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HYB / E 25L128160AC
128兆位移动-RAM
128兆比特的同步低功耗DRAM的Chipsize包
数据表（修订版2003-02 ）
高性能：
自动和控制预充电
命令
-8
125
8
6
9.5
6
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8和
整页
可编程功耗降低了功能
在自刷新局部阵列激活
数据掩码字节控制
自动刷新（ CBR ）
4096刷新周期/ 64ms的
自刷新与PROGRAMMBLE刷新周期
掉电和时钟挂起模式
随机列地址每CLK
（ 1 -N规则）
54 - FBGA ，9 ×6球阵列3
无人区行， 9毫米x 8毫米
工作温度范围
商用（ 0
0
70
0
C)
扩展（ -25
o
C至+ 85
o
C)
-7.5
f
CK ， MAX
t
CK3,MIN
t
AC3,MAX
t
CK2,MIN
t
AC2,MAX
133
7.5
5.4
9.5
6
的8Mbit ×16组织
VDD = 2.5V ， VDDQ = 1.8V / 2.5V
完全同步的时钟上升沿
四家银行通过BA0和放大器的控制; BA1
可编程CAS延时： 1 ， 2 ， 3
可编程的缠绕顺序：顺序
或交织
深度掉电模式
该HYB / E 25L128160AC移动- RAM的是新一代的低功耗，四银行
同步DRAM的组织为4银行
×
2Mbit的X16与手机的附加功能
应用程序。这些同步移动- RAM中实现了高速的数据传输速率
采用芯片体系结构，预取多个位，然后，可以同步的数据输出到
一个系统时钟。该芯片采用英飞凌的先进工艺技术制造。
该装置增加了新的功能，支持同步DRAM产品树立了行业标准。
可以选择的存储器阵列的部分为自刷新和自我在刷新周期
刷新率是可编程的4步骤，大大减少自刷新电流，这取决于
在系统中应用的部件的情况下的温度。另外一种“深度掉电
模式“是可用的。操作四个存储体交错的方式允许随机访问
操作发生在更高的速率。一个顺序和无缝数据速率可能因爆
长度， CAS延迟和设备的速度等级。该器件在2.5V电源工作
用于芯和1.8V的总线接口。
移动-RAM被装在一个FBGA “芯片尺寸”套餐。移动-RAM是在可用
商用（ 0
0
70
0
C）和扩展（ -25
o
C至+ 85
o
C）温度范围。
在网络连接霓虹灯技术
1
2003-02
HYB / E 25L128160AC
128兆位移动-RAM
订购信息
TYPE
HYB 25L128160AC - 7.5
HYB 25L128160AC - 8
HYE 25L128160AC - 7.5
HYE 25L128160AC - 8
功能代码包
PC133-333-522 BGA -BOC
PC100-222-620 BGA -BOC
PC133-333-522 BGA -BOC
PC100-222-620 BGA -BOC
描述
133 MHz的4B
×
2M X16 LP -SDRAM
100 MHz的4B
×
2M X16 LP -SDRAM
133 MHz的4B
×
2M X16 LP -SDRAM
100 MHz的4B
×
2M X16 LP -SDRAM
商业级温度范围：
扩展级温度范围：
引脚定义和功能
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0 - A11,
A0 - A8
BA0 ， BA1
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
行地址
列地址
BANK SELECT
DQ
LDQM ， UDQM
数据输入/输出
数据屏蔽
电源（ + 2.5V ）
地
电源DQ的（ +1.8 V）
地面DQ的
没有连接
9
DD
9
SS
9
DDQ
9
SSQ
北卡罗来纳州
在网络连接霓虹灯技术
2
2003-02
HYB / E 25L128160AC
128兆位移动-RAM
引脚配置为x16的设备：
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
7
8
9
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
VSS DQ15 VSSQ
DQ14 DQ13 VDDQ
DQ12 DQ11 VSSQ
DQ10 DQ9 VDDQ
DQ8
NC
VSS
CKE
A9
A6
A4
VDDQ DQ0
VSSQ DQ2
VDDQ DQ4
VSSQ DQ6
VDD LDQM DQ7
CAS
BA0
A0
A3
RAS
BA1
A1
A2
WE
CS
A10
VDD
UDQM CLK
NC
A8
VSS
A11
A7
A5
＆ LT ;顶视图＆gt;
在网络连接霓虹灯技术
3
2003-02
HYB / E 25L128160AC
128兆位移动-RAM
功能方框图
列地址
A0 - A8 ， AP ，
BA0 ， BA1
行地址
A0 - A11,
BA0 ， BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
ROW
解码器
ROW
解码器
ROW
解码器
ROW
解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
内存
ARRAY
内存
ARRAY
内存
ARRAY
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
内存
ARRAY
BANK 0
4096 x 512
x 16位
银行1
4096 x 512
x 16位
2银行
4096 x 512
x 16位
3银行
4096 x 512
x 16位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
DQ0 - DQ15
框图： 8Mb的X16 SDRAM （12 / 9/2寻址）
在网络连接霓虹灯技术
4
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQMU
DQML
SPB04124
2003-02
HYB / E 25L128160AC
128兆位移动-RAM
信号引脚说明
针
CLK
CKE
TYPE
输入
输入
信号极性功能
脉冲
水平
正的系统时钟输入。所有的SDRAM的输入是
EDGE
采样时钟的上升沿。
活跃
高
激活CLK信号时高，停用
当低，从而引发或者电源CLK信号
关断模式，挂起模式，或自刷新模式。
CS
输入
脉冲
活跃
低
CS使低时和禁用命令解码器
命令解码器时高。当命令
解码器被禁用，新的命令将被忽略，但
以前的行动仍在继续。
当在时钟的正上升沿采样，
CAS ，RAS和WE定义的命令由执行
SDRAM中。
在一个银行激活指令周期， A0 - A11定义
该行地址（ RA0 - RA11 ）时，在抽样的上升
时钟边沿。
在读或写命令周期中， A0- A8定义
当在上升的采样 - 列地址（ CA8 CA0 ）
时钟边沿。
除了列地址，A10 （= AP）是用来
调用autoprecharge工作在突发读取结束
或写周期。如果A10的高， autoprecharge被选择并
BA0 ， BA1定义了预充电银行。如果A10的低，
autoprecharge被禁用。
在一个预充电命令周期，A10 （= AP ）的使用
与BA0和BA1来控制银行（县）结合
预充电。如果A10很高，所有四家银行将预充电
不管BA0和BA1的状态。如果A10为低，则
BA0和BA1用于哪家银行定义为预充电。
RAS
CAS
WE
A0 - A11
输入
脉冲
活跃
低
–
输入
水平
BA0 ， BA1输入
DQX
水平
–
–
银行选择输入。选择哪家银行是活跃。
数据输入/输出引脚以相同的方式操作为上
传统的DRAM 。
输入电平
产量
在网络连接霓虹灯技术
5
2003-02
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HLMP-ED27-R0000
HYS72T256420HFN-3S-B
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    HYE25L128160AC-8
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