HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
64兆位同步DRAM
高性能：
多种突发读与写单
手术
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
自动和控制预充电
命令
数据模板的读/写控制（ X4，X8 ）
数据掩码字节控制（ X16 ）
自动刷新（ CBR）和自刷新
挂起模式和掉电模式
4096刷新周期/ 64毫秒
随机列地址每CLK
（ 1 -N规则）
3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL接口
塑料包装：
P- TSOPII - 54 400mil宽度（ X4，X8 ， X16 ）
-7.5版本PC133 3-3-3应用
-8版本PC100 2-2-2应用
-7.5
-8
125
8
6
10
6
f
CKMAX
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
133
7.5
5.4
10
6
完全同步的时钟上升沿
= 0至70
°C
工作温度
四家银行通过BA0和放大器的控制; BA1
可编程CAS延时： 2,3
可编程的缠绕顺序：顺序
或交织
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8
全页（可选）连续包
周围
该HYB 39S64400 / 800 / 160BT四个银行同步DRAM的组织结构
4银行
×
4MBit
×4,
4银行
×
2兆位
×8
4银行
×
1兆位
×16
分别。这些synchron-
OU的设备实现高速数据传输速率通过采用芯片架构，省长
多个位，然后输出数据同步到系统时钟。该芯片采用制造
英飞凌先进的0.2
m
64兆位DRAM制程技术。
该装置设计，以符合同步DRAM产品设置的所有JEDEC标准，
在电气上和机械上。所有的控制，地址，数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作四个存储体交错的方式允许随机存取操作发生
在更高的利率可能比标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率
可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件的工作，有
采用3.3 V单
±
0.3 V电源供电，在TSOPII封装。
数据手册
1
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
订购信息
TYPE
订购代码封装
描述
HYB 39S64400BT - 7.5 Q67100 - Q2781
HYB 39S64400BT - 8
Q67100-Q1838
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 133MHz的4B
×
4M X4 SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 125MHz的4B
×
4M X4 SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 133MHz的4B
×
2M SDRAM X8
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 125MHz的4B
×
2M SDRAM X8
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 133MHz的4B
×
1M x16的SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 125MHz的4B
×
1M x16的SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ），低功耗（L -版本）
HYB 39S64800BT - 7.5 Q67100 - Q2776
HYB 39S64800BT - 8
HYB 39S64160BT - 8
HYB 39S64xxx0BTL-
7.5/-8
Q67100-Q1841
Q67100-Q1844
根据要求
HYB 39S64160BT - 7.5 Q67100 - Q2800
引脚定义和功能
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0 - A11
BA0 ， BA1
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
BANK SELECT
DQ
DQM ， LDQM ，
UDQM
数据输入/输出
数据屏蔽
电源（ + 3.3V）
地
电源DQ的（ + 3.3 V ）
地面DQ的
没有连接
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
数据手册
2
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
TSOPII - 54 （ 10.16毫米
×
22.22毫米，0.8 mm间距）
4M ×16
8M ×8
16M ×4
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
DQ0
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ0
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
SPP03695
V
SS
北卡罗来纳州
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
DQ7
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ6
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ5
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ4
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
北卡罗来纳州
UDQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚配置为X4，X8 & X16主办64M - SDRAM的
数据手册
3
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
功能方框图
列地址
A0 - A9 ， AP ， BA0 ， BA1
行地址
A0 - A11 ， BA0 ， BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
行解码器
内存
ARRAY
BANK 0
4096 x 1024
×4位
内存
ARRAY
银行1
4096 x 1024
×4位
内存
ARRAY
2银行
4096 x 1024
×4位
内存
ARRAY
3银行
4096 x 1024
×4位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
框图： 4银行
×
4M
×
4 SDRAM
数据手册
4
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
SPB03696
DQ0 - DQ3
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
列地址
A0 - A8 ， AP ， BA0 ， BA1
行地址
A0 - A11 ， BA0 ， BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
行解码器
行解码器
行解码器
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
内存
ARRAY
BANK 0
4096 x 512
×8位
内存
ARRAY
银行1
4096 x 512
×8位
内存
ARRAY
2银行
4096 x 512
×8位
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
内存
ARRAY
3银行
4096 x 512
×8位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
框图： 4银行
×
2M
×
8 SDRAM
数据手册
5
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
SPB03697
