1M
×
32位动态RAM模块
(2M
×
16位动态RAM模块）
HYM 321000S / GS -50 / -60
先进的信息
1 048 576字×32位的组织
（另2 097 152字×16位）
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
90 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快速页面模式功能
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大2200毫瓦活跃（ -50版）
最大。 1980年毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 11 mW的待机
TTL
- 22 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐藏
2去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块
利用两个1M
×
16 -DRAMs在SOJ -42封装
1024刷新周期/ 16毫秒
优化使用字节写非奇偶校验的应用
锡铅接触片HYM 321000S
金铅接触片HYM 321000GS
与20.32毫米（ 800万）的高度单面模块
半导体集团
1
12.95
HYM 321000S / GS -50 / -60
1M
×
32-Bit
该HYM 321000S / GS - 50 / -60是组织为1 048 576字由4兆字节的DRAM模块
32-
在一个72引脚单列直插式封装，包括两个HYB 5118160BSJ 1M位
×
16的DRAM在400万
广SOJ -包安装两个0.2在一起
F
在PC机上的陶瓷去耦电容
板。
该HYM 321000S / GS -60 / -70也可以用作2 097 152字由16位动态RAM
通过连接DQ0和DQ16 ， DQ1与DQ17 ， DQ2和DQ18的装置模块，...， DQ15和
DQ31 ，分别。
每个HYB 5118160BSJ是在数据表中描述的完全电子测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 321000S / GS - 50 / -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 321000S -50
HYM 321000S -60
HYM 321000GS -50
HYM 321000GS -60
订购代码
Q67100 - Q2051
Q67100 - Q2056
Q67100 - Q2053
Q67100 - Q2058
包
L-SIM-72-10
L-SIM-72-10
L-SIM-72-10
L-SIM-72-10
说明
DRAM模块
（接入time50 NS ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（存取时间为50ns ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
半导体集团
2
HYM 321000S / GS -50 / -60
1M
×
32-Bit
引脚名称
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
北卡罗来纳州
A1
A3
A5
北卡罗来纳州
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
北卡罗来纳州
A8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1 DQ0
2
3 DQ1
4
5 DQ2
6
7 DQ3
8
9 VCC 10
11 A0
12
13 A2
14
15 A4
16
17 A6
18
19 DQ4 20
21 DQ5 22
23 DQ6 24
25 DQ7 26
27 A7
28
29 VCC 30
31 A9
32
33 RAS2 34
北卡罗来纳州35 36
A0-A9
DQ0-DQ31
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VSS
CAS2
CAS1
北卡罗来纳州
WE
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
VCC
DQ13
DQ14
DQ15
PD0
PD2
北卡罗来纳州
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
北卡罗来纳州38
CAS0 40
CAS3 42
RAS0 44
北卡罗来纳州46
北卡罗来纳州48
DQ24 50
DQ25 52
DQ26 54
DQ27 56
DQ28 58
DQ29 60
DQ30 62
DQ31 64
北卡罗来纳州66
PD1 68
PD3 70
VSS 72
存在检测引脚
-50
PD0
PD1
PD2
PD3
-60
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
引脚配置
半导体集团
3
HYM 321000S / GS -50 / -60
1M
×
32-Bit
RAS0
CAS0
CAS1
UCAS LCAS RAS
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
I/O1-I/O8
I/O9-I/O16
OE
D1
RAS2
CAS2
CAS3
UCAS LCAS RAS
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
I/O1-I/O8
I/O9-I/O16
OE
D2
A0 - A9
WE
VCC
VSS
C1 , C2
D1 , D2
D1 , D2
框图
半导体集团
4
HYM 321000S / GS -50 / -60
1M
×
32-Bit
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
输入/输出电压.............................................. ............................. - 0.5分钟（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 2.52 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
1)
T
A
= 0 70 ×C ;
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
符号
限值
分钟。
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
马克斯。
5.5
0.8
–
0.4
10
10
V
V
V
V
A
A
单位
TEST
条件
–
–
–
–
–
–
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
2.4
– 1.0
2.4
–
– 10
– 10
平均
V
CC
电源电流：
I
CC1
HYM 321000S / GS- 50
HYM 321000S / GS- 60
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
–
–
–
–
400
360
mA
mA
2), 3),4)
I
CC2
4
mA
–
平均
V
CC
RAS时电源电流
I
CC3
只刷新周期：
HYM 321000S / GS- 50
HYM 321000S / GS- 60
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
, t
RC
=
t
RC
分）
2),4)
–
–
–
400
360
mA
mA
半导体集团
5
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