3.3V 4M ×4位EDO- RAM动态
HYB3116405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
HYB3117405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
先进的信息
4 194 304字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
性能
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
84
20
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）供电
低功耗
最大。 396主动毫瓦（ HYB3117405BJ / BT- 50 ）
最大。 363主动毫瓦（ HYB3117405BJ / BT- 60 ）
最大。 330主动毫瓦（ HYB3117405BJ / BT- 70 ）
最大。 360主动毫瓦（ HYB3116405BJ / BT- 50 ）
最大。 324主动毫瓦（ HYB3116405BJ / BT- 60 ）
最大。 288主动毫瓦（ HYB3116405BJ / BT- 70 ）
7.2 mW的待机（ LV- TTL ）
3.6 mW的待机（ LV- CMOS ）
720
W
待机对L-版本
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
超页模式（ EDO ）的能力
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
2048刷新周期/ 32毫秒HYB3117405
4096刷新周期/ 64毫秒HYB3116405
塑料包装：
P- SOJ - 26 / 24-1 （ 300万）
P- TSOPII - 26 / 24-1 （ 300MIL ）
半导体集团
1
3.96
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
该HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L）是组织为4194304字由4位的16Mbit的动态RAM 。
该HYB 3116 （7） 405BJ / BT （L）的利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用的地址输入允许HYB 3116 （7） 405BJ / BT （L）与在标准的包装
SOJ 26/24 300万或TSOPII -二十四分之二十六300万广塑包。这些软件包提供高
系统位的密度，并与通常使用的自动检测和插入兼容
设备。面向系统的功能包括单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）供电，直
与高性能逻辑器件families.The HYB3116405BTL份接口具有非常低的
通过自刷新支持功率“睡眠模式” 。
订购信息
TYPE
HYB 3117405BJ -50
HYB 3117405BJ -60
HYB 3117405BJ -70
HYB 3117405BT -50
HYB 3117405BT -60
HYB 3117405BT -70
HYB 3116405BJ -50
HYB 3116405BJ -60
HYB 3116405BJ -70
HYB 3116405BT -50
HYB 3116405BT -60
HYB 3116405BT -70
HYB 3116405BTL -50
HYB 3116405BTL -60
HYB 3116405BTL -70
Q67100-Q1143
Q67100-Q1144
Q67100-Q1186
根据要求
根据要求
根据要求
Q67100-Q1135
Q67100-Q1136
Q67100-Q1184
Q67100-Q1127
Q67100-Q1128
订购代码
Q67100-Q1119
Q67100-Q1120
包
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
LP- DRAM（存取时间为50ns ）
LP- DRAM（存取时间为60ns ）
LP- DRAM（访问时间70 ns ）
半导体集团
2
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
HYB3117405BJ/BT
HYB3116405BJ/BT
P-SOJ-26/24-1
(300mil)
P- TSOPII - 26 / 24-1 （ 300MIL ）
引脚配置
引脚名称
A0到A10
A0到A11
A0到A9
RAS
OE
I / O1 -I / O4
CAS
WE
行&地址栏输入的HYB3117405
行地址输入HYB3116405
列地址输入HYB3116405
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
没有连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
3
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
Buffer(11)
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
2048
x4
地址
Buffers(11)
11
解码器
2048
ROW
存储阵列
2048x2048x4
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB3117405
半导体集团
4
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
ROW
1024
x4
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
ROW
存储阵列
4096x1024x4
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB3116405
半导体集团
5
4M
×
4位动态随机存储器
2K & 4K刷新
（超页模式 - EDO ）
先进的信息
4 194 304字由4位组织
= 0至70
°C
工作温度
超页模式 - EDO - 操作
性能：
-50
HYB 5116405BJ -50 / -60
HYB 5117405BJ -50 / -60
HYB 3116405BJ / BT （ L） -50 / -60
HYB 3117405BJ / BT - 50 / -60
-60
60
15
30
25
ns
ns
ns
ns
t
RAC
RAS访问时间
t
CAC
CAS访问时间
t
AA
t
RC
从地址访问时间
读/写周期时间
50
13
25
84
20
104纳秒
t
HPC
超页模式（ EDO ）周期时间
功耗，刷新&地址：
HYB 5116405 HYB 3116405 HYB 5117405 HYB 3117405
-50
电源
地址
刷新
L-版
活跃
TTL待机
CMOS待机
CMOS待机
（L-版本）
275
11
5.5
–
-60
-50
-60
-50
-60
-50
-60
5 V
±
10%
12/10
3.3 V
±
0.3 V
12/10
5 V
±
10%
11/11
–
440
11
5.5
–
385
288
7.2
3.6
–
252
mW
mW
mW
mW
3.3 V
±
0.3 V
11/11
4096 cylces / 64毫秒
4096次/ 128毫秒
220
180
7.2
3.6
0.72
144
2048次/ 32毫秒
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
