4M ×4位动态RAM
HYB5117400BJ -50 / -60 / -70
HYB5117400BT -50 / -60 / -70
先进的信息
4 194 304字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
性能：
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
TPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 660毫瓦活跃（ -50版）
最大。 605毫瓦活跃（ -60版）
最大。 550毫瓦活跃（ -70版）
11 mW的待机（ TTL ）
5.5 。 mW的待机（ MOS ）
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
快页模式功能
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
2048刷新周期/ 32毫秒
塑料包装：
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P TSOPII -二十四分之二十六300万
半导体集团
1
1.96
HYB 5117400BJ / BT - 50 / -60 / -70
4M ×4的DRAM
该HYB 5117400BJ / BT是组织为4194304字由4位的16Mbit的动态RAM 。该
HYB 5117400BJ / BT利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用地址输入允许HYB 5117400BJ / BT在一个标准的SOJ包装
26/24或TSOPII -二十四分之二十六塑料包装，都与300密耳的宽度。这些软件包提供高
系统位的密度，并与通常使用的自动检测和插入兼容
设备。面向系统的功能包括单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接连接
与高性能逻辑器件系列，如肖特基TTL 。
订购信息
TYPE
HYB 5117400BJ -50
HYB 5117400BJ -60
HYB 5117400BJ -70
HYB 5117400BT -50
HYB 5117400BT -60
HYB 5117400BT -70
引脚名称
A0到A10
A0到A10
RAS
OE
I/O1-I/O4
CAS
WE
行地址输入
列地址输入
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
没有连接
订购代码
Q67100-Q1086
Q67100-Q1087
Q67100-Q1088
根据要求
根据要求
根据要求
包
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
2
HYB 5117400BJ / BT - 50 / -60 / -70
4M ×4的DRAM
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
P-SOJ-26/24
300 MIL
P- TSOPII - 24分之26 300万
引脚配置
半导体集团
3
HYB 5117400BJ / BT - 50 / -60 / -70
4M ×4的DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
Buffer(11)
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
2048
x4
地址
Buffers(11)
11
解码器
2048
ROW
存储阵列
2048x2048x4
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
VCC （内部）
框图
半导体集团
4
HYB 5117400BJ / BT - 50 / -60 / -70
4M ×4的DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................. 0 70℃
存储温度范围............................................... ..........................................- 55 150℃
输入/输出电压.............................................. ..................................- 0.5分（ VCC + 0.5,7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................-1.0V 7.0 V
动力dissipation.....................................................................................................................为1.0W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损伤
该设备。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 5纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
(0 V
≤
V
IH
≤
VCC + 0.3V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
VCC + 0.3V ）
平均
V
CC
电源电流：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
-70纳秒版本
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车：
t
RC
=
t
RC
分）
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
10
10
2.4
– 0.5
2.4
–
– 10
– 10
单元测试
条件
V
V
V
V
A
A
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
–
–
–
–
–
–
–
120
110
100
2
120
110
100
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
2) 3) 4)
待机
V
CC
电源电流（ RAS CAS = =
V
IH
)
I
CC2
平均
V
CC
供电电流，在RAS-只
更新周期：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
-70纳秒版本
（ RAS骑自行车， CAS =
V
I，H，
t
RC
=
t
RC
分）
–
2) 4)
2) 4)
2) 4)
I
CC3
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
