4M
×
4位动态随机存储器
2K & 4K刷新
（快页模式）
先进的信息
4 194 304字由4位组织
= 0至70
°C
工作温度
快速页模式操作
性能：
-50
-60
60
15
30
40
ns
ns
ns
ns
HYB 5116400BJ -50 / -60
HYB 5117400BJ -50 / -60
HYB 3116400BJ / BT - 50 / -60
HYB 3117400BJ -50 / -60
t
RAC
RAS访问时间
t
CAC
CAS访问时间
t
AA
t
RC
t
PC
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
84
35
104纳秒
功耗，刷新&地址：
HYB 5116400
-50
电源
地址
刷新
活跃
TTL待机
CMOS待机
275
11
5.5
-60
5 V
±
10%
12/10
220
HYB 3116400
-50
-60
3.3 V
±
0.3 V
12/10
180
7.2
3.6
144
HYB 5117400
-50
-60
5 V
±
10%
11/11
440
11
5.5
385
HYB 3117400
-50
-60
3.3 V
±
0.3 V
11/11
288
7.2
3.6
252
mW
mW
mW
4096周期/ 64毫秒
2048次/ 32毫秒
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患
和测试模式
所有输入，输出及钟表充分TTL （ 5 V版本）和LV- TTL （3.3V版本）兼容
塑料包装： P- SOJ - 26 / 24-1
300 MIL
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
半导体集团
1
1998-10-01
HYB 5116 （7） 400BJ -50 / -60
HYB 3116 （7） 400BJ / BT-50 / -60
4M
×
4 DRAM
该HYB 5 （ 3 ） 116 （ 7 ） 400顷16兆位基于芯片的版本“ G” & “F”和有组织的动态RAM
为4 194 304字由4位。该HYB 5（3） 116 （7） 400BJ / BT利用亚微米CMOS硅
栅工艺技术，以及先进的电路技术，提供广泛的经营利润，
在内部和系统用户。复用地址输入允许HYB 5 （ 3 ） 116 （ 7 ） 400
被封装在一个标准SOJ -26/ 24和TSOPII -二十四分之二十六塑料封装用300密耳的宽度。
这些软件包提供系统的高密度位，并与常用的兼容
自动检测和插入设备。
订购信息
TYPE
2K刷新版本
HYB 5117400BJ -50
HYB 5117400BJ -60
HYB 3117400BJ -50
HYB 3117400BJ -60
4K刷新版本
HYB 5116400BJ -50
HYB 5116400BJ -60
HYB 3116400BJ -50
HYB 3116400BJ -60
HYB 3116400BT -50
HYB 3116400BT -60
Q67100-Q1049
Q67100-Q1050
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
5 V 50纳秒FPM -DRAM
5 V 60纳秒FPM -DRAM
3.3 V 50 ns的FPM -DRAM
3.3 V 60 ns的FPM -DRAM
3.3 V 50 ns的FPM -DRAM
3.3 V 60 ns的FPM -DRAM
Q67100-Q1086
Q67100-Q1087
根据要求
根据要求
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
5 V 50纳秒FPM -DRAM
5 V 60纳秒FPM -DRAM
3.3 V 50 ns的FPM -DRAM
3.3 V 60 ns的FPM -DRAM
订购代码
包
说明
半导体集团
2
1998-10-01
HYB 5116 （7） 400BJ -50 / -60
HYB 3116 （7） 400BJ / BT-50 / -60
4M
×
4 DRAM
引脚名称
HYB 5（3） 116400
4k-Refresh
行地址输入
列地址输入
行地址选通
列地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
读/写输入
电源
接地（ 0 V ）
没有连接
引脚配置
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
–
A0 - A11
A0 - A9
HYB 5（3） 117400
2k-Refresh
A0 - A10
A0 - A10
RAS
CAS
OE
I / O1 - I / O4
WE
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
V
CC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11 /北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
SPP03454
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
半导体集团
3
1998-10-01
HYB 5116 （7） 400BJ -50 / -60
HYB 3116 （7） 400BJ / BT-50 / -60
4M
×
4 DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
DATA IN
卜FF器
WE
CAS
4
NO.2时钟
发电机
＆放大器;
数据输出
卜FF器
OE
4
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
COLUMN
地址
缓冲器（ 10 ）
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
12
ROW
地址
缓冲器（ 12 ）
12
ROW
解码器
4096
1024
x4
存储阵列
4096 x 1024 x 4
RAS
NO.1时钟
发电机
电压降低
发电机
SPB03455
V
CC
V
CC
（内部）
框图HYB 5 （ 3 ） 116400 （ 4K刷新）
半导体集团
4
1998-10-01
HYB 5116 （7） 400BJ -50 / -60
HYB 3116 （7） 400BJ / BT-50 / -60
4M
×
4 DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
DATA IN
卜FF器
WE
CAS
＆放大器;
4
数据输出
卜FF器
4
OE
NO.2时钟
发电机
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
缓冲器（ 11 ）
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
2048
x4
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
地址
缓冲器（ 11 ）
11
ROW
解码器
.
