4M ×4位动态RAM
2K & 4K刷新
（超页模式 - EDO ）
先进的信息
4 194 304字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
性能：
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
84
20
HYB5116405BJ / BT -50 / -60 / -70
HYB5117405BJ / BT -50 / -60 / -70
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 550毫瓦激活（ HYB5116405BJ / BT-50 ）
最大。 495毫瓦激活（ HYB5116405BJ / BT- 60）
最大。 440毫瓦激活（ HYB5116405BJ / BT -70）
最大。 660 mW的主动（ HYB5117405BJ / BT- 50 ）
最大。 605毫瓦激活（ HYB5117405BJ / BT- 60）
最大。 550毫瓦激活（ HYB5117405BJ / BT -70）
11 mW的待机（ TTL ）
5.5 。 mW的待机（ MOS ）
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
超页模式（ EDO ）的能力
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
4096刷新周期/ 64毫秒HYB5116405BJ / BT （ 4K刷新）
2048刷新周期/ 32毫秒HYB5117405BJ / BT （ 2K刷新）
塑料包装：
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P TSOPII -二十四分之二十六300万
半导体集团
1
1.96
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M ×4 EDO DRAM
该HYB 5116 （ 7 ） 405BJ / BT是组织为4194304字由4位的16Mbit的动态RAM 。该
HYB 5116 （7） 405BJ / BT利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用的地址输入允许HYB 5116 （7） 405BJ / BT在标准包装
SOJ 26/24或TSOPII -二十四分之二十六塑料包装，都与300密耳的宽度。这些软件包提供高
系统位的密度，并与通常使用的自动检测和插入兼容
设备。面向系统的功能包括单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接连接
与高性能逻辑器件系列，如肖特基TTL 。
订购信息
TYPE
HYB 5116405BJ -50
HYB 5116405BJ -60
HYB 5116405BJ -70
HYB 5116405BT -50
HYB 5116405BT -60
HYB 5116405BT -70
HYB 5117405BJ -50
HYB 5117405BJ -60
HYB 5117405BJ -70
HYB 5117405BT -50
HYB 5117405BT -60
HYB 5117405BT -70
引脚名称
A0-A11
A0-A9
A0-A10
RAS
OE
I/O1-I/O4
CAS
WE
行地址输入HYB5116405
列地址输入HYB5116405
行和列地址输入用于HYB5117405
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
没有连接
订购代码
Q67100-Q1098
Q67100-Q1099
Q67100-Q1100
根据要求
根据要求
根据要求
Q67100-Q1101
Q67100-Q1102
Q67100-Q1103
根据要求
根据要求
根据要求
包
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- SOJ -二十四分之二十六300万
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
P- TSOPII - 24分之26 300MIL
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
2
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M ×4 EDO DRAM
P-SOJ-26/24
300 MIL
P- TSOPII - 24分之26 300万
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
HYB 5116405 BJ / BT
HYB 5117405 BJ / BT
引脚配置
半导体集团
3
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M ×4 EDO DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
ROW
1024
x4
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
ROW
存储阵列
4096x1024x4
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
VCC （内部）
框图HYB 5116405
半导体集团
4
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M ×4 EDO DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
Buffer(11)
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
2048
x4
地址
Buffers(11)
11
解码器
2048
ROW
存储阵列
2048x2048x4
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
VCC （内部）
框图HYB 5117405
半导体集团
5
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