产品信息2004年
MEMORY谱
W W瓦特I N F I否E 0：N 。 C 0 M / M E M O对R
W W瓦特I N F I否E 0：N 。 C 0 M / M E M O对R / F左一中文
永远不要停止思考。
介绍
一个P R I L 2 0 0 4 。内存光谱的这一版本已经开发
使您可以轻松地查看英飞凌内存产品的整个范围。
欲了解更多相关产品信息和最新的数据手册，请访问：
我们的网站： www.infineon.com/memory和www.infineon.com/memory/flash 。
技术与趋势
作为全球领先的存储产品
供应商，英飞凌将继续
扩大其投资组合的
近期出台的：
DDR400组件和DIMM （ PC3200 ）
2 GB DDR2无缓冲DIMM
4 GB DDR2 DIMM注册
16兆和32兆的CellularRAM
512 Mb移动-RAM
“绿色** ” ， DRAM组件和模块
512 MB和1个千兆TwinNAND组件
SD卡/多媒体卡
**铅&无卤
DRAM组件
双倍数据速率（ DDR / DDR2 ）
和单倍数据速率（ SDR ） 。
同步动态随机
存取存储器。
DDR DRAM的
DDR2的DRAM
SDR DRAM的
减少延迟（ RLDRAM
)
图形RAM
移动RAM
CellularRAM的
16兆
32 MB
128 MB
256 MB
512 MB
1 GB
+
+
+
+
+
64 MB
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
128 MB
256 MB 512 MB
1 GB
2 GB
4 GB
DRAM模块
双倍数据速率（ DDR / DDR2 ） ，
双列直插式内存模块
（ DIMM）的。
无缓冲DDR
注册DDR
注册DDR高度降低
SO -DIMM DDR
无缓冲DDR2
注册DDR2
SO -DIMM DDR2
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
1 GB
+
+
+
+
2 GB
+
64 MB
128 MB 256 MB 512 MB
4 GB
单倍数据速率（ SDR ） ，双列直插式
内存模块（DIMM ） 。
无缓冲SDR
注册SDR
SO -DIMM SDR
64 MB
+
+
+
128 MB
+
+
+
+
+
+
+
Flash组件
薄型小尺寸封装（ TSOP ） 。
TwinFlash
256 MB 512 MB
1 GB
2 GB
4 GB
+
64 MB
128 MB 256 MB 512 MB
+
1 GB
2 GB
4 GB
闪存卡
多媒体卡和SD卡。
多媒体卡
SD卡
+
+
+
+
+
+
2
RLDRAM 和的CellularRAM 是英飞凌科技公司的商标。 TwinFlash
is
英飞凌科技公司的商标，基于Saifun的NROM技术。
DRAM组件
DRAM模块
专业的DRAM
FL灰
4 4
DRAM组件
命名DRAM组件
HYB
25
D
128
80
0
C
T
-6
（例）
速度/性能
3
3.7
5
6
7
7F
7.5
8
=
=
=
=
=
=
=
=
DDR2-667 4-4-4
DDR2-533 4-4-4
DDR2-400 3-3-3 / 3-3-3 DDR400B
DDR333 2.5-3-3 / PC166 3-3-3
DDR266A 2-3-3 / 2-2-2 PC133
DDR266 2-2-2
DDR266B 2.5-3-3 / PC133 3-3-3
DDR200 2-2-2 / 2-2-2 PC100
标准电源
低功耗产品
FBGA
TSOP 400万
TSOP 400万
FBGA
TSOP堆叠
(DDR2)
(DDR2)
(DDR2/DDR)
（ DDR / SDR ）
（ DDR / SDR ）
（ DDR ）
（ DDR / SDR ）
（ DDR / SDR ）
动力
无=
L
=
C
T
E
F
G
=
=
=
=
=
包
含铅
含铅
铅及无卤素（ ROHS *兼容）
铅及无卤素（ ROHS *兼容）
铅及无卤素（ ROHS *兼容）
产品版本
产品差异化
组织
裸片修订
0
40
80
16
128
256
512
1G
S
D
T
39
25
18
HYB
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
标准产品
x4
x8
x 16
128 MB
256 MB
512 MB
1024 MB
SDR
DDR
DDR2
3.3 V
2.5 V
1.8 V
内存组件
单倍数据速率SDRAM
双倍数据速率SDRAM
双倍数据速率2 SDRAM
存储密度
内存类型
电源电压
PREFIX
* = ROHS有害物质限制
产品信息2004年
MEMORY谱
W W瓦特I N F I否E 0：N 。 C 0 M / M E M O对R
W W瓦特I N F I否E 0：N 。 C 0 M / M E M O对R / F左一中文
永远不要停止思考。
介绍
一个P R I L 2 0 0 4 。内存光谱的这一版本已经开发
使您可以轻松地查看英飞凌内存产品的整个范围。
欲了解更多相关产品信息和最新的数据手册，请访问：
我们的网站： www.infineon.com/memory和www.infineon.com/memory/flash 。
技术与趋势
作为全球领先的存储产品
供应商，英飞凌将继续
扩大其投资组合的
近期出台的：
DDR400组件和DIMM （ PC3200 ）
2 GB DDR2无缓冲DIMM
4 GB DDR2 DIMM注册
