互联网数据表
HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
256兆位同步DRAM
HYB39SC256 [一十六分之八十] 0FE ， HYI39SC256 [十六分之八十零] 0FF
修订历史： 2007-06 ，牧师1.25
页面
所有
41
8
11,12
18
6
6
13
13
15
19
21
21
22
22
6
科目（自上次调整的重大变化）
改编网络版
更正图28 （自动刷新）的tRC为tRFC
修正图1
更正框图
添加的文本进行自动刷新命令（ CBR ）
更正球DQ0到2,8A数据信号x16组织
校正数据的数据信号的总线[7：0 ]为数据信号x8组织
纠正操作命令"Power下/时钟暂停...... “说实话表
纠正操作命令"Power下Exit"为X（ WE＃ ）
纠正案文"After模式寄存器设置一个NOP命令required" ，第3.2章
纠正案文"One时钟延迟所需的模式进入和exit" ，第3.4章
纠正行"Input的电容： CK"表10 ，第4章
在表10 ，第4章修正为A0 -A12的
纠正TCK MIN表13
表13纠正CLE建立时间
选自H校正A6的位置在表3至3H
上一个版本： 2007-06 ，牧师1.24
上一个版本： 2007-06 ，牧师1.23
上一个版本： 2007-06 ，牧师1.22
上一个版本： 2007-06 ，牧师1.21
上一个版本： 2007-05 ，牧师1.2
上一个版本： 2007-05 ，牧师1.11
上一个版本： 2006-09 ，牧师1.1
我们倾听您的意见
你觉得本文件中的任何信息是错误的，不明确或缺少呢？
您的反馈将帮助我们不断改进本文档的质量。
请将您的建议（包括参照本文档） ：
techdoc@qimonda.com
qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-07-21
03062006-NMGU-CQ9D
2
互联网数据表
HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
256兆位同步DRAM
1
1.1
概观
特点
自动刷新（ CBR）和自刷新
掉电和时钟挂起模式
8192刷新周期/ 64毫秒（ 7.8
s)
随机列地址每CLK （ 1 -N规则）
单3.3 V± 0.3 V电源
LVTTL接口
塑料封装
- PG- TSOPII -54 （ 400mil宽度）
- PG- TFBGA -54 （12毫米× 8毫米）
RoHS标准的产品
本章列出的产品系列HY [B / I] 39SC256 [十六分之八十〇 ] 0F [E / F]和订购信息的所有主要功能。
完全同步的时钟上升沿
0到70
°C
工作温度为HYB ...
-40到85
°C
工作温度为HYI ...
由BA0 & BA1控制四家银行
可编程CAS延时： 2 & 3
可编程的缠绕顺序：顺序或交织
可编程的突发长度：1， 2 ，4，8和整版
多个突发读取与单写操作
自动和控制预充电命令
数据掩码为读/写控制（ X8 ， X16 ）
字节控制数据面膜（ X16 ）
表1
性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL3
–6
PC166–333
–7
PC143–333
PC133–222
1)
143
7
5.4
7.5
5.4
单位
—
兆赫
ns
ns
ns
ns
@CL2
1 ）最大。频率CL /
t
RCD
/
t
RP
f
CK3
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
166
6
5.4
7.5
5.4
牧师1.25 ，2007-06
03062006-NMGU-CQ9D
3
互联网数据表
HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
256兆位同步DRAM
1.2
描述
输出电路具有一个上升沿同步
外部提供时钟。
操作四个存储体交错的方式
允许随机存取操作发生在更高的速度比
可以用标准的DRAM 。一个顺序和无间隙
数据速率是可能的根据脉冲串长度， CAS等待时间
和速度的设备的等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作是
支持。这些器件具有一个3.3 V± 0.3 V电源供电
电源。所有256兆位成分都可用的PG-
TSOPII -54和PG- TFBGA -54封装。
该
HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
是
FOUR
银行
同步
DRAM的
有组织的
16兆位
×8
和8 Mbit的X16 。这些同步设备
实现了CAS延迟了高速数据传输速率
采用的芯片架构，多个预取位
然后将输出数据同步到系统时钟。该
芯片制造与先进的奇梦达0.11
m
256-MBit
DRAM制程技术。
该设备被设计为符合所有行业标准
设定为同步DRAM的产品，在电气上和
机械。所有的控制，地址，数据输入和
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
HYB39SC256800FE-6
HYB39SC256160FE-6
HYB39SC256800FE-7
HYB39SC256800FEH-7
HYB39SC256160FE-7
HYB39SC256160FEH-7
HYB39SC256160FF-6
HYB39SC256160FF-7
HYB39SC256800FF-7
工业温度（ -40 85
°C)
HYI39SC256800FE-6
HYI39SC256160FE-6
HYI39SC256800FE-7
HYI39SC256160FE-7
PC133–222
PC166–333
166MHz的16M
×8
SDRAM
166MHz的8M
×16
SDRAM
143MHz下16M
×8
SDRAM
143MHz下8M
×16
SDRAM
PG-TSOPII-54
2)
速度等级
PC166–333
PC133–222
描述
166MHz的16M
×8
SDRAM
166MHz的8M
×16
SDRAM
143MHz下16M
×8
SDRAM
143MHz下8M
×16
SDRAM
包
PG-TSOPII-54
记
2)
标准工作温度（0 70
°C)
PC166–333
PC133–222
166MHz的8M
×16
SDRAM
143MHz下8M
×16
SDRAM
143MHz下8M
×8SDRAM
PG-TFBGA-54
2)
1 ）与奇梦达的代表是提前期和首选设备的可用性和版本满足您的项目，请检查
要求。
2 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
注：有关产品命名看
第6章
这个数据表
牧师1.25 ，2007-06
03062006-NMGU-CQ9D
4
互联网数据表
HY[B/I]39SC256[80/16]0F[E/F]
256兆位同步DRAM
2
CON组fi guration
本章包括引脚配置表中， TSOP和FBGA封装图，并为框图
×8,
×16
组织的SDRAM 。
2.1
引脚配置
下面列出的是针的配置部分为SDRAM中的各种信号的
表3
在SDRAM的引脚配置
PIN号
名字
针
TYPE
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
卜FF器
TYPE
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
地址信号，地址信号10 /自动预充电
芯片选择
行地址信号1 ： 0
功能
时钟信号X8 / X16结构
38,2F
37,3F
18, 8F
17, 7F
16, 9F
19, 9G
20, 7G
21, 8G
23, 7H
24, 8H
25, 8J
26, 7J
29, 3J
30, 2J
31, 3H
32, 2H
33, 1H
34, 3G
22, 9H
35, 2G
36, 1G
CLK
CKE
RAS
CAS
WE
CS
BA0
BA1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
时钟信号CK的
时钟使能
行地址选通（RAS） ，列地址选通（CAS） ，写使能（WE ）
控制信号X8 / X16结构
地址信号X8 / X16结构
牧师1.25 ，2007-06
03062006-NMGU-CQ9D
5
QQ：2881677436 复制
