概观
HYB 39S13620TQ -6 / -7 / -8
高性能：
-6
-7
125
2
8
5.5
-7
125
3
7
5.5
-8
125
3
8
6
单位
兆赫
ns
ns
特殊模式寄存器
两个颜色寄存器
突发读取与单写操作
块写和写每个位功能
字节由DQM0-3控制
自动预充电和自动刷新模式
挂起模式和掉电模式
2K刷新周期/ 32毫秒
t
AC
= 5纳秒
t
格局
/
t
HOLD
= 2纳秒/ 1纳秒
延迟2 @ 125 MHz的
随机列地址每CLK
（ 1 -N规则）
3.3 V单
±
0.3 V电源
?? LVTTL兼容的输入和输出
f
CK
潜伏期
166
3
6
5.5
t
CK3
t
AC3
单脉冲RAS接口
可编程CAS延时： 2,3
完全同步的时钟上升沿
可编程的缠绕顺序：
顺序或交织
可编程突发长度：
1，2， 4，8和整版用于顺序
1 ，2，4 ， 8，用于交织
该HYB 39S163200TQ组织为双组同步图形DRAM的（ SGRAM ）
2银行
×
256千
×
32与内置图形特点。这些同步设备实现高
高速数据传输速率高达143 MHz的通过采用芯片架构，多个预取
位，然后输出数据同步到系统时钟。该芯片是用纤维制作的
先进的64Mbit的DRAM制程技术。
该设备被设计为符合同步图形DRAM设置的所有JEDEC标准
产品，在电气上和机械上。
RAS，CAS ，WE， DSF和CS是哪个被检查在每个正沿脉冲信号
外加时钟。内部芯片的工作模式是通过这些的组合定义
信号。甲10位地址总线接收地址数据，在常规的RAS / CAS复
风格。十行地址位（ A0 - A9）和银行选择BA被选通与RAS 。列地址
位加上银行都选择与选通CAS 。
之前的任何存取操作中， CAS延迟，突发长度和突发序列必须是
在模式寄存器设置循环编程到器件通过地址输入。在自动预充电
功能可被使能，以提供一个自定时行预充电。这是在该月底启动
爆序列。此外，它具有每比特的写入，写入块与所述屏蔽块写入
半导体集团
1
1998-10-01
HYB 39S16320TQ -6 / -7 / -8
功能。通过具有可编程的模式寄存器和特殊模式寄存器中，该系统可以
选择最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。
操作两个存储体中交错的方式允许随机存取操作发生
在更高的速度可能比标准的DRAM 。最多的连续和无缝数据速率
143兆赫可以根据突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。
这些器件具有3.3 V单操作
±
0.3 V电源供电，在100引脚TQFP封装
封装。
订购信息
TYPE
SDR LVTTL -版本
HYB 39S16320TQ - 6
HYB 39S16320TQ - 7
HYB 39S16320TQ - 8
HYB 39S16320TQ - 10
特点
所有信号完全同步的系统时钟的positiv边缘
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8或整页
在顺序或交错顺序突发数据传输
突发读与写单
可编程CAS延时： 2,3
8列块写，写每比特模式
通过DQM 0字节独立运作
…
3接口
自动预充电和自动刷新模式
2K刷新周期/ 32毫秒
LVTTL兼容的I / O
隐藏式自动预充电读突发
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
TQFP-100-1
TQFP-100-1
TQFP-100-1
TQFP-100-1
256k
×
2
×
32 SGRAM
256k
×
2
×
32 SGRAM
256k
×
2
×
32 SGRAM
256k
×
2
×
32 SGRAM
订购代码
包
描述
半导体集团
2
1998-10-01
HYB 39S16320TQ -6 / -7 / -8
100引脚TQFP
20
×
14 mm
2
间距为0.65mm
（标记侧）
DQ2
V
SSQ
DQ1
DQ0
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
DQ31
DQ30
V
SSQ
DQ29
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
DQ16
DQ17
V
SSQ
DQ18
DQ19
V
DDQ
V
DD
V
SS
DQ20
DQ21
V
SSQ
DQ22
DQ23
V
DDQ
DQM0
DQM2
WE
CAS
RAS
CS
BA
A9
100
1
95
90
85
80
5
75
10
70
15
65
20
60
25
55
30
35
40
45
50
DQ28
V
DDQ
DQ27
DQ26
V
SSQ
DQ25
DQ24
V
DDQ
D15
D14
V
SSQ
D13
D12
V
DDQ
V
SS
V
DD
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
MCH
DQM3
DQM1
CLK
CKE
DSF
北卡罗来纳州
A8 / AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
A4
A5
A6
A7
SPP03942
引脚配置
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HYB 39S16320TQ -6 / -7 / -8
引脚定义和功能
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0 - A9
A8 - AP
BA
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
自动预充电
BANK SELECT
DQ0到DQ31
的DataInput /输出
电源（ + 3.3V）
地
电源DQ的（ + 3.3 V ）
地面DQ的
没有连接
特殊功能启用
必须连接高
DQM0到DQM3数据面膜
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
DSF
MCH
半导体集团
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1998-10-01
HYB 39S16320TQ -6 / -7 / -8
信号引脚说明
针
CLK
CKE
TYPE
输入
输入
信号极性功能
脉冲
水平
正的系统时钟输入。所有的SGRAM输入是
EDGE
采样时钟的上升沿。
活跃
高
激活CLK信号时高，停用
CLK信号为低电平时。通过停用时钟， CKE的低
启动省电模式，待机模式，或自
刷新模式。
CS使低时和禁用命令解码器
命令解码器时高。当命令
解码器被禁用，新的命令将被忽略，但
以前的行动仍在继续。
当在时钟的正上升沿采样，
CAS ，RAS和WE定义操作以通过执行
该SGRAM 。
在一个银行激活指令周期， A0 -A9定义
行地址（ RA0 - RA9 ）时，在时钟的上升沿采样
边缘。
在读或写命令周期中， A0 -A7定义
当在上升采样的列地址（ CA0 - CA7 ）
时钟边沿。
除了列地址， CA8用于调用
在脉冲串的末端autoprecharge操作读或
写周期。如果A8为高， autoprecharge被选择和BA
定义了银行预充电（低=银行A，
高银行B） 。如果A8低， autoprecharge被禁用。
在一个预充电命令周期，A8中使用
与BA到哪家银行（ S）控制预充电相结合。
如果A8高，无论银行A和银行B将预充电
不管BA的状态。如果A8为低，则BA使用
确定哪些银行预充电。
选择哪个银行被激活。 BA低选择银行A和
BA高选择银行B.
数据输入/输出引脚以相同的方式操作为上
常规的DRAM中，与异常的块写
功能。在这种情况下， DQX销进行掩蔽
操作。
CS
输入
脉冲
活跃
低
RAS
CAS
WE
A0 - A9
输入
脉冲
活跃
低
–
输入
水平
BA
DQ0 -
DQ31
输入
水平
–
–
输入电平
产量
半导体集团
5
1998-10-01
QQ：2880707522 复制