16兆和32兆的CellularRAM
512 Mb移动-RAM
“绿色** ” ， DRAM组件和模块
512 MB和1个千兆TwinNAND组件
SD卡/多媒体卡
**铅&无卤
DRAM组件
双倍数据速率（ DDR / DDR2 ）
和单倍数据速率（ SDR ） 。
同步动态随机
存取存储器。
DDR DRAM的
DDR2的DRAM
SDR DRAM的
减少延迟（ RLDRAM
)
图形RAM
移动RAM
CellularRAM的
16兆
32 MB
128 MB
256 MB
512 MB
1 GB
+
+
+
+
+
64 MB
+
+
+
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+
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+
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+
128 MB
256 MB 512 MB
1 GB
2 GB
4 GB
DRAM模块
双倍数据速率（ DDR / DDR2 ） ，
双列直插式内存模块
（ DIMM）的。
无缓冲DDR
注册DDR
注册DDR高度降低
SO -DIMM DDR
无缓冲DDR2
注册DDR2
SO -DIMM DDR2
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1 GB
+
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2 GB
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64 MB
128 MB 256 MB 512 MB
4 GB
单倍数据速率（ SDR ） ，双列直插式
内存模块（DIMM ） 。
无缓冲SDR
注册SDR
SO -DIMM SDR
64 MB
+
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128 MB
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Flash组件
薄型小尺寸封装（ TSOP ） 。
TwinFlash
256 MB 512 MB
1 GB
2 GB
4 GB
+
64 MB
128 MB 256 MB 512 MB
+
1 GB
2 GB
4 GB
闪存卡
多媒体卡和SD卡。
多媒体卡
SD卡
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2
RLDRAM 和的CellularRAM 是英飞凌科技公司的商标。 TwinFlash
is
英飞凌科技公司的商标，基于Saifun的NROM技术。
DRAM组件
DRAM模块
专业的DRAM
FL灰
4 4
DRAM组件
命名DRAM组件
HYB
25
D
128
80
0
C
T
-6
（例）
速度/性能
3
3.7
5
6
7
7F
7.5
8
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DDR2-667 4-4-4
DDR2-533 4-4-4
DDR2-400 3-3-3 / 3-3-3 DDR400B
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DDR266A 2-3-3 / 2-2-2 PC133
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DDR266B 2.5-3-3 / PC133 3-3-3
DDR200 2-2-2 / 2-2-2 PC100
标准电源
低功耗产品
FBGA
TSOP 400万
TSOP 400万
FBGA
TSOP堆叠
(DDR2)
(DDR2)
(DDR2/DDR)
（ DDR / SDR ）
（ DDR / SDR ）
（ DDR ）
（ DDR / SDR ）
（ DDR / SDR ）
动力
无=
L
=
C
T
E
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G
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包
含铅
含铅
铅及无卤素（ ROHS *兼容）
铅及无卤素（ ROHS *兼容）
铅及无卤素（ ROHS *兼容）
产品版本
产品差异化
组织
裸片修订
0
40
80
16
128
256
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1G
S
D
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39
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HYB
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标准产品
x4
x8
x 16
128 MB
256 MB
512 MB
1024 MB
SDR
DDR
DDR2
3.3 V
2.5 V
1.8 V
内存组件
单倍数据速率SDRAM
双倍数据速率SDRAM
双倍数据速率2 SDRAM
存储密度
内存类型
电源电压
PREFIX
* = ROHS有害物质限制
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