HYB25D512400/800/160AT(L)

512兆位双数据拉塔SDRAM

初步数据表2002年3月17日

特点

CAS延迟和频率

CAS延迟

2

2.5

最大工作频率（MHz ）

DDR200

DDR266A

DDR333

-8

-7

-6

100

133

133

125

143

166

双倍数据速率的架构：两个数据传输

在每个时钟周期

双向数据选通（ DQS ）被发送

与数据接收，以便在拍摄中使用

在接收数据

DQS是边沿对齐的数据进行读取，并

中心对齐与写入数据

差分时钟输入（ CK和CK ）

四个内部银行的并发操作

数据掩模（DM）写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

进入每个积极的CK边缘的命令;

数据和数据屏蔽参考的两个边缘

的DQ

突发长度：2， 4或8个

CAS延时： （1.5） ， 2 ，2.5％， 3

自动预充电选项，每个突发访问

自动刷新和自刷新模式

7.8μs最大平均周期刷新

间隔

2.5V （ SSTL_2兼容）I / O

V

DDQ

= 2.5V

±

0.2V

V

DD

= 2.5V

±

0.2V

TSOP66封装

描述

512MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，

含536870912动态随机存取存储器

位。它在内部配置为四银行DRAM 。

512MB的DDR SDRAM采用双数据速率架构设计师用手工

tecture以实现高速操作。双数据

率的架构基本上是一个

2n

预取架构

以设计成每两个数据字传送的接口

时钟周期的I / O引脚。一个单一的读或写访问

为512MB DDR SDRAM有效地由一个赎罪的

GLE

2n

比特宽，一个时钟周期的数据在间转移

最终DRAM核心，两个对应的正位宽，单

半个时钟周期数据传输的I / O引脚。

双向数据选通（ DQS ）是外部发送。

与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。

DQS是在由DDR SDRAM传输频闪

读取和写操作过程中的内存控制器。 DQS

是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐

与写入数据。

512MB的DDR SDRAM的差分工作

时钟（ CK和CK ， CK的交叉变为高电平和CK

变低被称为CK的上升沿） 。

命令（地址和控制信号）被登记在

CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个

DQS的边缘，和输出数据是参照两

DQS的边缘，以及与CK的两个边缘。

读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发

导向;存取开始在一个选定的位置和反对

tinue的位置在一个亲一个设定的号码

编程序列。访问开始报名

激活命令，然后接着读了

或写命令。地址位重合注册

在激活命令用于选择银行和

要访问的行。地址位注册coinci-

2002-03-17

凹痕的读或写命令用于选择

银行和突发的起始列位置

访问。

在DDR SDRAM提供了可编程只读或

写的2，4或8个位置脉冲串长度。在自动预

充电功能可被使能，以提供一个自定时

行预充电的脉冲串的端部被启动，它将

访问。

与标准的SDRAM ，流水线，多组架构设计师用手工

的DDR SDRAM的tecture允许并发操作，

从而通过隐藏行提供高效带宽

预充电及激活时间。

自动刷新模式用功率储蓄提供沿

荷兰国际集团掉电模式。所有的输入都与兼容

JEDEC标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ，

II级兼容。

注意：

所描述的功能和定时specifi-

包含在此数据表的阳离子是启用的DLL

操作模式。

第77页1

HYB25D512400/800/160AT(L)/AC(L)

