3.3V 256的K× 16位EDO -DRAM
3.3V 256的K× 16位EDO -DRAM
（低功率版与自刷新）
HYB 314175BJ -50 / -55 / -60
HYB 314175BJL -50 / -55 / -60
初步信息
262 144字×16位的组织
0到70
°C
工作温度
快速访问和周期时间
RAS访问时间：
50纳秒（ -50版）
55纳秒（ -55版）
60纳秒（ -60版）
CAS访问时间：
13ns （ -50 & -55版）
15纳秒（ -60版）
周期时间：
89纳秒（ -50版）
94纳秒（ -55版）
104纳秒（ -60版）
宣传页模式（ EDO ）周期时间
20纳秒（ -50 & -55版）
25纳秒（ -60版）
高数据传输速率
50兆赫（ -50 & -55版）
40兆赫（ -60版）
单+ 3.3V（ ± 0.3 V）电源供电，内置一个
在VBB发生器
低功耗
最大。 450毫瓦活跃（ -50版）
最大。 432毫瓦活跃（ -55版）
最大。 378毫瓦活跃（ -60版）
待机功耗
7.2 mW的待机（ TTL ）
3.6毫瓦最大。待机（CMOS）
0.72毫瓦最大。待机（CMOS）为
低功耗版本
输出虚掩在周期结束时允许两
维片选
读，写，读 - 修改 - 写磁带式
前- RAS刷新， RAS只刷新，
隐藏的刷新和超页（ EDO ）
模式功能
2 CAS / 1 WE控制
自刷新（L-版本）
所有输入和输出TTL兼容
512刷新周期/ 16毫秒
512刷新周期/ 128毫秒
只有低功率版
塑料包装：
P- SOJ - 40-1 400mil宽度
该HYB 314175BJ / BJL是新一代动态RAM组织为262 144字由
16位。该HYB 314175BJ / BJL采用CMOS硅栅工艺以及先进的电路
技术提供广阔的操作空间，在内部和系统用户。复
地址输入允许HYB 314175BJ / BJL在一个标准的塑料400mil宽包装
P- SOJ - 40-1封装。该封装尺寸提供高系统位密度，并兼容
常用的自动检测和插入设备。体系化的特征，包括自我
刷新（L -版） ，单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）供电，直接连接高性能
逻辑器件系列。
半导体集团
1
7.96
HYB 314175BJ / BJL - 50 / -55 / -60
3.3V 256K ×16 EDO -DRAM
订购信息
TYPE
HYB 314175BJ -50
HYB 314175BJ -55
HYB 314175BJ -60
HYB 314175BJL -50
HYB 314175BJL -55
HYB 314175BJL -60
真值表
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
LCAS
H
H
L
H
L
L
H
L
L
UCAS
H
H
H
L
L
H
L
L
L
WE
H
H
H
H
H
L
L
L
H
OE
H
H
L
L
L
H
H
H
H
I/O1-I/O8
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
不关心
DIN
高-Z
I/O9-I/O16
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
不关心
DIN
DIN
高-Z
手术
待机
刷新
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
订购代码
Q67100 - Q2148
根据要求
Q67100 - Q2149
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-SOJ-40-1
P-SOJ-40-1
P-SOJ-40-1
P-SOJ-40-1
P-SOJ-40-1
P-SOJ-40-1
描述
3.3 V 50 ns的256 Kx16 EDO -DRAM
3.3 V 55 ns的256 Kx16 EDO -DRAM
3.3 V 60 ns的256 Kx16 EDO -DRAM
3.3 V 50 ns的256 Kx16 EDO- DRAM
3.3 V 55 ns的256 Kx16 EDO- DRAM
3.3 V 60 ns的256 Kx16 EDO -DRAM
引脚名称
A0-A8
RAS
UCAS ， LCAS
WE
OE
I / O1 - I / O16
地址输入
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
无连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
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2
HYB 314175BJ / BJL - 50 / -55 / -60
3.3V 256K ×16 EDO -DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
P-SOJ-40-1
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3
HYB 314175BJ / BJL - 50 / -55 / -60
3.3V 256K ×16 EDO -DRAM
框图
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4
HYB 314175BJ / BJL - 50 / -55 / -60
3.3V 256K ×16 EDO -DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ......................................... 0至+ 70
°C
存储温度范围............................................... ...................................... - 55 + 150
°C
输入/输出电压.............................................. ....................................... - 1 （
V
CC
+ 0.5, 4.6) V
电源voltage................................................................................................... - 1到+ 4.6 V
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述上市
“绝对
最大额定值“，可能会造成永久性
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
LVTTL输出高电压（
I
OUT
= - 2.0 mA）的
LVTTL输出低电压（
I
OUT
= 2 mA）的
LVCMOS输出高电压（
I
OUT
= – 100
A)
LVCMOS输出低电压（
I
OUT
= 100
A)
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 7 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
)
平均
V
CC
电源电流：
-50版
-55版
-60版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS = LCAS = UCAS = WE =
V
IH
)
平均
V
CC
在电源电流
RAS-只刷新周期：
-50版
-55版
-60版
符号
限值
分钟。
马克斯。
2.4
– 1.0
2.4
–
2.4
–
– 10
– 10
–
125
120
105
mA
2, 3, 4
单位注
V
V
V
V
V
V
A
A
1
1
1
1
1
1
1
1
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
V
CC
+ 0.5
0.8
–
0.4
–
0.4
10
10
I
CC2
I
CC3
–
–
2
mA
–
125
120
105
mA
2, 4
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5
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