3.3V 256的K× 16位动态RAM

3.3V低功耗256千×16位

动态RAM与自刷新

HYB 314171BJ -50 / -60 / -70

HYB 314171BJL -50 / -60 / -70

初步信息

262 144字×16位的组织

0到70

°C

工作温度

快速访问和周期时间

RAS访问时间：

50纳秒（ -50版）

60纳秒（ -60版）

70纳秒（ -70版）

CAS访问时间：

15ns的（ -50 ， -60版）

20纳秒（ -70版）

周期时间：

95纳秒（ -50版）

110纳秒（ -60版）

130纳秒（ -70版）

快速页模式周期时间

35纳秒（ -50版）

40纳秒（ -60版）

45纳秒（ -70版）

单+ 3.3V（ ± 0.3 V）电源供电，内置一个

在VBB发生器

低功耗

最大。 450毫瓦活跃（ -50版）

最大。 378毫瓦活跃（ -60版）

最大。 306毫瓦活跃（ -70版）

待机功耗

7.2 mW的待机（ TTL ）

3.6毫瓦最大。待机（CMOS）

0.72毫瓦最大。待机（CMOS）为

低功耗版本

输出虚掩在周期结束时允许两

维片选

读，写，读 - 修改 - 写磁带式

前- RAS刷新， RAS只刷新，

隐藏的刷新和快速页面模式

能力

2 CAS / 1 WE控制

自刷新（L-版本）

所有输入和输出TTL兼容

512刷新周期/ 16毫秒

512刷新周期/ 128毫秒

只有低功率版

塑料包装：

P- SOJ - 40-1 400mil宽度

该HYB 314171BJ / BJL是由16位组织为262 144字的4兆位动态RAM 。该

HYB 314171BJ / BJL采用CMOS硅栅工艺以及先进的电路技术

提供广泛的操作空间，在内部和系统用户。复用地址输入

允许HYB 314171BJ / BJL被装在一个标准的塑料400mil宽的P- SOJ - 40-1封装。

该封装尺寸提供高系统位密度，并与常用的兼容

自动检测和插入设备。面向系统的功能包括自刷新（L-

版） ，单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源，直接连接的高性能逻辑

器件系列。

半导体集团

1

7.96

HYB 314171BJ / BJL - 50 / -60 / -70

3.3V 256千×16 -DRAM

订购信息

TYPE

HYB 314171BJ -50

HYB 314171BJ -60

HYB 314171BJ -70

HYB 314171BJL -50

HYB 314171BJL -60

HYB 314171BJL -70

真值表

RAS

H

L

L

L

L

L

L

L

L

LCAS

H

H

L

H

L

L

H

L

L

UCAS

H

H

H

L

L

H

L

L

L

WE

H

H

H

H

H

L

L

L

H

OE

H

H

L

L

L

H

H

H

H

I/O1-I/O8

高-Z

高-Z

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

不关心

DIN

高-Z

I/O9-I/O16

高-Z

高-Z

高-Z

DOUT

DOUT

不关心

DIN

DIN

高-Z

手术

待机

刷新

低字节读

高字节读

字读

低字节写入

高字节写

字写

订购代码

根据要求

根据要求

根据要求

根据要求

根据要求

根据要求

包

P-SOJ-40-1

P-SOJ-40-1

P-SOJ-40-1

P-SOJ-40-1

P-SOJ-40-1

P-SOJ-40-1

描述

3.3V 50ns的256千×16 DRAM

3.3V 60 ns的256千×16 DRAM

3.3V 70 ns的256千×16 DRAM

3.3V 50ns的256千×16 DRAM

3.3V 60 ns的256千×16 DRAM

3.3V 70 ns的256千×16 DRAM

引脚名称

A0-A8

RAS

UCAS ， LCAS

WE

OE

I / O1 - I / O16

地址输入

行地址选通

列地址选通

读/写输入

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

电源（ + 3.3V）

接地（ 0 V ）

无连接

V

CC

V

SS

北卡罗来纳州

半导体集团

2

HYB 314171BJ / BJL - 50 / -60 / -70

3.3V 256千×16 -DRAM

引脚配置

（ TOP VIEW ）

P-SOJ-40-1

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3

HYB 314171BJ / BJL - 50 / -60 / -70

3.3V 256千×16 -DRAM

框图

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4

HYB 314171BJ / BJL - 50 / -60 / -70

3.3V 256千×16 -DRAM

绝对最大额定值

工作温度范围............................................... ......................................... 0至+ 70

°C

存储温度范围............................................... ...................................... - 55 + 150

°C

输入/输出电压.............................................. ...................................... - 1 （

V

CC

+ 0.5, 4.6) V

电源voltage.................................................................................................. - 1到+ 4.6 V

数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安

注意：

超出上述上市

“绝对

最大额定值“，可能会造成永久性

该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间

可能会影响器件的可靠性。

DC特性

T

A

= 0至70

°C;

V

SS

= 0 V;

V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V,

t

T

= 5纳秒

参数

输入高电压

输入低电压

LVTTL输出高电压（

I

OUT

= - 2.0 mA）的

LVTTL输出低电压（

I

OUT

= 2 mA）的

LVCMOS输出高电压（

I

OUT

= – 100

A)

LVCMOS输出低电压（

I

OUT

= 100

A)

输入漏电流，任何输入

（ 0 V＆ LT ;

V

IN

＆ LT ;

V

CC

+ 0.3 V ，其他所有输入= 0 V）

输出漏电流

（ DO被禁用， 0 V <

V

OUT

＆ LT ;

V

CC

+ 0.3 V )

平均

V

CC

电源电流：

-50版

-60版

-70版

符号

限值

分钟。

马克斯。

2.0

– 1.0

2.4

–

2.4

–

– 10

– 10

–

单位注

V

V

V

V

V

V

A

A

mA

1

1

1

1

1

1

1

1

2, 3, 4

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

V

OH

V

OL

I

I（L）

I

O（ L）

I

CC1

V

CC

+ 0.5

0.8

–

0.4

–

0.4

10

10

125

105

85

2

待机

V

CC

电源电流

（ RAS = LCAS = UCAS = WE =

V

IH

)

平均

V

CC

在电源电流

RAS-只刷新周期：

-50版

-60版

-70版

I

CC2

–

–

mA

2, 4

I

CC3

125

105

85

mA

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