数据手册， V1.1 ， 2003年4月

HYB25L256160AC

256兆位移动-RAM

2.5V

V

D D

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

HYB25L256160AC

修订历史：

以前的版本：

页面

所有

第13F

第15页

第18页

第19页

第20页

第20页

页面20FF

第22页

第23F

2003-04-16

2001-11-23

V1.1

V1.0

科目（自上次版本的重大变化）

采用新的数据表模板DIN- A4

温度补偿自刷新，带有片上温度传感器

表操作定义扩展两行“暂停时钟输入”和“时钟暂停

出口“ ;注5继承者“当此命令是在一个突发周期断言设备......”

“自刷新”说明改善

“简化的状态图补充说：”

宽松的绝对最大额定值（的+ 0.5 / -0.7 V ，而不是± 0.3 V相对于

V

DD

/

V

SS

)

注4 ：轻松过压/ underswing增量为2.0 V

DELETED

V

DD

和

V

DDQ

上述范围内的表和部分的说明，改为“ （推荐

工作条件，除非另有说明） “

PC133由-7.5替换

表中的工作电流更新，从符号改变

I

CC

to

I

DD

，值类型“最大”补充说，

I

DD6

名为“自刷新电流” ，

I

DD1

描述（ “单一的银行存取周期” ）更新

t

CK

通过注3或定义设置为无穷大;注4 ： “假定”改为“拿来主义”

修订后的时序图SPT03919-4

TFBGA封装外形转移到年底，增加了“宽容

±0.1mm

长度和宽度“

第41页

第54页

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版2003-04-16

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英飞凌科技的批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的

生命支持设备或系统中，或发生故障而影响该设备或系统的安全性或有效性。生活

支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或支持和/或保持和

维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其它的健康

人可能受到威胁。

HYB25L256160AC

256兆位移动-RAM

目录

1

1.1

1.2

2

3

3.1

3.2

3.2.1

3.2.2

3.2.3

3.2.4

3.3

3.3.1

3.3.2

3.4

3.5

4

4.1

4.2

4.3

5

6

页面

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4

引脚配置

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

功能说明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

突发类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

读取延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

扩展模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

部分阵列自刷新。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

温度补偿自刷新，带有片上温度传感器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

简化的状态图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

电气特性

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工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

时序特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

目前的规范。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

10

10

10

11

12

12

12

13

13

13

15

19

20

20

21

23

时序图

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

包装外形

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

数据表

3

V1.1, 2003-04-16

256兆位移动-RAM

移动RAM

HYB25L256160AC

1

1.1

概观

特点

16兆位

×

16组织

完全同步的时钟上升沿

四大银行内部的并发操作

数据掩码（DM ），用于控制字节与写入和读出的数据

可编程CAS延时： 2或3

可编程的突发长度： 1，2， 4，8，或整页

可编程的缠绕顺序：顺序或交织

随机的列地址每个时钟周期（1-N-规则）

深度掉电模式

扩展模式寄存器移动-RAM功能

温度补偿自刷新与片上温度传感器

部分阵列自刷新

掉电和时钟挂起模式

自动和控制预充电命令

自动刷新模式（ CBR ）

8192刷新周期/ 64毫秒

自刷新与PROGRAMMBLE刷新周期

在自刷新由局部阵列激活可编程功耗降低功能

V

DDQ

= 1.8V或2.5V的

V

DD

= 2.5 V

P- TFBGA -54包装9 ×6 -球排列用3过稀的行（12毫米x 8毫米

2

)

工作温度范围：商用（ 0 ° C至70 ° C）

性能

1)

–7.5

@CL3

@CL3

@CL3

@CL2

@CL2

–8

125

8.0

6.0

9.5

6.0

单位

兆赫

ns

ns

ns

ns

表1

产品型号代码的运行速度

马克斯。时钟频率

分钟。时钟周期

分钟。从时钟存取时间

分钟。时钟周期

分钟。从时钟存取时间

f

CK3

t

CK3

t

AC3

t

CK2

t

AC2

133

7.5

6.0

9.5

6.0

1）为VDDQ = 2.5伏;看

表10

为VDDQ相关性能

1.2

描述

在256兆位移动-RAM是新一代低功率的， 4银行同步DRAM组织为

4银行×4兆位×16与移动应用的附加功能。同步移动-RAM中实现

通过使用一个芯片的架构，预取多个位，然后进行同步高速数据传输速率

的数据输出到系统时钟。

该装置增加了新的功能，支持同步DRAM产品树立了行业标准。存储器的部件

阵列可以被选择用于自刷新，并且在刷新周期自刷新是可编程的，以4个步骤

这样可大大减少自刷新电流，根据在所述部件的情况下，温度

系统应用。另外一种“深度掉电模式”可用。操作四个存储体中

数据表

4

V1.1, 2003-04-16

HYB25L256160AC

256兆位移动-RAM

概观

交错的方式允许在较高的速度随机存取操作。一个顺序和无缝数据速率

可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。

移动-RAM被装在一个FBGA “芯片尺寸”套餐。移动-RAM可在商用（0°C

至70℃ ）的温度范围内。

表2

订购信息

功能码

PC133–333–522

PC100–222–620

外壳温度范围

商用（ 0 ° C至70 ° C）

包

P-TFBGA-54

产品型号

1)

HYB25L256160AC–7.5

HYB25L256160AC–8

1 ） HYB / E ：代号为商业/扩展级温度范围内存组件

25L:

移动RAM

at

V

DD

= 2.5 V

256 ： 256兆位密度

160 ：产品差异X16

答：模具修订版A

C：包装类型FBGA

–

7.5 / 8 ：速度等级 - 见

表1

数据表

5

V1.1, 2003-04-16