.
.
2048
.
.
.
存储阵列
2048 x 2048 x 4
.
.
.
.
.
.
RAS
NO.1时钟
发电机
电压降低
发电机
V
CC
V
CC
（内部）
SPB02823
框图HYB 5 （ 3 ） 117400 （ 2K刷新）
半导体集团
5
1998-10-01
3.3V 4M ×4位动态RAM
HYB3116400BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
HYB3117400BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
先进的信息
4 194 304字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
性能：
-50
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）供电
低功耗
最大。 396主动毫瓦（ HYB3117400BJ / BT- 50 ）
最大。 363主动毫瓦（ HYB3117400BJ / BT- 60 ）
最大。 330主动毫瓦（ HYB3117400BJ / BT- 70 ）
最大。 360主动毫瓦（ HYB3116400BJ / BT- 50 ）
最大。 324主动毫瓦（ HYB3116400BJ / BT- 60 ）
最大。 288主动毫瓦（ HYB3116400BJ / BT- 70 ）
7.2 mW的待机（ LV- TTL ）
3.6 mW的待机（ LV- CMOS ）
720
W
待机对L-版本
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
快页模式功能
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
2048刷新周期/ 32毫秒HYB3117400
4096刷新周期/ 64毫秒HYB3116400
塑料包装：
P- SOJ - 26 / 24-1 （ 300万）
P- TSOPII - 26 / 24-1 （ 300MIL ）
半导体集团
1
1.96
HYB 3116 （ 7 ） 400BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
该HYB 3116 （ 7 ） 400BJ / BT是组织为4194304字由4位的16Mbit的动态RAM 。该
HYB 3116 （7） 400BJ / BT利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用的地址输入允许HYB 3116 （7） 400BJ / BT在标准包装
SOJ 26/24 300万或TSOPII -二十四分之二十六300万广塑包。这些软件包提供高
系统位的密度，并与通常使用的自动检测和插入兼容
设备。面向系统的功能包括单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）供电，直
与高性能逻辑器件families.The HYB3116400BTL份接口具有非常低的
通过自刷新支持功率“睡眠模式” 。
订购信息
TYPE
HYB 3117400BJ -50
HYB 3117400BJ -60
HYB 3117400BJ -70
HYB 3117400BT -50
HYB 3117400BT -60
HYB 3117400BT -70
HYB 3116400BJ -50
HYB 3116400BJ -60
HYB 3116400BJ -70
HYB 3116400BT -50
HYB 3116400BT -60
HYB 3116400BT -70
HYB 3116400BTL -50
HYB 3116400BTL -60
HYB 3116400BTL -70
订购代码
包
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
LP- DRAM（存取时间为50ns ）
LP- DRAM（存取时间为60ns ）
LP- DRAM（访问时间70 ns ）
半导体集团
2
HYB 3116 （ 7 ） 400BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
HYB3117400BJ/BT
HYB3116400BJ/BT
P-SOJ-26/24-1
(300mil)
P- TSOPII - 26 / 24-1 （ 300MIL ）
引脚配置
引脚名称
A0到A10
A0到A11
A0到A9
RAS
OE
I / O1 -I / O4
CAS
WE
行&地址栏输入的HYB3117400
行地址输入HYB3116400
列地址输入HYB3116400
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
没有连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
3
HYB 3116 （ 7 ） 400BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
Buffer(11)
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
2048
x4
地址
Buffers(11)
11
解码器
2048
ROW
存储阵列
2048x2048x4
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB3117400
半导体集团
4
HYB 3116 （ 7 ） 400BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
ROW
1024
x4
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
ROW
存储阵列
4096x1024x4
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB3116400
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
