互联网数据表
HY[I/B]39S512[40/80/16]0A[E/T]
512兆位同步DRAM
HY [B / I] 39S512400A [E / T] ， HY [B / I] 39S512800A [E / T] ， HY [B / I] 39S512160A [E / T]
修订历史： 2007-06 ，牧师1.52
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科目（自上次调整的重大变化）
改编网络版
纠正操作命令"Power下/时钟暂停...... “说实话表
纠正操作命令"Power下Exit"为X（ WE＃ ）
纠正案文"After模式寄存器设置一个NOP命令required" ， 3.3章
纠正案文"One时钟延迟所需的模式进入和exit" ，第3.5章
纠正行"Input的电容： CK"表10 ，第4章
奇梦达模板
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所有
增加了更多的产品类型
上一个版本： 2006-01 ，牧师1.4
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03292006-6Y91-0T2Z
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HY[I/B]39S512[40/80/16]0A[E/T]
512兆位同步DRAM
1
1.1
概观
特点
字节控制数据面膜（ X16 ）
自动刷新（ CBR）和自刷新
掉电和时钟挂起模式
8192刷新周期/ 64毫秒（ 7.8
s)
随机列地址每CLK （ 1 -N规则）
单3.3 V± 0.3 V电源
LVTTL接口
塑料包装：P （ G） -TSOPII - 54
符合RoHS产品
本章列出的产品系列HY [I / B] 39S512 [ 40/80/16 ] 0A [E / T]和订购信息的所有主要功能。
完全同步的时钟上升沿
0到70
°C
工作温度为HYB ...
-40到85
°C
工作温度为HYI ...
由BA0 & BA1控制四家银行
可编程CAS延时： 2 & 3
可编程的缠绕顺序：顺序或交织
可编程的突发长度：1， 2 ，4，8和整版
多个突发读取与单写操作
自动和控制预充电命令
数据掩码为读/写控制（ X4，X8 ， X16 ）
表1
性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL3
–7.5
PC133–333
1)
单位
—
兆赫
ns
ns
ns
ns
@CL2
1 ）最大。频率CL /
t
RCD /
t
RP
f
CK3
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
133
7.5
5.4
10
6
牧师1.52 ，2007-06
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3
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HY[I/B]39S512[40/80/16]0A[E/T]
512兆位同步DRAM
1.2
描述
在HY [I / B] 39S512 [ 40/80/16 ] 0A [E / T]四个银行同步DRAM的组织结构
4银行
×
32MBit
×
4, 4
银行
×
16MBit
×
8和4银行
×
8Mbit
×
分别为16
。这些同步设备实现高速数据传输
通过使用一个芯片的架构，预取多个位，然后率CAS等待时间进行同步的输出数据，以
一个系统时钟。被制造与奇梦达的芯片上涨0.14
m
512兆位DRAM制程技术。
该设备被设计为符合同步DRAM产品设置的所有行业标准，电气和
机械。所有的控制，地址，数据输入输出电路均与一个外部的正边沿同步
提供的时钟。
操作的四个存储体中的交错的方式允许随机存取操作发生在更高的速度比是
可以使用标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率可能因突发长度， CAS延迟和
该设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件采用单3.3 V± 0.3 V电源。
所有的512 - Mbit的成分是P（ G） -TSOPII - 54封装。
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
HYB39S512400AT-7.5
HYB39S512800AT-7.5
HYB39S512160AT-7.5
HYB39S512400AE-7.5
HYB39S512800AE-7.5
HYB39S512160AE-7.5
工业温度（ -40°C - + 85 ° C）
HYI39S512400AT-7.5
HYI39S512800AT-7.5
HYI39S512160AT-7.5
HYI39S512400AE-7.5
HYI39S512800AE-7.5
HYI39S512160AE-7.5
PC133-333-520
133MHz的4B
×
32M
×
4 SDRAM
133MHz的4B
×
16M
×
8 SDRAM
133MHz的4B
×
8M
×
16 SDRAM
133MHz的4B
×
32M
×
4 SDRAM
133MHz的4B
×
16M
×
8 SDRAM
133MHz的4B
×
8M
×
16 SDRAM
PG-TSOPII-54
1)
速度等级
PC133-333-520
描述
133MHz的4B
×
32M
×
4 SDRAM
133MHz的4B
×
16M
×
8 SDRAM
133MHz的4B
×
8M
×
16 SDRAM
133MHz的4B
×
32M
×
4 SDRAM
133MHz的4B
×
16M
×
8 SDRAM
133MHz的4B
×
8M
×
16 SDRAM
包
P-TSOPII-54
记
标准工作温度（ 0 °C - + 70 ° C）
PG-TSOPII-54
1)
P-TSOPII-54
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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2
2.1
CON组fi guration
引脚配置
本章包括引脚配置表和TSOP封装图纸。
下面列出了管脚配置部分用于SDRAM的各种信号。
表3
在SDRAM的配置球
球NO 。
名字
针
TYPE
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
卜FF器
TYPE
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
地址信号9 ： 0 ，地址信号10 /自动预充电
芯片选择
行地址信号1 ： 0
功能
时钟信号X4 / X8 / X16结构
38
37
18
17
16
19
20
21
23
24
25
26
29
30
31
32
33
34
22
35
36
CLK
CKE
RAS
CAS
WE
CS
BA0
BA1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
时钟信号CLK
时钟使能
行地址选通（RAS） ，列地址选通（CAS） ，写使能（WE ）
控制信号X4 / X8 / X16结构
地址信号X4 / X8 / X16结构
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