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HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
256兆比特的同步DRAM
高性能:
-6
FCK
tCK3
tAC3
tCK2
tAC2
166
6
5
7.5
5.4
-7
143
7
5.4
7.5
5.4
-7.5
133
7.5
5.4
10
6
-8
125
8
6
10
6
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
数据掩码为读/写控制( X4,X8 )
字节控制数据面膜( X16 )
自动刷新( CBR)和自刷新
掉电和时钟挂起模式
8192刷新周期/ 64毫秒( 7,8
s)
随机列地址每CLK
( 1 -N规则)
单3.3V +/- 0.3V电源
LVTTL接口版本
塑料包装:
P- TSOPII - 54 400mil宽度( X4,X8 , X16 )
Chipsize套餐:
54球TFBGA封装(12毫米× 8毫米)
-6件PC166 3-3-3操作
-7部件PC133 2-2-2操作
-7.5部件PC133 3-3-3操作
-8部件PC100 2-2-2操作
完全同步的时钟上升沿
0到70
°C
工作温度
由BA0 & BA1控制四家银行
可编程CAS延时: 2 & 3
可编程的缠绕顺序:顺序
或交织
可编程突发长度:
1,2, 4,8和整版
多种突发读与写单
手术
自动
命令
控制
预充电
该HYB39S256400 / 800 / 160DT ( L)四个银行同步DRAM的组织为4银行X
的16Mbit ×4 , 4银行X 8Mbit的x8和4银行分别X 4Mbit的X16 。这些同步设备
通过采用芯片架构实现了CAS-延迟的高速数据传输速率的
预取多个位,然后输出数据同步到系统时钟。该芯片是
制造与英飞凌先进的0.14
m
的256Mbit DRAM制程技术。
该设备被设计为符合同步DRAM产品设置的所有行业标准,
在电气上和机械上。所有的控制,地址,数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作四个存储体交错的方式允许随机存取操作发生
以更高的速度可能比标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率
可能因突发长度, CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新( CBR)和自刷新操作的支持。这些设备与单个操作
3.3V +/- 0.3V电源。所有的256Mbit组件可在TSOPII - 54和TFBGA -54
包。
在网络连接霓虹灯技术
1
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
订购信息
TYPE
速度等级
描述
HYB 39S256400DT - 6
HYB 39S256400DT - 7
HYB 39S256400DT - 7.5
HYB 39S256400DT - 8
HYB 39S256800DT - 6
HYB 39S256800DT - 7
HYB 39S256800DT - 7.5
HYB 39S256800DT - 8
HYB 39S256160DT - 6
HYB 39S256160DT - 7
HYB 39S256160DT - 7.5
HYB 39S256160DT - 8
HYB39S256800DTL-x
HYB39S256160DTL-x
HYB39S256xx0DC(L)-x
PC166-333-520
PC133-222-520
PC133-333-520
PC100-222-620
PC166-333-520
PC133-222-520
PC133-333-520
PC100-222-620
PC166-333-520
PC133-222-520
PC133-333-520
PC100-222-620
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P- TSOP - 54-2 ( 400mil )
P-TFBGA-54
166MHz的4B X 16M ×4 SDRAM
143MHz下4B X 16M ×4 SDRAM
133MHz的4B X 16M ×4 SDRAM
125MHz的4B X 16M ×4 SDRAM
166MHz的4B X 8M ×8 SDRAM
143MHz下4B X 8M ×8 SDRAM
133MHz的4B X 8M ×8 SDRAM
125MHz的4B X 8M ×8 SDRAM
166MHz的4B X 4M ×16 SDRAM
143MHz下4B X 4M ×16 SDRAM
4B的133MHz x 4米×16 SDRAM
125MHz的4B X 4M ×16 SDRAM
4B X 8M ×8 SDRAM的低功耗
版本(免费)
4B X 4M ×16 SDRAM的低功耗
版本(免费)
(应要求提供)
引脚说明:
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A12
BA0 , BA1
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
BANK SELECT
DQX
DQM , LDQM , UDQM
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
数据输入/输出
数据屏蔽
电源( + 3.3V )
电源DQ的( + 3.3V )
地面DQ的
没有连接
在网络连接霓虹灯技术
2
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
插脚引线( TSOP - 54 )
16一M× 16
32 ×8
64男×4
V
DD
DQ0
V
DD
DQ0
V
DD
北卡罗来纳州
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ0
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
SSQ
DQ7
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
北卡罗来纳州
V
SS
DQ7
V
SS
DQ15
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ6
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ5
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ4
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
DDQ
DQ8
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
北卡罗来纳州
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
V
SS
TSOPII - 54 ( 400密耳× 875密耳,0.8 mm间距)
SPP04126
在网络连接霓虹灯技术
3
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
插脚引线( TFBGA - 54 )
引脚配置为x16的设备:
1
VSS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
UDQM
A12
A8
VSS
2
DQ15
3
VSSQ
A
B
C
D
E
F
G
H
J
7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CAS
BA0
A0
A3
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQM
RAS
BA1
A1
A2
9
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
WE
CS
A10
VDD
DQ13 VDDQ
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
引脚配置为X8设备:
1
VSS
NC
NC
NC
NC
DQM
A12
A8
VSS
2
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
