互联网数据表
HYB25DC512[80/16]0B[E/F]
双倍数据速率SDRAM
HYB25DC512800B [E / F] ， HYB25DC512160B [E / F]
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HYB25DC512[80/16]0B[E/F]
双倍数据速率SDRAM
1
1.1
概观
特点
本章列出的产品系列HYB25DC512 [十六分之八十] 0B [E / F]和订购信息的所有主要功能。
双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输
双向数据选通（ DQS）进行传输和接收的数据，在接收机处捕获数据中使用
DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐进行写入数据
差分时钟输入（ CK和CK ）
四大银行内部的并发操作
数据掩码（DM）写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换
命令中输入的每个正CK边缘;数据和数据屏蔽参照DQS的两个边缘
突发长度：2， 4或8个
CAS延迟： 1.5 （ DDR200只） ， 2 ， 2.5 ， 3
自动预充电选项为每个突发访问
自动刷新和自刷新模式
RAS-锁定支持
t
RAP
=
t
RCD
7.8
s
最大平均周期刷新间隔
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V （ DDR200 ， DDR266 ， DDR333 ） ;
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V（ DDR400B ）
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V （ DDR200 ， DDR266 ， DDR333 ） ;
V
DD
= 2.6 V
±
0.1 V（ DDR400B ）
标准温度范围（ 0
°C
- +70
°C)
PG- TSOPII - 66和PG- TFBGA -60封装
RoHS指令
1)
符合标准的产品类型可（绿色产品）
表1
性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
部件
@CL3
@CL2.5
@CL2
–5
DDR400B
–6
DDR333
166
166
133
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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HYB25DC512[80/16]0B[E/F]
双倍数据速率SDRAM
1.2
描述
在512兆位双数据速率SDRAM的是一个高速的CMOS，含536870912位的动态随机存取存储器。
它在内部配置为四银行DRAM 。
在512兆位双数据速率SDRAM采用一个双数据速率的体系结构来实现高速操作。双
数据速率的体系结构本质上是一个
2n
预取结构以用于传输每个时钟两个数据字的接口
周期在I / O引脚。为512兆双倍数据速率SDRAM单个读或写访问有效的由一个单一的
2n-bit
宽，在内部DRAM核心的一个时钟周期的数据传输和两个相应的n比特宽的二分之一时钟周期
数据传输的I / O引脚。
双向数据选通（ DQS）与外部发送，与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。 DQS是
闪光灯在读取和写操作过程中的内存控制器由DDR SDRAM传输。 DQS是边沿对齐用
数据读取和中心对齐进行写入数据。
在512兆位双数据速率SDRAM的工作在差分时钟（ CK和CK ; CK的交叉变为高电平并
CK变低被称为CK的上升沿） 。命令（地址和控制信号）被注册在每
CK的上升沿。输入数据被登记在DQS的两个边缘，而输出数据被引用到的DQS的两个边缘，如
以及对照的两个边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是突发式;存取开始在一个选定的位置，并持续一段
在编程序列位置设定的号码。访问开始激活命令的登记，
，然后接着是读或写命令。注册与激活指令的地址位用于
选择银行和行进行访问。地址位注册暗合了读或写命令使用
选择银行和突发访问的起始列位置。
在DDR SDRAM中提供可编程的读或写的2，4或8个位置脉冲串长度。在自动预充电功能
可被使能，以提供一个自定时行预充电在脉冲串存取的端发起的。与标准的SDRAM ，
DDR SDRAM芯片的流水线，多组结构允许并发操作，从而提供高效
带宽隐藏行预充电和激活时间。
自动刷新模式与省电省电模式一起提供。所有输入均与行业兼容
标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ， II级兼容。
注：所描述的功能并包含在此数据表中的时序规格适用的DLL启用模式
操作。
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HYB25DC512[80/16]0B[E/F]
双倍数据速率SDRAM
表2
对于无铅产品订购信息（符合RoHS ）
产品类型
1)2)
HYB25DC512800BE–5
HYB25DC512160BE–5
HYB25DC512800BE–6
HYB25DC512160BE–6
HYB25DC512800BF–5
HYB25DC512160BF–5
HYB25DC512800BF–6
HYB25DC512160BF–6
组织
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
200
DDR400B
PG-TFBGA-60
2.5-3-3
166
DDR333
CAS- RCD -RP
潜伏期
3-3-3
时钟（ MHz）的
200
速度
DDR400B
包
PG-TSOPII-66
记
3)
HYB25DC512800BEL–6
×8
HYB25DC512160BEL–6
×16
1 ） HYB ：代号为内存组件;
25DC ： DDR SDRAM芯片的
V
DDQ
= 2.5 V;
512 ： 512兆位密度;
一百六十○分之八百：变型产品
×8
和
×16;
B：模具修改;
L：低功耗（应要求提供） ;
F / C / E / T：封装类型FBGA （导致&无卤素） ， FBGA （含铅） ， TSOP （铅&无卤素） ，和TSOP （含铅） 。
2 ）你的奇梦达代表了交货期和您的首选设备类型的可用性和版本满足您的项目，请检查
要求。
3 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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