1M
×
16位动态随机存储器
1K刷新
（超页模式， EDO ）
先进的信息
1 048 576字×16位的组织
= 0至70
°C
工作温度
超页模式， EDO操作
性能：
-50
-60
60
15
30
HYB 5118165BSJ / BST- 50 / -60
HYB 3118165BSJ / BST- 50 / -60
t
RAC
RAS访问时间
t
CAC
CAS访问时间
t
AA
t
RC
从地址访问时间
读/写周期时间
50
13
25
84
20
ns
ns
ns
ns
ns
104
25
t
HPC
超页模式（ EDO ）周期时间
功耗，刷新&地址：
HYB5118165
-50
电源
地址
刷新
活跃
TTL待机
CMOS待机
715
11
5.5
10/10
632
-60
5 V
±
10 %
HYB3118165
-50
10/10
468
7.2
3.6
414
mW
mW
mW
-60
3.3 V
±
0.3 V
1024次/ 16毫秒
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新和隐藏刷新
所有输入，输出及钟表充分TTL （ 5 V版本）和LV- TTL （3.3V版本）兼容
塑料包装： P- SOJ - 42-1
400万
P- TSOPII - 50 / 44-1 400万
半导体集团
1
1998-10-01
HYB 5118165BSJ / BST- 50 / -60
HYB 3118165BSJ / BST- 50 / -60
1M
×
16 EDO -DRAM
该HYB 5 （ 3 ） 118165顷16兆位基于芯片的版本“ G” & “F”和有组织的动态RAM
为1 048 576字×16位。该HYB 5（3） 118165利用亚微米CMOS硅栅
工艺技术，以及先进的电路技术，提供广泛的运营利润率，这两个
内部和供系统用户。复用地址输入允许HYB 5 （ 3 ） 18165是
封装在一个标准SOJ -42和TSOPII -四十四分之五十〇塑料封装400密耳的宽度。这些
封装提供高系统位密度，并兼容常用的自动
检测和插入设备。
订购信息
TYPE
HYB 5118165BSJ -50
HYB 5118165BSJ -60
HYB 3118165BSJ -50
HYB 3118165BSJ -60
订购代码封装
Q67100-Q1107
Q67100-Q1108
根据要求
根据要求
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400万
P- TSOPII - 50 / 44-1 400万
P- TSOPII - 50 / 44-1 400万
P- TSOPII - 50 / 44-1 400万
P- TSOPII - 50 / 44-1 400万
说明
5V
5V
50 ns的EDO -DRAM
60 ns的EDO -DRAM
3.3 V 50 ns的EDO -DRAM
3.3 V 60 ns的EDO -DRAM
5V
5V
50 ns的EDO -DRAM
60 ns的EDO -DRAM
根据要求HYB 5118165BST -50
根据要求HYB 5118165BST -60
根据要求HYB 3118165BST -50
根据要求HYB 3118165BST -60
3.3 V 50 ns的EDO -DRAM
3.3 V 60 ns的EDO -DRAM
半导体集团
2
1998-10-01
HYB 5118165BSJ / BST- 50 / -60
HYB 3118165BSJ / BST- 50 / -60
1M
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16 EDO -DRAM
引脚名称和配置
HYB 5（3） 118165
行地址输入
列地址输入
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
读/写输入
电源
接地（ 0 V ）
没有连接
A0 - A9
A0 - A9
RAS
UCAS
LCAS
OE
I / O1 - I / O16
WE
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
P- SOJ - 42-1 （ 400万）
V
CC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
RAS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
V
SS
41 I / O16
40 I / O15
39 I / O14
38 I / O13
37
V
SS
36 I / O12
35 I / O11
34 I / O10
33 I / O9
32北卡罗来纳州
31 LCAS
30 UCAS
29 OE
28 A9
27 A8
26 A7
25 A6
24 A5
23 A4
22
V
SS
SPP02812
P- TSOPII - 50 / 44-1 （ 400万）
V
CC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
RAS
A11 /北卡罗来纳州
A10 /北卡罗来纳州
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
SPP03457
北卡罗来纳州
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
半导体集团
3
1998-10-01
HYB 5118165BSJ / BST- 50 / -60
HYB 3118165BSJ / BST- 50 / -60
1M
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16 EDO -DRAM
的I / O 1的I / O 2。 。 。 I / O16
. . .
DATA IN
卜FF器
WE
UCAS
LCAS
＆放大器;
16
数据输出
卜FF器
16
OE
NO.2时钟
发电机
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
10
COLUMN
地址
缓冲器（ 10 ）
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
1024
x 16
16
刷新
计数器（10）的
10
ROW
地址
缓冲器（ 10 ）
10
ROW
解码器
.
.
.
1024
.
.
.
存储阵列
1024 x 1024 x 16
.
.
.
.
.
.
RAS
NO.1时钟
发电机
电压降低
发电机
V
CC
V
CC
（内部）
SPB02826
框图HYB 5118165BSJ
半导体集团
4
1998-10-01
HYB 5118165BSJ / BST- 50 / -60
HYB 3118165BSJ / BST- 50 / -60
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×
16 EDO -DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................ 0-70
°C
存储温度范围............................................... ......................................... - 55 150
°C
输入/输出电压（5V版本） ......................................... ........... - 0.5分钟（
V
CC
+ 0.5, 7.0) V
输入/输出电压（ 3.3 V版本） ......................................... ........ - 0.5分钟（
V
CC
+ 0.5, 4.6) V
电源电压（5V版本） .......................................... ............................. - 1.0 V至7.0 V
电源电压（ 3.3 V版本） .......................................... .......................... - 1.0 V至4.6 V
功耗（5V版本） ........................................... ..................................................为1.0W
功耗（ 3.3 V版本） ........................................... ............................................... 0.5瓦
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注：超出上述上市
“绝对
最大额定值“，可能会造成永久性
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
五月
影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70
°C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2纳秒
参数
5 V版本
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
3.3 V版本
电源电压
输入高电压
输入低电压
TTL输出高电压（
I
OUT
= - 2 mA）的
TTL输出低电压（
I
OUT
= 2 mA）的
CMOS输出高电压（
I
OUT
= – 100
A)
CMOS输出低电压（
I
OUT
= 100
A)
符号
限值
分钟。
马克斯。
5.5
0.8
–
0.4
3.6
0.8
–
0.4
0.2
单元测试
条件
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
4.5
2.4
– 0.5
2.4
–
3.0
2.0
– 0.5
2.4
–
–
V
1
1
1
1
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
V
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
V
V
1
1
1
1
V
CC
– 0.2 –
半导体集团
5
1998-10-01
QQ：2881677436 复制