DQ0 - DQ7
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
64兆位同步DRAM
高性能：
多种突发读与写单
手术
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
自动和控制预充电
命令
数据模板的读/写控制（ X4，X8 ）
数据掩码字节控制（ X16 ）
自动刷新（ CBR）和自刷新
挂起模式和掉电模式
4096刷新周期/ 64毫秒
随机列地址每CLK
（ 1 -N规则）
3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL接口
塑料包装：
P- TSOPII - 54 400mil宽度（ X4，X8 ， X16 ）
-7.5版本PC133 3-3-3应用
-8版本PC100 2-2-2应用
-7.5
-8
125
8
6
10
6
f
CKMAX
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
133
7.5
5.4
10
6
完全同步的时钟上升沿
= 0至70
°C
工作温度
四家银行通过BA0和放大器的控制; BA1
可编程CAS延时： 2,3
可编程的缠绕顺序：顺序
或交织
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8
全页（可选）连续包
周围
该HYB 39S64400 / 800 / 160BT四个银行同步DRAM的组织结构
4银行
×
4MBit
×4,
4银行
×
2兆位
×8
4银行
×
1兆位
×16
分别。这些synchron-
OU的设备实现高速数据传输速率通过采用芯片架构，省长
多个位，然后输出数据同步到系统时钟。该芯片采用制造
英飞凌先进的0.2
m
64兆位DRAM制程技术。
该装置设计，以符合同步DRAM产品设置的所有JEDEC标准，
在电气上和机械上。所有的控制，地址，数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作四个存储体交错的方式允许随机存取操作发生
在更高的利率可能比标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率
可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件的工作，有
采用3.3 V单
±
0.3 V电源供电，在TSOPII封装。
数据手册
1
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
订购信息
TYPE
订购代码封装
描述
HYB 39S64400BT - 7.5 Q67100 - Q2781
HYB 39S64400BT - 8
Q67100-Q1838
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 133MHz的4B
×
4M X4 SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 125MHz的4B
×
4M X4 SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 133MHz的4B
×
2M SDRAM X8
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 125MHz的4B
×
2M SDRAM X8
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 133MHz的4B
×
1M x16的SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ） 125MHz的4B
×
1M x16的SDRAM
P- TSOP - 54-2 （ 400mil ），低功耗（L -版本）
HYB 39S64800BT - 7.5 Q67100 - Q2776
HYB 39S64800BT - 8
HYB 39S64160BT - 8
HYB 39S64xxx0BTL-
7.5/-8
Q67100-Q1841
Q67100-Q1844
根据要求
HYB 39S64160BT - 7.5 Q67100 - Q2800
引脚定义和功能
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0 - A11
BA0 ， BA1
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
BANK SELECT
DQ
DQM ， LDQM ，
UDQM
数据输入/输出
数据屏蔽
电源（ + 3.3V）
地
电源DQ的（ + 3.3 V ）
地面DQ的
没有连接
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
数据手册
2
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
TSOPII - 54 （ 10.16毫米
×
22.22毫米，0.8 mm间距）
4M ×16
8M ×8
16M ×4
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
DQ0
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ0
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
SPP03695
V
SS
北卡罗来纳州
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
DQ7
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ6
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ5
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ4
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
北卡罗来纳州
UDQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚配置为X4，X8 & X16主办64M - SDRAM的
数据手册
3
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
功能方框图
列地址
A0 - A9 ， AP ， BA0 ， BA1
行地址
A0 - A11 ， BA0 ， BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
行解码器
内存
ARRAY
BANK 0
4096 x 1024
×4位
内存
ARRAY
银行1
4096 x 1024
×4位
内存
ARRAY
2银行
4096 x 1024
×4位
内存
ARRAY
3银行
4096 x 1024
×4位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
框图： 4银行
×
4M
×
4 SDRAM
数据手册
4
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
SPB03696
DQ0 - DQ3
12.99
HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
列地址
A0 - A8 ， AP ， BA0 ， BA1
行地址
A0 - A11 ， BA0 ， BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
行解码器
行解码器
行解码器
行解码器
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
内存
ARRAY
BANK 0
4096 x 512
×8位
内存
ARRAY
银行1
4096 x 512
×8位
内存
ARRAY
2银行
4096 x 512
×8位
列解码器
感测放大器&我（ O）总线
内存
ARRAY
3银行
4096 x 512
×8位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
框图： 4银行
×
2M
×
8 SDRAM
数据手册
5
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
SPB03697
DQ0 - DQ7
12.99
QQ：2880707522 复制
