16M ×4位动态RAM
（ 4K & 8K刷新）
HYB 3164400AJ / AT （ L） -40 / -50 / -60
HYB 3165400AJ / AT （ L） -40 / -50 / -60
先进的信息
16 777 216字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
快速页模式操作
性能：
-40
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
40
10
20
75
30
-50
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源
低功耗：
最大。 396毫瓦激活（ HYB 3164400AJ / AT （L） -40 ）
最大。 324毫瓦激活（ HYB 3164400AJ / AT （L） -50 ）
最大。 270毫瓦激活（ HYB 3164400AJ / AT （L） -60 ）
最大。 558毫瓦激活（ HYB 3165400AJ / AT （L） -40 ）
最大。 468毫瓦激活（ HYB 3165400AJ / AT （L） -50 ）
最大。 378毫瓦激活（ HYB 3165400AJ / AT （L） -60 ）
7.2 mW的待机（ LVTTL ）
3.24 mW的待机（ LVCMOS ）
720
W
备对L-版本
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ，
RAS-只刷新，隐藏的刷新和自刷新（L -版本）
8192刷新周期/ 128毫秒， 13的R / 11C地址（ HYB 3164400AJ / AT）的
4096刷新周期/ 64毫秒， 12 R / 12C地址（ HYB 3165400AJ / AT ）
256毫秒的刷新周期为L型版本
塑料包装
P-SOJ-32-1
400万
P- TSOPII - 32-1 400万
HYB 3164 （ 5 ） 400AJ
HYB 3164 （ 5 ） 400AT
半导体集团
1
6.97
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
这个装置是一个64兆位动态RAM举办16 777 216 4位。该装置被制造在
先进的第二代64Mbit的0.35
微米CMOS
硅栅工艺技术。该电路
和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低功耗。这
DRAM采用单3.3 +/- 0.3V的电源和接口两种或LVTTL
LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB 3164 （ 5 ） 400AJ / AT在一个被包装
400mil宽SOJ - 32或TSOP- 32塑料封装。这些软件包提供高系统位
密度，并且与通常使用的自动检测和插入设备兼容。该
HYB3164 （ 5 ） 400ATL份（L -版本）具有自我支持的非常低功率“睡眠模式”
刷新
订购信息
TYPE
HYB 3164400AJ -40
HYB 3164400AJ -50
HYB 3164400AJ -60
HYB 3164400AT -40
HYB 3164400AT -50
HYB 3164400AT -60
HYB 3165400AJ -40
HYB 3165400AJ -50
HYB 3165400AJ -60
HYB 3165400AT -40
HYB 3165400AT -50
HYB 3165400AT -60
HYB 3164 （ 5 ） 400ATL
订购
CODE
包
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
说明
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
低功耗的DRAM
引脚名称
A0-A12
A0-A11
RAS
OE
I/O1-I/O4
CAS
WE
VCC
VSS
地址输入为8K刷新版本HYB 3164400AJ / AT （ L）
地址输入为4K刷新版本HYB 3165400AJ / AT （ L）
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V ）
地
半导体集团
2
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
P- SOJ - 32-1 （ 400万）
P- TSOPII - 32-1 （ 400万）
VCC
I/O1
I/O2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
写
RAS
.
A0
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
O
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VSS
I/O4
I/O3
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CAS
OE
A12 /北卡罗来纳州*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
*引脚24是A12为HYB 3164400AJ / AT （L）和NC-为HYB 3165400AJ / AT （L）的
引脚配置
半导体集团
3
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
真值表
功能
待机
读
早期写
延迟 - 写入
读 - 修改 - 写
快速页模式阅读
第一个周期
第二个周期
快速页模式早
写
第一个周期
第二个周期
快速页面模式RMW
第一个周期
2ST周期
RAS只刷新
CAS先于RAS刷新
测试模式进入
隐藏刷新
读
写
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H-L
H-L
L-H -L
L-H -L
CAS
H-X-
L
L
L
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
WE
X
H
L
H-L
H-L
H
H
L
L
H-L
H-L
X
H
L
H
L
OE
X
L
X
H
L-H
L
L
X
X
L-H
L-H
X
X
X
L
X
ROW
ADDR
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
X
X
ROW
ROW
COL
ADDR
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
不适用
不适用
COL
COL
I/O1-
I/O4
高阻抗
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高阻抗
高阻抗
高阻抗
数据输出
DATA IN
半导体集团
4
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
I/O1
I
/O2
I/O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
4
数据输出
卜FF器
4
OE
12
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(12)
12
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
ROW
4096
x4
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
4096 x 4096 x 4
ROW
存储阵列
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB 3165400AJ / AT （ L）
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
