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数据手册,版本1.2 , 2004年6月
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T]
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F]
512Mbit的双数据速率SDRAM
DDR SDRAM
存储器产品
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
2004-06年版
出版英飞凌科技股份公司,
圣 - 马丁大街53 ,
81669慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2004年。
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生命支持设备或系统,或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
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和/或保护人的生命。如果失败了,这是合理的假设,该用户或其他人的健康可能
受到威胁。
数据手册,版本1.2 , 2004年6月
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T]
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F]
512Mbit的双数据速率SDRAM
DDR SDRAM
存储器产品
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
HYB25D512 [ 40/80/16 ] 0B [C / T] , HYB25D512 [ 40/80/16 ] 0B [E / F] ,
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1
67
修订版1.2
修订版1.1
2004-06
2004-06
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HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit的双数据速率SDRAM
目录
1
1.1
1.2
2
3
3.1
3.2
3.2.1
3.2.2
3.2.3
3.2.4
3.3
3.3.1
3.3.2
3.4
3.5
3.5.1
3.5.2
3.5.3
3.5.4
3.5.5
3.5.6
3.6
4
4.1
5
5.1
5.2
5.2.1
6
7
8
概观
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
引脚配置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
功能说明
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初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
模式寄存器定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
突发类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
读取延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
扩展模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
DLL使能/禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输出驱动强度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
银行/行激活。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
写道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
预充电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
掉电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输入时钟频率变化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
简化的状态图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
22
22
23
23
24
24
25
26
26
26
27
30
30
31
40
54
55
59
60
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
一般强度拉下来,拉特点
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
实力弱上拉下来,拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
I
DD
目前的测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
63
65
67
72
时序图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
系统特性的DDR SDRAM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
数据表
5
修订版1.2 , 2004-06
2006年9月
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T](L)
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F](L)
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
DDR SDRAM
互联网数据表
修订版1.63
互联网数据表
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)
双倍数据速率SDRAM
HYB25D512 [ 40/80/16 ] 0B [C / T] ( L) , HYB25D512 [ 40/80/16 ] 0B [E / F] ( L)
修订历史: 2006-09 ,牧师1.63
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03062006-PFFJ-YJY2
2
互联网数据表
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)
双倍数据速率SDRAM
1
概观
本章提供了512兆双倍数据速率SDRAM产品系列的概述,并介绍了其主要
特征
1.1
特点
双倍数据速率的架构:每个时钟周期两个数据传输
双向数据选通( DQS)进行传输和接收的数据,在接收机处捕获数据中使用
DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐进行写入数据
差分时钟输入( CK和CK )
四大银行内部的并发操作
数据掩码(DM)写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换
命令中输入的每个正CK边缘;数据和数据屏蔽参照DQS的两个边缘
突发长度:2, 4或8个
CAS延时: (1.5) , 2 ,2.5%, 3
自动预充电选项为每个突发访问
自动刷新和自刷新模式
RAS-锁定支持
t
RAP
=
t
RCD
7.8
s
最大平均周期刷新间隔
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V和2.6 V
±
0.1 V的DDR400
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V和2.6 V
±
0.1 V的DDR400
P- TFBGA -60和P- TSOPII -66包
表1
性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟
频率
部件
模块
@CL3
@CL2.5
@CL2
–5
DDR400B
PC3200–3033
–6
DDR333B
PC2700–2533
166
166
133
–7
DDR266A
PC2100–2033
143
133
单位
兆赫
兆赫
兆赫
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
牧师1.63 , 2006-09
03062006-PFFJ-YJY2
3
互联网数据表
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)
双倍数据速率SDRAM
1.2
描述
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置,并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始与Active注册
命令,然后接着读或写
命令。地址位注册暗合了
ACTIVE命令用于选择银行和行是
访问。地址位注册暗合了
读或写命令用于选择银行和
开始为突发访问列位置。
在DDR SDRAM提供了可编程的读或写
2 ,4或8的位置突发长度。在自动预充电
功能可被使能,以提供一个自定时排
预充电时的突发访问结束时启动的。
与标准的SDRAM ,流水线,多组
DDR SDRAM芯片的体系结构允许并发
操作,从而通过提供高有效带宽
隐藏行预充电和激活时间。
自动刷新模式以及一个省电设置
掉电模式。所有输入均与JEDEC兼容
标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 , II类
兼容。
注意:所描述的功能和定时
包含在此数据表规格为
DLL中启用的操作模式。
在512兆位双数据速率SDRAM的是一个高速
的CMOS,包含动态随机存取存储器
536,870,912位。它在内部配置为四银行
DRAM 。
在512兆位双数据速率SDRAM采用一个双
数据速率的体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是一个
2n
预取
建筑与设计为传输两个数据接口
每个时钟周期的话在I / O引脚。一个单一的读或写
ACCESS
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
有效地由一个单一的
2n-bit
宽,一个时钟周期
在内部DRAM芯和2的数据传输
对应的n比特宽的二分之一时钟周期的数据传输
在I / O引脚。
双向数据选通( DQS )是外部发送。
与数据一起,用于在接收器中的数据采集应用。 DQS
由DDR SDRAM中读取一个闸门和传输
通过在写入内存控制器。 DQS是边沿对齐
与读取和中心对齐进行写入数据。
在512兆位双数据速率SDRAM从操作
差分时钟( CK和CK , CK的路口去HIGH
和CK变低被称为CK的上升沿) 。
命令(地址和控制信号)被登记在
CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个
DQS的边缘,和输出数据被引用到的两个边缘
DQS ,以及对照的两个边缘。
牧师1.63 , 2006-09
03062006-PFFJ-YJY2
4
互联网数据表
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)
双倍数据速率SDRAM
表2
订购信息
产品型号
1)
HYB25D512800BT–5
HYB25D512160BT–5
HYB25D512400BT–6
HYB25D512800BT–6
HYB25D512160BT–6
HYB25D512160BTL–6
HYB25D512400BT–7
HYB25D512400BC–5
HYB25D512800BC–5
HYB25D512160BC–5
HYB25D512400BC–6
HYB25D512800BC–6
HYB25D512160BC–6
组织。 CAS- RCD -RP
潜伏期
×8
×16
×4
×8
×16
×16
×4
×4
×8
×16
×4
×8
×16
2.5-3-3
166
2-3-3
133
DDR333
3.0-3-3
143
200
2.5-3-3
166
DDR266
DDR400B
P-TFBGA-60
2.5-3-3
166
2-3-3
133
DDR333
3.0-3-3
时钟
(兆赫)
200
CAS- RCD -RP
潜伏期
2.5-3-3
时钟
(兆赫)
166
速度
DDR400B
P-TSOPII-66
1 ) HYB :代号为内存组件
25D : DDR SDRAM芯片的
V
DDQ
= 2.5 V
512 : 512兆位密度
400/800/160 :产品差异X4 ,
×8
×16
B:模具修订版B
C / F / E / T:包装类型FBGA和TSOP
L:低功耗(应要求提供)
牧师1.63 , 2006-09
03062006-PFFJ-YJY2
5
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