4M ×16位动态RAM
（ 8K ， 4K & 2K刷新， EDO版）
先进的信息
HYB 3164165AT （ L） -40 / -50 / -60
HYB 3165165AT （ L） -40 / -50 / -60
HYB 3166165AT （ L） -40 / -50 / -60
4 194 304字×16位的组织
0 70 ° C的工作温度
超页模式 - EDO - 操作
性能：
-40
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
40
10
20
69
16
-50
50
13
25
84
20
-60
60
15
30
104
25
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源
低功耗：
-40
HYB3166165AT(L)
HYB3165165AT(L)
HYB3164165AT(L)
1008
756
612
-50
612
504
324
-60
450
360
324
mW
mW
mW
7.2 mW的待机（ TTL ）
3.24 mW的待机（ MOS ）
720
A
待机对L-版本
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ，
RAS-只刷新，隐藏的刷新和自刷新（ L-版本只
2 CAS / WE 1字节控制
8192刷新周期/ 128毫秒， 13 R / 9C地址（ HYB 3164165AT ）
4096刷新周期/ 64毫秒， 12 R / 10C地址（ HYB 3165165AT ）
2048刷新周期/ 32毫秒， 11 R / 11C地址（ HYB 3166165AT ）
256毫秒刷新周期为L-版本
塑料包装：
P- TSOPII - 50 400万
半导体集团
1
6.97
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 EDO -DRAM
这个装置是一个64兆位动态RAM举办4 194 304 ×16位。该装置被制造在
先进的第一代64Mbit的0.35
m
CMOS硅栅工艺技术。该电路
和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低功耗。该
HYB3164 （ 5 ） 165AT采用单3.3 +/- 0.3V的电源和接口两种
LVTTL或LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB3164 （ 5/6） 165AT是
包装400mil宽TSOPII - 50封装。这些软件包提供系统的高密度位
并且与通常使用的自动检测和插入设备兼容。该
HYB3164 （ 5/6 ） 165ATL部分必须通过自我刷新的支持非常低功率“睡眠模式” 。
订购信息
TYPE
8K刷新版本：
HYB 3164165AT -40
HYB 3164165AT -50
HYB 3164165AT -60
HYB 3164165ATL -50
HYB 3164165ATL -60
4K刷新版本：
HYB 3165165AT -40
HYB 3165165AT -50
HYB 3165165AT -60
HYB 3165165ATL -50
HYB 3165165ATL -60
2K刷新版本：
HYB 3166165AT -40
HYB 3166165AT -50
HYB 3166165AT -60
HYB 3166165ATL -50
HYB 3166165ATL -60
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
400万
400万
400万
400万
400万
EDO -DRAM （存取时间为40ns ）
EDO -DRAM （存取时间为50ns ）
EDO -DRAM （存取时间为60ns ）
EDO -DRAM （存取时间为50ns ）
EDO -DRAM （存取时间为60ns ）
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
400万
400万
400万
400万
400万
EDO -DRAM （存取时间为40ns ）
EDO -DRAM （存取时间为50ns ）
EDO -DRAM （存取时间为60ns ）
EDO -DRAM （存取时间为50ns ）
EDO -DRAM （存取时间为60ns ）
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
400万
400万
400万
400万
400万
EDO -DRAM （存取时间为40ns ）
EDO -DRAM （存取时间为50ns ）
EDO -DRAM （存取时间为60ns ）
EDO -DRAM （存取时间为50ns ）
EDO -DRAM （存取时间为60ns ）
订购
CODE
包
说明
半导体集团
2
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 EDO -DRAM
引脚配置
P- TSOPII - 50 （ 400万）
O
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
VCC
WE
RAS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A0
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
.
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
北卡罗来纳州
VSS
.
LCAS
UCAS
OE
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A12 / N.C 。 *
A11/N.C.**
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
*引脚33是A12为HYB 3164165AT （L）和NC- HYB为3165 （6） 165AT （L）的
**引脚32是A11中HYB 3164 （5） 165AT （L）和NC-为HYB 3166165AT （L）的
引脚名称
A0-A12
A0-A11
A0-A10
RAS
OE
I/O1-I/O16
UCAS ， LCAS
WE
VCC
VSS
地址输入为8K刷新版本HYB 3164165T （ L）
地址输入为4K刷新版本HYB 3165165T （ L）
地址输入为2K刷新版本HYB 3166165T （ L）
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V ）
地
半导体集团
3
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 EDO -DRAM
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字
（早期写）
写：低字节
（早期写）
写：高字节
（早期写）
读 - 修改 -
写
超页模式
1st
阅读（字）
周期
超页模式第2
阅读（字）
周期
超页模式
1st
早期写（字）周期
超页模式第2
早期写（字）周期
超页模式
1st
RMW
周期
超页模式
2st
RMW
周期
RAS只刷新
CAS先于RAS
刷新
测试模式进入
隐藏刷新
（READ ）
隐藏刷新
（写）
自刷新
（仅适用于L-版）
RAS UCAS LCAS我们
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H-X-
L
L
H
L
L
H
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
H-X-
H
H
L
L
H
L
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
H
X
H
H
H
L
L
L
H-L
H
H
L
L
H-L
H-L
X
H
L
H
L
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
ROW
添加
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
COL
添加
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
不适用
不适用
COL
COL
X
I/O1-
I/O16
高阻抗
数据输出
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
DATA IN
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高阻抗
高阻抗
高阻抗
数据输出
DATA IN
高阻抗
L - ROW
L
L
X
X
ROW
不适用
ROW
不适用
L - ROW
L - H n中/年
X
X
X
L
X
X
ROW
X
X
ROW
ROW
X
H- L L
H- L L
L- H- L
L
L- H- L
L
H-L
L
半导体集团
4
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 EDO -DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O16
WE
UCAS
LCAS
.
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
16
数据输出
卜FF器
16
OE
9
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
COLUMN
地址
Buffer(9)
9
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
16
刷新
计数器（13）
13
ROW
13
512
x16
地址
Buffers(13)
13
解码器
8192
ROW
存储阵列
8192x512x16
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB 3164165AT （L ）
半导体集团
5
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