1M ×4位动态RAM
（超页面模式（ EDO ）版）
HYB 514405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
初步信息
1 048 576字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
超页模式 - EDO
性能：
-50
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
89
20
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 660毫瓦活跃（ -50版）
最大。 605毫瓦活跃（ -60版）
最大。 550毫瓦活跃（ -70版）
待机功耗：
11毫瓦max.standby （ TTL ）
5.5毫瓦max.standby （ CMOS）的
1.1毫瓦max.standby （ CMOS）的低功耗版本
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，
隐藏刷新和测试模式能力
所有输入和输出TTL兼容
1024刷新周期/ 16毫秒
1024刷新周期/ 128毫秒的低功耗版本
塑料封装： P- SOJ - 26 / 20-5与300万宽
半导体集团
1
5.96
HYB 514405BJ / BLJ - 50 / -60 / -70
1M ×4 EDO - DRAM
该HYB 514405BJ是由4位组织为1 048 576词的新一代动态RAM 。
该HYB 514405BJ采用CMOS硅栅工艺以及先进的电路技术
提供广泛的操作空间，在内部和系统用户。复用地址输入
允许HYB 514405BJ被装在一个标准的塑料的P- SOJ -26/ 20封装。这个包
尺寸提供高系统位密度，并与常用的自动测试和兼容
插入设备。面向系统功能包括单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接
高性能逻辑器件系列接口。
订购信息
TYPE
HYB 514405BJ -50
HYB 514405BJ -60
HYB 514405BJ -70
HYB 514405BJL -50
HYB 514405BJL -60
HYB 514405BJL -70
订购代码
Q67100-Q2116
Q67100-Q2118
Q67100-Q2120
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
说明
EDO -DRAM
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM
（访问时间60 ns ）
EDO -DRAM
（访问时间70 ns ）
低功耗EDO -DRAM
（存取时间为50ns ）
低功耗EDO -DRAM
（访问时间60 ns ）
低功耗EDO -DRAM
（访问时间70 ns ）
半导体集团
2
HYB 514405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
1M ×4 EDO - DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
P-SOJ-26/20-5
引脚名称
A0-A9
RAS
CAS
WE
OE
I/O1
-
I/O4
地址输入
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
无连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
3
HYB 514405BJ / BLJ - 50 / -60 / -70
1M ×4 EDO - DRAM
框图
半导体集团
4
HYB 514405BJ / BJL - 50 / -60 / -70
1M ×4 EDO - DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................. 0 70℃
存储温度范围............................................... .......................................- 55 + 150℃
输入/输出电压........................................................................................................ - 1 + 7 V
电源电压..................................................................................................... - 1 + 7 V
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
in
< 7 ，所有其它输入= 0 V）的
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 <
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
)
平均
V
CC
电源电流
-50版
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = = WE =
V
ih
)
平均
V
CC
在RAS -只有电源电流
刷新周期
-50版
-60版
-70版
平均
V
CC
在超页面电源电流
模式（ EDO ）操作
-50版
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = = WE =
V
CC
– 0.2 V)
符号
限值
分钟。
马克斯。
0.8
–
0.4
10
10
2.4
– 1.0
2.4
–
– 10
– 10
单元测试
条件
1)
1)
1)
1)
1)
V
ih
V
il
V
oh
V
ol
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
A
A
mA
1)
2) 3)4)
–
–
–
120
110
100
2
mA
mA
–
2)4)
I
CC2
I
CC3
–
–
–
–
120
110
100
mA
2) 3)4)
I
CC4
–
–
–
100
90
80
1
200
I
CC5
–
mA
A
1)
L-版
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
