【2007年1月 B2 5D 256 163 CE- 4 B2 5D 256 163 CE- 】,IC型号HYB25DC256163CE-4,HYB25DC256163CE-4 PDF资料,HYB25DC256163CE-4经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年1月

B2 5D 256 163 CE- 4

B2 5D 256 163 CE- 5

B2 5D 256 163 CE- 6

2 5 6 - 兆比特 ouble - D ATA - R的吃了SG RAM

绿色产品

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修订版1.1

互联网数据表

HYB25DC256163CE

256 - Mbit的双倍数据速率SGRAM

HYB25DC256163CE -4， HYB25DC256163CE -5， HYB25DC256163CE -6-

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03292006-SR4U-HULB

互联网数据表

HYB25DC256163CE

256 - Mbit的双倍数据速率SGRAM

1.1

概观

特点

本章列出的产品系列HYB25DC256163CE和订购信息的所有主要功能。

双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输

双向数据选通（ DQS）进行传输和接收的数据，在接收机处捕获数据中使用

DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐进行写入数据

差分时钟输入（ CK和CK ）

四大银行内部的并发操作

数据掩码（DM）写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换

命令中输入的每个正CK边缘;数据和数据屏蔽参照DQS的两个边缘

突发长度：2， 4或8个

CAS延迟： 3

自动预充电选项为每个突发访问

自动刷新和自刷新模式

7.8

最大平均周期刷新间隔

2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O

DDQ

= 2.5 V

0.2 V （ DDR200 ， DDR266 ， DDR333 ） ;

DDQ

= 2.6 V

0.1 V（ DDR400 ， DDR500 ）

= 2.5 V

0.2 V （ DDR200 ， DDR266 ， DDR333 ） ;

= 2.6 V

0.1 V（ DDR400 ， DDR500 ）

PG- TSOPII -66封装

铅和halogene无=绿色产品

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL3

–4

DDR500

–5

DDR400B

200

–6

DDR333

166

单位

—

兆赫

CK3

250

修订版1.1 ， 2007-01

03292006-SR4U-HULB

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HYB25DC256163CE

256 - Mbit的双倍数据速率SGRAM

1.1.1

描述

在256兆位双数据速率SGRAM是含有，动态随机存取存储器中的高速的CMOS

268435456位。它在内部配置为四银行DRAM 。

在256兆位双数据速率SGRAM使用双倍数据速率的体系结构来实现高速操作。双

数据速率的体系结构本质上是2n个预取结构以用于传输每个时钟两个数据字的接口

周期在I / O引脚。为256兆双倍数据速率SGRAM单一的读或写访问有效的由一个单一的

的2n比特宽，一个时钟的内部DRAM芯周期的数据传输和两个相应的n比特宽的，一个半时钟周期

数据传输的I / O引脚。

双向数据选通（ DQS）与外部发送，与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。 DQS是

闪光灯在读取和写操作过程中的内存控制器由DDR SGRAM传输。 DQS是边沿对齐用

数据读取和中心对齐进行写入数据。

在256兆位双数据速率SGRAM工作在差分时钟（ CK和CK ; CK的交叉变为高电平并

CK变低被称为CK的上升沿）。命令（地址和控制信号）被注册在每

CK的上升沿。输入数据被登记在DQS的两个边缘，而输出数据被引用到的DQS的两个边缘，如

以及对CK.Read和写的两个边缘接入到DDR SGRAM被爆导向;存取开始以选定

位置和持续的编程序列位置的设定的号码。访问开始报名

的激活命令，然后接着是读或写命令。地址位注册暗合了

激活命令用于选择银行和行进行访问。在读或地址位重合注册

写命令用于选择银行和突发存取的起始列位置。

在DDR SGRAM提供了可编程的读或写的2，4或8个位置脉冲串长度。在自动预充电功能

可被使能，以提供一个自定时行预充电在脉冲串存取的端发起的。与标准的SDRAM ，

DDR SGRAMs的流水线，多组结构允许并发操作，从而提供高效

带宽隐藏行预充电和激活时间。

自动刷新模式与省电省电模式一起提供。所有输入均与行业兼容

标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ， II级兼容。

注：所描述的功能并包含在此数据表中的时序规格适用的DLL启用模式

操作。

表2

对于无铅产品订货信息

产品类型

HYB25DC256163CE-4

HYB25DC256163CE-5

HYB25DC256163CE-6

组织

×16

时钟（ MHz）的

250

200

166

包

PG-TSOPII-66-2

记

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

修订版1.1 ， 2007-01

03292006-SR4U-HULB

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HYB25DC256163CE

256 - Mbit的双倍数据速率SGRAM

芯片配置

一个DDR SGRAM的芯片配置在列出的功能

表3中。

在Pin ＃ / ＃缓冲柱所用的缩写

在解释

表4

和

表5

分别。该芯片编号为TSOP的描述

图1 。

表3

芯片配置

球＃

时钟信号

控制信号的

RAS

CAS

BA0

BA1

A10

A11

A12

A13

SSTL

—

SSTL

—

地址信号12

注：基于256 MB或更大的模具模块

注：基于128 MB或更小的裸片模块

地址信号13

注： 1基于千兆模块

注：基于512 MB或更小的裸片模块

地址总线11：0

行地址选通

列地址选通

写使能

芯片选择

银行地址总线2 ： 0

CKE

SSTL

时钟信号

互补时钟信号

时钟使能

名字

针

TYPE

卜FF器

TYPE

功能

地址信号

修订版1.1 ， 2007-01

03292006-SR4U-HULB

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