512兆位的双数据速率SDRAM的

引脚配置TSOP66

V

DD

NC

V

DDQ

NC

DQ0

V

SSQ

NC

NC

V

DDQ

NC

DQ1

V

SSQ

NC

NC

V

DDQ

NC

NC

V

DD

NC

NC

WE

CAS

RAS

CS

NC

BA0

BA1

A10/AP

A0

A1

A2

A3

V

DD

V

DD

DQ0

V

DDQ

NC

DQ1

V

SSQ

NC

DQ2

V

DDQ

NC

DQ3

V

SSQ

NC

NC

V

DDQ

NC

NC

V

DD

NC

NC

WE

CAS

RAS

CS

NC

BA0

BA1

A10/AP

A0

A1

A2

A3

V

DD

V

DD

DQ0

V

DDQ

DQ1

DQ2

V

SSQ

DQ3

DQ4

V

DDQ

DQ5

DQ6

V

SSQ

DQ7

NC

V

DDQ

LDQS

NC

V

DD

NC

LDM

WE

CAS

RAS

CS

NC

BA0

BA1

A10/AP

A0

A1

A2

A3

V

DD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

32MB ×16

64MB ×8

128MB ×4

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

V

SS

DQ15

V

SSQ

DQ14

DQ13

V

DDQ

DQ12

DQ11

V

SSQ

DQ10

DQ9

V

DDQ

DQ8

NC

V

SSQ

UDQS

NC

V

REF

V

SS

UDM

CK

CK

CKE

NC

A12

A11

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

V

SS

DQ7

V

SSQ

NC

DQ6

V

DDQ

NC

DQ5

V

SSQ

NC

DQ4

V

DDQ

NC

NC

V

SSQ

的DQ

NC

V

REF

V

SS

DM

CK

CK

CKE

NC

A12

A11

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

V

SS

NC

V

SSQ

NC

DQ3

V

DDQ

NC

NC

V

SSQ

NC

DQ2

V

DDQ

NC

NC

V

SSQ

的DQ

NC

V

REF

V

SS

DM

CK

CK

CKE

NC

A12

A11

A9

A8

A7

A6

A5

A4

V

SS

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HYB25D512400/800/160AT(L)/AC(L)

512兆位的双数据速率SDRAM的

输入/输出功能描述

符号

CK ， CK

TYPE

输入

功能

时钟：

CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号SAM-

PLED的CK和CK的下降沿的正面边缘的交叉。输出（读出）数据

是相对于CK和CK的交叉（交叉的两个方向） 。

时钟使能：

CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号和

装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电断电

和自刷新操作（所有银行闲置） ，或Active掉电（行活动在任何一家银行） 。

CKE是同步进行断电的入口和出口，以及用于自刷新进入。 CKE是异步的

异步的自刷新退出。 CKE必须保持高通量读写

访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE是在断电期间禁用。输入

缓冲区，不包括CKE ，是在自刷新无效。

片选：

当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS为克斯特

在与多家银行系统，银行最终选择。 CS被认为是命令的一部分

代码。该标准引脚包括一个CS引脚。

输入命令：

RAS ， CAS和WE （连同CS ）被定义输入的命令。

输入数据掩码：

DM为输入掩码信号为写入数据。输入数据被屏蔽时的DM

在写访问权限进行采样与输入数据的高重合。 DM进行采样

DQS的两个边缘。虽然DM引脚的输入而已， DM加载的DQ和匹配

DQS装载。

银行地址输入：

BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预

充电指令被施加。 BA0和BA1还确定了模式寄存器或

扩展模式寄存器中一个MRS或EMRS周期要被访问。

地址输入：

提供行地址为有效命令，并且列地址

和自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置从存储器中

阵列中的各行。预充电命令时A10进行采样，以确定

无论是预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。如果只有一个

银行要预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。地址输入还提供了

一个模式寄存器设置命令在操作码。

数据输入/输出：

数据总线。

数据选通：

输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，岑

在篇幅中写入数据。用于捕获写数据。

无连接：

无内部电气连接是否存在。

供应

供应

供应

供应

供应

DQ电源：

2.5V

±

0.2V.

DQ地面

电源：

2.5V

±

0.2V.

地

SSTL_2参考电压：

(V

DDQ

/ 2)

CKE

输入

CS

RAS ， CAS ， WE

输入

输入

DM

输入

BA0 ， BA1

输入

A0 - A12

输入

DQ

的DQ

NC

V

DDQ

V

SSQ

V

DD

V

SS

V

REF

输入/输出

输入/输出

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HYB25D512400/800/160AT(L)/AC(L)

512兆位的双数据速率SDRAM的

订购信息

产品型号（ INF ）

HYB25D512400AT （L） -8 *）

HYB25D512800AT(L)-8

HYB25D512160AT(L)-8

125

100

DDR200

CAS

潜伏期

时钟

（兆赫）

CAS

潜伏期

时钟

（兆赫）

速度

组织。

x4

x8

x 16

包

HYB25D512400AT(L)-7

HYB25D512800AT(L)-7

HYB25D512160AT(L)-7

2.5

143

2

133

DDR266A

x4

x8

x 16

66针TSOP -II

HYB25D512400AT(L)-6

HYB25D512800AT(L)-6

HYB25D512160AT(L)-6

166

133

DDR333

x4

x8

x 16

*）低功耗版本已经在部分号码， FE一个“ L” HYB25D512400ATL -8。这些组件被特别选择为低

IDD6自刷新电流。

第77页4

2002-03-03

HYB25D512400/800/160AT(L)/AC(L)

