4M ×1位动态随机存储器
低功耗4M ×1位动态随机存储器
HYB 314100BJ / BJL -50 / -60 / -70
先进的信息
4 194 304字1位组织
0 70 ° C的工作温度
快速页模式操作
性能：
-50
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
95
35
单+ 3.3V（ ± 0.3 V）电源供电，内置
V
bb
发电机
低功耗
最大。 252毫瓦活跃（ -50版）
最大。 216毫瓦活跃（ -60版）
最大。 198毫瓦活跃（ -70版）
待机功耗：
7.2毫瓦最大。待机（ TTL）的
3.6毫瓦最大。待机（CMOS）
720
W
最大。待机（ CMOS）的低功耗版本
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，
隐藏刷新和测试模式能力
所有输入和输出TTL兼容
1024刷新周期/ 16毫秒
1024刷新周期/ 128毫秒的低功耗版本
塑料封装： P- SOJ - 26 / 20-5与300万宽
半导体集团
1
4.96
HYB 314100BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 4M ×1的DRAM
该HYB 314100BJ / BJL是新一代动态RAM被划分为4 194 304字了
1位。该HYB 314100BJ / BJL采用CMOS硅栅工艺以及先进的电路
技术提供广阔的操作空间，在内部和系统用户。复
地址输入允许HYB 514100BJ / BJL在一个标准的塑料包装的P- SOJ -二十分之二十六
封装。该封装尺寸提供高系统位密度，并与常用的兼容
使用自动测试和插入设备。体系化的特征包括单+ 3.3 V
（ ± 0.3 V ）电源，直接连接的高性能逻辑器件系列。
订购信息
TYPE
HYB 314100BJ -50
HYB 314100BJ -60
HYB 314100BJ -70
HYB 314100BJL -50
HYB 314100BJL -60
HYB 314100BJL -70
订购代码
Q67100-Q2035
Q67100-Q2037
Q67100-Q2039
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
P-SOJ-26/20-5
说明
3.3 V DRAM
（存取时间为50ns ）
3.3 V DRAM
（访问时间60 ns ）
3.3 V DRAM
（访问时间70 ns ）
3.3 V低功耗DRAM
（存取时间为50ns ）
3.3 V低功耗DRAM
（访问时间60 ns ）
3.3 V低功耗DRAM
（访问时间70 ns ）
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2
HYB 314100BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 4M ×1的DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
P-SOJ-26/20-5
引脚名称
A0-A10
RAS
CAS
WE
DI
DO
地址输入
行地址选通
列地址选通
读/写输入
DATA IN
数据输出
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
无连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
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3
HYB 314100BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 4M ×1的DRAM
框图
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HYB 314100BJ / BJL - 50 / -60 / -70
3.3V 4M ×1的DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................. 0 70℃
存储温度范围............................................... .......................................- 55 + 150℃
输入/输出电压.............................................. ............................. - 1 +分钟（
V
CC
+ 0.5, 4.6) V
电源电压............................................... .................................................. - 1到+ 4.6 V
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V ,
t
T
= 5纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
TTL输出高电压（
I
OUT
= - 2 mA）的
TTL输出低电压（
I
OUT
= 2 mA）的
CMOS输出高电压（
I
OUT
= – 100
A)
CMOS输出低电压（
I
OUT -
100
A
)
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
in
＆ LT ;
V
CC
+ 0.3 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
)
平均
V
CC
电源电流
-50版
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = = WE =
V
IH
)
平均
V
CC
在RAS -只有电源电流
刷新周期
-50版
-60版
-70版
平均
V
CC
在快速页面电源电流
模式操作
-50版
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = = WE =
V
CC
– 0.2 V)
符号
限值
分钟。
马克斯。
0.8
–
0.4
0.2
10
10
2.0
– 1.0
2.4
–
–
– 10
– 10
单元测试
条件
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
– 0.2 –
1)
1)
2) 3)4)
_
–
–
70
60
55
2
mA
mA
–
2)4)
I
CC2
I
CC3
–
_
–
–
70
60
55
mA
2) 3)4)
I
CC4
–
–
50
45
40
1
200
I
CC5
–
mA
A
1)
L-版
半导体集团
5
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