2M ×8 - 位动态随机存储器
2K刷新
（超页模式 - EDO ）
先进的信息
HYB5117805BSJ -50 / -60 / -70
2 097 152字×8位的组织
0 70 ° C的工作温度
性能：
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
84
20
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 660毫瓦活跃（ -50版）
最大。 605毫瓦活跃（ -60版）
最大。 550毫瓦活跃（ -70版）
11 mW的待机（ TTL ）
5.5 。 mW的待机（ MOS ）
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
超页模式（ EDO ）的能力
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
2048刷新周期/ 32毫秒（ 2K刷新）
塑料包装：
P- SOJ - 28-3 400万
半导体集团
1
1.96
HYB5117805BSJ-50/-60/-70
2M ×8 - EDO DRAM
该HYB 5117805BSJ组织为2 097 152字×8位的16兆位动态RAM 。该HYB
5117805BSJ利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及先进的
电路技术提供广泛的经营利润，在内部和系统用户。
复用地址输入允许HYB 5117805BSJ在标准包装
SOJ 28
塑料封装， 400万的宽度。这些软件包提供系统的高密度位，并
与通常使用的自动检测和插入设备兼容。系统 - 取向的
功能包括单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接连接与高性能逻辑
器件系列，如肖特基TTL 。
订购信息
TYPE
HYB 5117805BJ -50
HYB 5117805BJ -60
HYB 5117805BJ -70
引脚名称
A0-A10
A0-A9
RAS
OE
I/O1-I/O8
CAS
WE
行地址输入
列地址输入
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
没有连接
订购代码
Q67100-Q1104
Q67100-Q1105
Q67100-Q1106
包
P- SOJ - 28-3 400万
P- SOJ - 28-3 400万
P- SOJ - 28-3 400万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
2
HYB5117805BSJ-50/-60/-70
2M ×8 - EDO DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................. 0 70℃
存储温度范围............................................... ..........................................- 55 150℃
输入/输出电压.............................................. ..................................- 0.5分（ VCC + 0.5,7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................-1.0V 7.0 V
动力dissipation.....................................................................................................................为1.0W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损伤
该设备。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 2纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
(0 V
≤
V
IH
≤
VCC + 0.3V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
VCC + 0.3V ）
平均
V
CC
电源电流：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
-70纳秒版本
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车：
t
RC
=
t
RC
分）
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
10
10
2.4
– 0.5
2.4
–
– 10
– 10
单元测试
条件
V
V
V
V
A
A
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
–
–
–
–
–
–
–
120
110
100
2
120
110
100
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
2) 3) 4)
待机
V
CC
电源电流（ RAS CAS = =
V
IH
)
I
CC2
平均
V
CC
供电电流，在RAS-只
更新周期：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
-70纳秒版本
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
–
2) 4)
2) 4)
2) 4)
I
CC3
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
