4M ×16位动态RAM
（ 8K ， 4K & 2K刷新）
HYB 3164160AT （ L） -40 / -50 / -60
HYB 3165160AT （ L） -40 / -50 / -60
HYB 3166160AT （ L） -40 / -50 / -60
先进的信息
4 194 304字×16位的组织
0 70 ° C的工作温度
快速页模式操作
性能：
-40
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
40
10
20
75
30
-50
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源
低功耗：
-40
HYB3166160AT(L)
HYB3165160AT(L)
HYB3164160AT(L)
900
756
612
-50
558
468
378
-60
396
324
270
mW
mW
mW
7.2 mW的待机（ TTL ）
3.24 mW的待机（ MOS ）
720
W
待机对L-版本
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ，
RAS-只刷新，隐藏的刷新和自刷新（L -版本）
2 CAS / WE 1字节控制
8192刷新周期/ 128毫秒， 13 R / 9C地址（ HYB 3164160AT ）
4096刷新周期/ 64毫秒， 12 R / 10C地址（ HYB 3165160AT ）
2048刷新周期/ 32毫秒， 11 R / 11C地址（ HYB 3166160AT ）
256毫秒的刷新周期为L型版本
塑料包装：
P- TSOPII - 50 400万
半导体集团
1
6.97
HYB3164(5/6)160AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 -DRAM
这个装置是一个64兆位动态RAM举办4 194 304 16位。该装置被制造在
先进的第二代64Mbit的0,35μm -CMOS硅栅工艺技术。该电路
和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低功耗。这
DRAM采用单3.3 +/- 0.3V的电源和接口两种或LVTTL
LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB 3164 （ 5 ） 160AT在400打包
MIL宽TSOP- 50封装。这些软件包提供系统的高密度位，并兼容
与通常使用的自动检测和插入设备。该HYB3164 （5/6） 160ATL份
（L -版）具有自刷新支持的非常低功率“睡眠模式” 。
订购信息
TYPE
8K刷新版本：
HYB 3164160AT -40
HYB 3164160AT -50
HYB 3164160AT -60
HYB 3164160ATL -50
HYB 3164160ATL -60
4K刷新版本：
HYB 3165160AT -40
HYB 3165160AT -50
HYB 3165160AT -60
HYB 3165160ATL -50
HYB 3165160ATL -60
2K刷新版本：
HYB 3166160AT -40
HYB 3166160AT -50
HYB 3166160AT -60
HYB 3166160ATL -50
HYB 3166160ATL -60
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
400万
400万
400万
400万
400万
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
400万
400万
400万
400万
400万
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
P-TSOPII-50
400万
400万
400万
400万
400万
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
订购
CODE
包
说明
半导体集团
2
HYB3164(5/6)160AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 -DRAM
引脚配置
P- TSOPII - 50 （ 400万）
O
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
VCC
WE
RAS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A0
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
.
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
北卡罗来纳州
VSS
.
LCAS
UCAS
OE
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A12 / N.C 。 *
A11/N.C.**
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
*引脚33是A12为HYB 3164160AT （L）和NC- HYB为3165 （6） 160AT （L）的
**引脚32是A11中HYB 3164 （5） 160AT （L）和NC-为HYB 3166160AT （L）的
引脚名称
A0-A12
A0-A11
A0-A10
RAS
OE
I/O1-I/O16
UCAS ， LCAS
WE
VCC
VSS
地址输入为8K刷新版本HYB 3164160AT （ L）
地址输入为4K刷新版本HYB 3165160AT （ L）
地址输入为2K刷新版本HYB 3166160AT （ L）
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V ）
地
半导体集团
3
HYB3164(5/6)160AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 -DRAM
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字
（早期写）
写：低字节
（早期写）
写：高字节
（早期写）
读 - 修改 -
写
快速页模式
阅读（字）
快速页模式
阅读（字）
1st
周期
2nd
周期
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H-L
H-L
L- H-
L
L- H-
L
LCAS
H-X-
L
L
H
L
L
H
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
UCAS
H-X-
H
H
L
L
H
L
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H-L
H
H
L
L
H-L
H-L
X
H
L
H
L
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
X
X
L-H
L-H
X
X
X
L
X
ROW
添加
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
X
X
ROW
ROW
COL
添加
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
不适用
不适用
COL
COL
I/O1-
I/O16
高阻抗
数据输出
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
DATA IN
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高阻抗
高阻抗
高阻抗
数据输出
DATA IN
快速页模式
1st
早期写（字）周期
快速页模式
2nd
早期写（字）周期
快速页模式
RMW
快速页模式
RMW
RAS只刷新
CAS先于RAS
刷新
测试模式进入
隐藏刷新
（READ ）
隐藏刷新
（写）
1st
周期
2st
周期
半导体集团
4
HYB3164(5/6)160AT(L)-40/-50/-60
4M ×16 -DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O16
WE
UCAS
LCAS
.
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
16
数据输出
卜FF器
16
OE
9
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
COLUMN
地址
Buffer(9)
9
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
16
刷新
计数器（13）
13
ROW
13
512
x16
地址
Buffers(13)
13
解码器
8192
ROW
存储阵列
8192x512x16
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB 3164160AT （L ）
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
