15
PD0
PD2
北卡罗来纳州
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
北卡罗来纳州38
CAS0 40
CAS3 42
RAS0 44
北卡罗来纳州46
北卡罗来纳州48
DQ24 50
DQ25 52
DQ26 54
DQ27 56
DQ28 58
DQ29 60
DQ30 62
DQ31 64
北卡罗来纳州66
PD1 68
PD3 70
VSS 72
存在检测引脚
-50
PD0
PD1
PD2
PD3
-60
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
引脚配置
半导体集团
3
HYM 321005S / GS -50 / -60
1M
×
32位EDO-模块
RAS0
CAS0
CAS1
UCAS LCAS RAS
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
I/O1-I/O8
I/O9-I/O16
OE
D1
RAS2
CAS2
CAS3
UCAS LCAS RAS
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
I/O1-I/O8
I/O9-I/O16
OE
D2
A0 - A9
WE
VCC
VSS
C1 , C2
D1 , D2
D1 , D2
框图
半导体集团
4
HYM 321005S / GS -50 / -60
1M
×
32位EDO-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
输入/输出电压.............................................. ............................. - 0.5分钟（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 2.52 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 2纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
(0 V
≤
V
IH
≤
VCC + 0.3V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
VCC + 0.3V ）
平均
V
CC
电源电流：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车：
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
供电电流，在RAS-只
更新周期：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS骑自行车， CAS =
V
I，H，
t
RC
=
t
RC
分）
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
10
10
2.4
– 0.5
2.4
–
– 10
– 10
单元测试
条件
V
V
V
V
A
A
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
1)
–
–
400
360
4
mA
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
I
CC2
I
CC3
–
–
–
–
400
360
mA
mA
2) 4)
2) 4)
平均
V
CC
供电电流，在超页
I
CC4
模式（ EDO ） ：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS =
V
IL
中国科学院，地址自行车：
(
t
HPC
=
t
HPC
分）
–
–
180
150
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