512兆位的双数据速率SDRAM的

框图（的128Mbit ×4 ）

控制逻辑

CKE

CK

CK

CS

WE

CAS

RAS

命令

解码

Bank1

行地址MUX

Bank0

行地址锁存器

＆放大器;解码器

Bank2

Bank3

CK ， CK

DLL

模式

注册

15

13

13

8192

读锁存

刷新计数器13

4

4

MUX

4

的DQ

发电机

1

感测放大器

银行控制逻辑

16384

8

DRIVERS

Bank0

内存

ARRAY

(8192 x 2048 x 8)

数据

地址寄存器

A0-A12,

BA0 ， BA1

2

15

I / O选通

DM面膜逻辑

2048

(x8)

COLUMN

解码器

11

COL0

8

8

写

FIFO

＆放大器;

DRIVERS

输入

注册

1

面膜1

2

1

1

4

4

的DQ

1

4

接收机

DQ0-DQ3,

DM

的DQ

2

4

8

4

CLK CLK

在数据

CK ，

CK

COL0

12

列地址

计数器/锁存器

1

COL0

1

注意：

这个功能框图是为了便于操作的用户的理解

该设备;它并不代表实际的电路实现。

注意：

糖尿病是一种单向的信号（仅输入），但在内部装入以匹配bidi-的负载

rectional DQ和DQS信号。

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2002-03-03

D上T A秒H E E T，R é诉1 。 0，M AR建华2 0 0 4

HYB25D512400AT

HYB25D512800AT

HYB25D512160AT

512Mbit的域金字塔之戒ê数据鼠ê SDRAM

DDR SDRAM

M E M或Y P ，R 0杜（C T） s

的Ne V é

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吨H I N·K I N克。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

版2004-03

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司2004年。

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此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

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交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

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在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

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生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

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1.0版

修订版0.92

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2004-03

2004-02

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HYB25D512[16/40/80]0AT–[6/7/7F]

目录

1

1.1

1.2

2

3

3.1

3.2

3.2.1

3.2.2

3.2.3

3.2.4

3.3

3.3.1

3.3.2

3.4

3.5

3.5.1

3.5.2

3.5.3

3.5.4

3.5.5

3.6

4

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

5

6

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

引脚配置

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

功能说明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

模式寄存器定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

突发类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

读取延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

扩展模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

DLL使能/禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

输出驱动强度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

银行/行激活。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

写道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

预充电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

掉电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

简化的状态图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

电气特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

一般强度拉下来，拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

实力弱上拉下来，拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

I

DD1

：工作电流：一家银行工作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

13

13

14

14

15

15

16

17

17

17

18

21

21

22

30

44

45

50

51

51

52

54

56

62

时序图

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

包装纲要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

数据表

5

1.0版， 2004-03

D上T A秒H E E T，R é诉1 。 0，M AR建华2 0 0 4

HYB25D512400AT

HYB25D512800AT

HYB25D512160AT

512Mbit的域金字塔之戒ê数据鼠ê SDRAM

DDR SDRAM

M E M或Y P ，R 0杜（C T） s

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

版2004-03

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生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

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HYB25D512[16/40/80]0AT–[6/7/7F]

目录

1

1.1

1.2

2

3

3.1

3.2

3.2.1

3.2.2

3.2.3

3.2.4

3.3

3.3.1

3.3.2

3.4

3.5

3.5.1

3.5.2

3.5.3

3.5.4

3.5.5

3.6

4

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

5

6

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

引脚配置

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功能说明

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初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

模式寄存器定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

突发类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

读取延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

扩展模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

DLL使能/禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

输出驱动强度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

银行/行激活。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

写道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

预充电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

掉电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

简化的状态图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

电气特性

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工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

一般强度拉下来，拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

实力弱上拉下来，拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

I

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：工作电流：一家银行工作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

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21

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30

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50

51

51

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54

56

62

时序图

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包装纲要

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数据表

5

1.0版， 2004-03