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16位动态随机存储器
HYB 514171BJ -50 / -60
先进的信息
262 144字×16位的组织
0到70
°C
工作温度
快速访问和周期时间
RAS访问时间：
50纳秒（ -50版）
60纳秒（ -60版）
CAS访问时间：
15ns的（ -50 ， -60版）
周期时间：
95纳秒（ -50版）
110纳秒（ -60版）
快速页模式周期时间
35纳秒（ -50版）
40纳秒（ -60版）
单+ 5.0 V （ ± 10 ％）电源用
内置VBB发生器
低功耗
最大。 1045毫瓦活跃（ -50版）
最大。 935毫瓦活跃（ -60版）
待机功耗
11 mW的待机（ TTL ）
5.5毫瓦最大。待机（CMOS）
输出虚掩在周期结束时使
二维片选
读取，写入，读取，修改写入，
CAS先于RAS的刷新， RAS-只
刷新，隐藏的刷新和快速页面
模式功能
2 CAS / 1 WE控制
所有输入和输出TTL兼容
512刷新周期/ 16毫秒
塑料包装：
P- SOJ - 40-1 400万宽
该HYB 514171BJ是由16位组织为262 144字的4兆位动态RAM 。该
HYB 514171BJ采用CMOS硅栅工艺以及先进的电路技术
提供广泛的操作空间，在内部和系统用户。复用地址输入
允许HYB 514171BJ被装在一个标准的塑料400英寸宽的P- SOJ - 40-1封装。
该封装尺寸提供高系统位密度，并与常用的兼容
自动检测和插入设备。体系化的特征包括单+ 5 V （ ± 10 ％ ）
电源，直接连接的高性能逻辑器件系列，如肖特基TTL 。
半导体集团
1
1998-10-01
HYB 514171BJ -50 / -60
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16 DRAM
的I / O 1的I / O 2。 。 。 I / O16
. .
.
.
DATA IN
卜FF器
WE
UCAS
LCAS
＆放大器;
16
数据输出
卜FF器
16
OE
NO.2时钟
发电机
9
COLUMN
地址
缓冲器（9）
9
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
9
刷新
计数器（9）
9
ROW
地址
缓冲器（9）
9
ROW
解码器
.
.
.
512
.
.
.
刷新
调节器
COLUMN
解码器
检测放大器
I / O选通
512
x 16
16
存储阵列
512 x 512 x 16
.
.
.
.
.
.
RAS
NO.1时钟
发电机
衬底偏压
发电机
V
CC
V
SS
SPB02827
框图
半导体集团
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HYB 514171BJ -50 / -60
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16 DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ........................................ 0至+ 70
°C
存储温度范围............................................... ..................................... - 55 + 150
°C
输入/输出电压......................................................................................................... - 1至6 V
电源voltage........................................................................................................ - 1至6 V
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. .. 50毫安
注：条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
TTL输出高电压（
I
OUT
= - 5.0毫安）
TTL输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
符号
限值
分钟。
马克斯。
2.4
– 1.0
2.4
–
– 10
– 10
–
–
–
单位注
1
1
1
1
1
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CC
+ 0.5 V
0.8
–
0.4
10
10
190
170
2
V
V
V
A
A
mA
mA
输入漏电流，任何输入
I
I（L）
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
V
CC
+ 0.3 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
)
平均
V
CC
电源电流
-50版
-60版
I
O（ L）
I
CC1
I
CC2
1
2, 3, 4
待机
V
CC
电源电流
（ RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
IH
)
平均
V
CC
在电源电流
RAS-只刷新周期
-50版
-60版
平均
V
CC
在电源电流
快速页模式操作
-50版
-60版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
CC
– 0.2 V)
平均
V
CC
在电源电流
CAS先于RAS的刷新模式
-50版
-60版
2, 4
I
CC3
–
190
170
160
150
–
–
1
mA
2, 3, 4
I
CC4
I
CC5
mA
mA
1
2, 4
I
CC6
190
170
mA
半导体集团
5
1998-10-01
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