测试模式和自刷新（在L-版本）
所有输入，输出及钟表充分TTL （ 5 V版本）和LV- TTL （3.3V版本）兼容
塑料包装：
P-SOJ-26/24-1
300 MIL
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
半导体集团
1
1998-10-01
HYB 5116 （7） 405BJ -50 / -60
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60
4M
×
4 EDO -DRAM
该HYB 5 （ 3 ） 116 （ 7 ）405 16兆位基于芯片的版本“ G” & “F”和有组织的动态RAM
为4 194 304字由4位。该HYB 5（3） 116 （7） 405BJ / BT （L）的利用亚微米CMOS硅
栅工艺技术，以及先进的电路技术，提供广泛的经营利润，
在内部和系统用户。复用地址输入允许HYB 5 （ 3 ） 116 （ 7 ） 405
被封装在一个标准SOJ -26/ 24和TSOPII -二十四分之二十六塑料封装用300密耳的宽度。
这些软件包提供系统的高密度位，并与常用的兼容
自动检测和插入设备。该HYB 3116 （ 7 ） 405BTL有一个非常低功率“睡眠
模式“，通过自我刷新的支持。
订购信息
TYPE
2K刷新版本：
HYB 5117405BJ -50
HYB 5117405BJ -60
HYB 3117405BJ -50
HYB 3117405BJ -60
HYB 3117405BT -50
HYB 3117405BT -60
4K刷新版本：
HYB 5116405BJ -50
HYB 5116405BJ -60
HYB 3116405BJ -50
HYB 3116405BJ -60
HYB 3116405BT -50
HYB 3116405BT -60
Q67100 - Q1098 P- SOJ - 26 / 24-1 300万
Q67100 - Q1099 P- SOJ - 26 / 24-1 300万
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
5 V 50 ns的EDO -DRAM
5 V 60 ns的EDO -DRAM
3.3 V 50 ns的EDO -DRAM
3.3 V 60 ns的EDO -DRAM
Q67100 - Q1101 P- SOJ - 26 / 24-1 300万
Q67100 - Q1102 P- SOJ - 26 / 24-1 300万
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
5 V 50 ns的EDO -DRAM
5 V 60 ns的EDO -DRAM
3.3 V 50 ns的EDO -DRAM
3.3 V 60 ns的EDO -DRAM
订购代码封装
说明
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万3.3 V 50 ns的EDO -DRAM
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万3.3 V 60 ns的EDO -DRAM
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万3.3 V 50 ns的EDO -DRAM
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万3.3 V 60 ns的EDO -DRAM
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万3.3 V 50 ns的LP- EDO -DRAM
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万3.3 V 60 ns的LP- EDO -DRAM
根据要求HYB 3116405BTL -50
根据要求HYB 3116405BTL -60
半导体集团
2
1998-10-01
HYB 5116 （7） 405BJ -50 / -60
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60
4M
×
4 EDO -DRAM
引脚名称
HYB 5（3） 16405
4k-Refresh
行地址输入
列地址输入
行地址选通
列地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
读/写输入
电源
接地（ 0 V ）
没有连接
–
A0 - A11
A0 - A9
HYB 5（3） 17405
2k-Refresh
A0 - A10
A0 - A10
RAS
CAS
OE
I / O1 - I / O4
WE
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
V
CC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11 /北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
SPP03454
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚配置
（ TOP VIEW ）
半导体集团
3
1998-10-01
HYB 5116 （7） 405BJ -50 / -60
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60
4M
×
4 EDO -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
DATA IN
卜FF器
WE
CAS
4
NO.2时钟
发电机
＆放大器;
数据输出
卜FF器
OE
4
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
COLUMN
地址
缓冲器（ 10 ）
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
12
ROW
地址
缓冲器（ 12 ）
12
ROW
解码器
4096
1024
x4
存储阵列
4096 x 1024 x 4
RAS
NO.1时钟
发电机
电压降低
发电机
SPB03455
V
CC
V
CC
（内部）
框图HYB 5 （ 3 ） 116405 （ 4K刷新）
半导体集团
4
1998-10-01
HYB 5116 （7） 405BJ -50 / -60
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60
4M
×
4 EDO -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
DATA IN
卜FF器
WE
CAS
＆放大器;
4
数据输出
卜FF器
4
OE
NO.2时钟
发电机
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
缓冲器（ 11 ）
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
2048
x4
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
地址
缓冲器（ 11 ）
11
ROW
解码器
.
.
.
2048
.
.
.
存储阵列
2048 x 2048 x 4
.
.
.
.
.
.
RAS
NO.1时钟
发电机
电压降低
发电机
V
CC
V
CC
（内部）
SPB02823
框图HYB 5 （ 3 ） 117405 （ 2K刷新）
半导体集团
5
1998-10-01
QQ：2880707522 复制
