1M ×16位动态RAM
（ 1K & 4K -refresh ）
HYB3116160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
HYB3118160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
先进的信息
1 048 576字×16位的组织
0 70 ° C的工作温度
性能：
-50
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源
低功耗
最大。 720主动毫瓦（ HYB3118160BSJ / BST- 50 ）
最大。 648主动毫瓦（ HYB3118160BSJ / BST- 60 ）
最大。 576主动毫瓦（ HYB3118160BSJ / BST- 70 ）
最大。 360主动毫瓦（ HYB3116160BSJ / BST- 50 ）
最大。 324主动毫瓦（ HYB3116160BSJ / BST- 60 ）
最大。 288主动毫瓦（ HYB3116160BSJ / BST- 70 ）
7.2 mW的待机（ LV- TTL ）
3.6 mW的待机（ LV- CMOS ）
720
W
待机对L-版本
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新
快页模式功能
2 CAS / 1 WE
所有的输入，输出和时钟完全LV- TTL兼容
1024刷新周期/ 16毫秒HYB 3118160BSJ
4096刷新周期/ 64毫秒HYB 3116160BSJ
塑料包装：
P- SOJ - 42-1 400万
P- TSOPII - 50 / 44-1 400mil
半导体集团
1
1.96
HYB3116(8)160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
3.3V 1M ×16 -DRAM
该HYB 3116 （ 8 ） 160BSJ / BST是由16位组织为1 048 576字的16兆位动态RAM 。
该HYB 3116 （8） 160BSJ / BST利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用地址输入允许HYB 3116 （ 8 ） 160BSJ / BST在标准包装
SOJ - 42和TSOPII -四十四分之五十零塑料封装400mil宽度。这些软件包提供高系统
位的密度，并与通常使用的自动检测和插入设备兼容。
面向系统的功能包括单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）供电，直接连接带有高
高性能逻辑器件families.The HYB3116160BSTL部分有一个非常低功率“睡眠
模式“，通过自刷新suppported 。
订购信息
TYPE
HYB 3116160BSJ -50
HYB 3116160BSJ -60
HYB 3116160BSJ -70
HYB 3118160BSJ -50
HYB 3118160BSJ -60
HYB 3118160BSJ -70
HYB 3116160BST -50
HYB 3116160BST -60
HYB 3116160BST -70
HYB 3118160BST -50
HYB 3118160BST -60
HYB 3118160BST -70
订购代码
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
包
P- SOJ - 42 400万
P- SOJ - 42 400万
P- SOJ - 42 400万
P- SOJ - 42 400万
P- SOJ - 42 400万
P- SOJ - 42 400万
P- TSOPII - 44分之50 400万
P- TSOPII - 44分之50 400万
P- TSOPII - 44分之50 400万
P- TSOPII - 44分之50 400万
P- TSOPII - 44分之50 400万
P- TSOPII - 44分之50 400万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
引脚名称
A0到A9
A0到A9
A0到A11
A0到A7
RAS
OE
I/O1-I/O16
UCAS
LCAS
WE
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
行地址输入为1K刷新版本HYB3118160BSJ / BST
栏位访问者地址输入为1K刷新版本HYB3118160BSJ / BST
行地址输入为4K刷新版本HYB3116160BSJ / BST
列地址输入为4K刷新版本HYB3116160BSJ / BST
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
上部列地址选通
下列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
没有连接
半导体集团
2
HYB3116(8)160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
3.3V 1M ×16 -DRAM
P- SOJ - 42 （ 400万）
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
RAS
A11/NC
A10/NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VSS
I/O1
I/O16
I/O2
I/O3
I/O15
I/O4
I/O14
VCC
I/O13
I/O5
VSS
I/O6
I/O12
I/O7
I/O11
I/O8
I/O10
北卡罗来纳州
I/O9
北卡罗来纳州
LCAS
北卡罗来纳州
UCAS
北卡罗来纳州
OE
WE
A9
RAS
A11/N.C.
A8
A10.N.C.
A7
A0
A6
A1
A5
A2
A4
A3
VSS
VCC
VCC
P- TSOPII -50/ 44（ 400mil ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
北卡罗来纳州
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
北卡罗来纳州
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
* ） A11和A10没有连接的HYB3118160BSJ / BST （ 1K -更新版）
真值表
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
LCAS
H
H
L
H
L
L
H
L
L
UCAS
H
H
H
L
L
H
L
L
L
WE
H
H
H
H
H
L
L
L
H
OE
H
H
L
L
L
H
H
H
H
I/O1-I/O8
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
不关心
DIN
高-Z
3
I/O9-I/O16
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
不关心
DIN
DIN
高-Z
手术
待机
刷新
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
NOP
半导体集团
HYB3116(8)160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
3.3V 1M ×16 -DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O16
WE
UCAS
LCAS
.
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
16
数据输出
卜FF器
16
OE
8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(8)
8
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
16
刷新
计数器（12）的
12
ROW
256
x16
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
ROW
存储阵列
4096x256x16
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB 3116160BSJ
半导体集团
4
HYB3116(8)160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
3.3V 1M ×16 -DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O16
WE
UCAS
LCAS
.
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
16
数据输出
卜FF器
16
OE
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
16
刷新
计数器（10）的
10
ROW
10
1024
x16
地址
Buffers(10)
10
解码器
1024
ROW
存储阵列
1024x1024x16
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB 3118160BSJ
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
