16M ×4位动态RAM
（ 4K & 8K刷新， EDO版）
HYB 3164405J / T （ L） -50 / -60
HYB 3165405J / T （ L） -50 / -60
初步信息
16 777 216字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
快速访问和周期时间
RAS访问时间：
50纳秒（ -50版）
60纳秒（ -60版）
周期时间：
84纳秒（ -50版）
104纳秒（ -60版）
CAS访问时间：
13纳秒（ -50版）
15纳秒（ -60版）
超页模式（ EDO ）周期时间
20纳秒（ -50版）
25纳秒（ -60版）
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源
低功耗
最大。 396主动兆瓦（ HYB 3164405J / T （ L） -50 ）
最大。 360主动兆瓦（ HYB 3164405J / T （ L） -60 ）
最大。 504主动兆瓦（ HYB 3165405J / T （ L） -50 ）
最大。 432主动兆瓦（ HYB 3165405J / T （ L） -60 ）
7.2 mW的待机（ TTL ）
720 W待机（ MOS ）
14.4毫瓦自刷新（L -版本）
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ，
RAS-只刷新，隐藏的刷新和自刷新模式
超页模式（ EDO ）的能力
8192刷新周期/ 128毫秒， 13的R / 11C地址（ HYB 3164405J / T（ L））为
4096刷新周期/ 64毫秒， 12的R / 12C地址（ HYB 3165405J / T（ L））为
塑料包装：
P-SOJ-34-1
500万
HYB 3164 （ 5 ） 400J
P- TSOPII - 34-1 500万
HYB 3164 （ 5 ） 400T
半导体集团
89
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M ×4 -DRAM
这HYB3164 （5） 405是一个64兆位动态RAM组织16 777 216 4位。该装置是
制作SIEMENS / IBM最先进的第一代64Mbit的CMOS硅栅工艺
技术。该电路和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低
功耗。该HYB3164 （ 5 ） 405采用单3.3 +/- 0.3V电源供电，
接口有两种LVTTL或LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB
3164 （5） 400J / T被包装在一个宽500mil SOJ -34或TSOP- 34塑料封装。这些
封装提供高系统位密度，并兼容常用的自动
测试和插入equipment.The HYB3164 （5） 405TL份具有非常低的功耗的“睡眠模式”
通过自我刷新的支持。
订购信息
TYPE
HYB 3164405J -50
HYB 3164405J -60
HYB 3164405T -50
HYB 3164405T -60
订购
CODE
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-SOJ-34-1
P-SOJ-34-1
P-TSOPII-34-1
P-TSOPII-34-1
P-TSOPII-34-1
P-TSOPII-34-1
P-SOJ-34-1
P-SOJ-34-1
P-TSOPII-34-1
P-TSOPII-34-1
P-TSOPII-34-1
P-TSOPII-34-1
说明
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
根据要求HYB 3164405TL -50
根据要求HYB 3164405TL -60
HYB 3165405J -50
HYB 3165405J -60
HYB 3165405T -50
HYB 3165405T -60
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求HYB 3165405TL -50
根据要求HYB 3165405TL -60
引脚名称
A0-A12
A0-A11
RAS
OE
I/O1-I/O4
CAS
写
VCC
VSS
地址输入HYB 3164405J / T （ L）
地址输入HYB 3165405J / T （ L）
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V ）
地
半导体集团
90
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M ×4 -DRAM
P- SOJ - 34-1 （ 500万）
P- TSOPII - 34-1 （ 500万）
引脚配置
半导体集团
91
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M ×4 -DRAM
真值表
功能
待机
读
早期写
延迟 - 写入
读 - 修改 - 写
超页面模式读取第一个周期
第二个周期
超页模式写第一个周期
第二个周期
超页模式RMW第一个周期
2ST周期
RAS只刷新
CAS先于RAS刷新
测试模式进入
隐藏刷新
读
写
自刷新
（仅适用于L-版）
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H-L
H-L
L-H -L
L-H -L
H-L
CAS
H-X-
L
L
L
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
L
写
X
H
L
H-L
H-L
H
H
L
L
H-L
H-L
X
H
L
H
L
H
OE
X
L
X
H
L-H
L
L
X
X
L-H
L-H
X
X
X
L
X
X
ROW
ADDR
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
X
X
ROW
ROW
X
COL
ADDR
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
不适用
不适用
COL
COL
X
I/O1-
I/O4
高阻抗
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高阻抗
高阻抗
高阻抗
数据输出
DATA IN
高阻抗
半导体集团
92
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M ×4 -DRAM
框图HYB 3164405J / T （ L）
半导体集团
93
QQ：2881677436 复制