NC
CLK
A11
A7
A5
3
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
A
B
C
D
E
F
G
H
J
7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CAS
BA0
A0
A3
8
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
NC
RAS
BA1
A1
A2
9
VDD
NC
NC
NC
NC
WE
CS
A10
VDD
引脚配置为X4设备:
1
VSS
NC
NC
NC
NC
DQM
A12
A8
VSS
2
NC
DQ3
NC
DQ2
NC
CLK
A11
A7
A5
3
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
A
B
C
D
E
F
G
H
J
7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CAS
BA0
A0
A3
8
NC
DQ0
NC
DQ1
NC
RAS
BA1
A1
A2
9
VDD
NC
NC
NC
NC
WE
CS
A10
VDD
在网络连接霓虹灯技术
4
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
的256Mbit同步DRAM
引脚排列X4,X8 & X16主办256M -的DRAM
C 0露米N A D D重新S S小(E S)
A 0 - A 9 ,A 1 ,A P,
B A0 , BA 1
R 0 w带有D D重新S S小(E S)
A0 - A12,
BA0 ,B A1
C 0露米N A D D重新S S小
C 0加利德
C 0露米N A D D重新S S小
B ü FFE
R 0 w带有D D重新S S小
B ü FFE
FRE中文C 0加利德
ROW
D E联合德
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
M EM ORY
一个rray
解码器
列解码器
感测放大器&我( O)总线
M EM ORY
一个RRA
ROW
D E联合德
列解码器
感测放大器&我( O)总线
M EM ORY
一个RRA
生态D E
M EM ORY
一个RRA
BANK 0
B中的NK 1
2银行
B中的NK 3
8 1 96
x 20 4 8
×4 B它
81 9 2
x 2 0 48
×4 B它
8192
x 20 4 8
×4 B它
8 19 2
x 2048
×4 B它
在P ü T B ü FFE
ü ü TP T B ü FFE
0:N卓升的L- 克IC &
牛逼即时通讯在的G简岭至R
DQ0 - DQ3
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
S·P B 0 4 1 2 7 _2
框图64M ×4 SDRAM (13 /11/2寻址)
在网络连接霓虹灯技术
5
2002-04-23
数据手册,版本1.02 , 2004年2月
HYB39S256400D[C/T](L)
HYB39S256800D[C/T](L)
HYB39S256160D[C/T](L)
256兆位同步DRAM
SDRAM
存储器产品
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
版2004-02
出版英飞凌科技股份公司,
圣 - 马丁大街53 ,
81669慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2004年。
版权所有。
请注意!
此处的信息给出描述某些组件,不得被认为是一个保证
的特点。
交货条件和权利,以技术变革保留。
在此,我们不承担任何及所有担保,包括但不限于非侵权的保证,关于
电路,说明和图表说明本发明。
在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。
信息
有关技术,交货条款及条件和价格的进一步信息,请联系离您最近的
英飞凌科技厅在德国或我们的英飞凌科技在全球的代表
( www.infineon.com ) 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息
的问题,请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。
在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面
英飞凌科技的批准,如果可以合理预期此类组件的故障引起的
生命支持设备或系统中,或发生故障而影响该设备或系统的安全性或有效性。生活
支持设备或系统的目的是要植入在人体内,或支持和/或保持和
维持和/或保护人的生命。如果失败了,这是合理的假设,该用户或其它的健康
人可能受到威胁。
一件T
D A
中文
秒H ê
,
t
.
1
1
0 2 ,
,
F ê
b .
.
2 0
0 0 4
a
ta
欧洲东部时间
即,启
.
0.02铁
b 2
04
HYB39S256400D[C/T](L)
HYB39S256800D[C/T](L)
HYB39S256160D[C/T](L)
256兆位同步DRAM
SDRAM
内存
R 0 ü (C T) S
M E M O对R P
制品
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
HYB39S256[40/80/16]0D[C/T](L)
修订历史:
页面
17
所有
所有
REV 。 1.02
2004-02
科目(自上次调整的重大变化)
在第3章纠正模式寄存器定义
不同的布局和编辑性修改
修订版1.01
1.0版
2004-01
2002-06
不同的布局和编辑性修改
以前的版本:
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HYB39S256[40/80/16]0D[C/T](L)
256兆位同步DRAM
目录
1
1.1
1.2
2
2.1
2.2
2.3
2.4
3
3.1
3.2
3.3
3.3.1
3.4
3.5
3.5.1
3.5.2
3.5.3
3.5.4
4
4.1
4.2
5
页面
概观
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚配置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
信号引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
包P- TSOPII - 54 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包P- TFBGA - 54 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
功能说明
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
操作定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
模式寄存器定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
读取和写入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
DQM功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
挂起模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
断电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
14
14
15
15
17
17
18
18
19
19
19
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
数据表
5
牧师1.02 , 2004-02
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HYB39S256160DC-75
    -
    -
    -
    -
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