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2007年3月
HYB25D256[40/80/16]0CE(L)
HYB25D256[40/80/16]0C[T/C/F]
HYI25D256[80/16]0C[C/E/F/T]
256 - Mbit的双数据速率SDRAM
DDR SDRAM
符合RoHS或含铅
互联网数据表
修订版2.3
互联网数据表
HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
HYB25D256 [ 40/80/16 ] 0CE (L ) , HYB25D256 [ 40/80/16 ] 0C [T / C / F] , HYI25D256 [十六分之八十〇 ] 0C [C / E / F / T]
修订历史: 2007-03 ,修订版2.3
页面
所有
17
72
85, 86
科目(自上次调整的重大变化)
改编网络版
更正表7模式寄存器定义
改变了1.1毫安到1.5毫安低功耗
改变球的大小从0.460毫米到0.450毫米
上一个版本: 2007-01 , 2.2版
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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07
03062006-8CCM-VPUW
2
互联网数据表
HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
1
1.1
概观
特点
自动预充电选项为每个突发访问
自动刷新和自刷新模式
RAS-锁定支持
t
RAP
=
t
RCD
7.8
s
最大平均周期刷新间隔
2.5 V ( SSTL_2兼容)I / O
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V ( DDR200 , DDR266 , DDR333 ) ;
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V( DDR400 )
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V ( DDR200 , DDR266 , DDR333 ) ;
V
DD
= 2.6 V
±
0.1 V( DDR400 )
标准温度范围( 0
°C
- +70
°C)
或工业
温度范围( -40
°C
- +85
°C)
P- TFBGA - 60-12包3无人区行
(8
×
12 mm
2
)
P- TSOPII - 66封装
RoHS指令
1)
符合标准的产品类型可(绿色产品)
本章列出的产品系列HY的所有主要特征[B / I] 25D256 [ 16/40/80 ] 0C [E / C / F / T] ( L)和订购信息。
双数据速率的架构:每个时钟两种数据传输
周期
双向数据选通( DQS)发送和
与数据接收,以便在在捕获数据被用于
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读取和为中心 -
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和CK )
四个内部银行的并发操作
数据掩模(DM)写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换
进入每个积极的CK边缘的命令;数据和
数据掩码参考DQS的两个边缘
突发长度:2, 4或8个
CAS延迟: 1.5 ( DDR200只) , 2 , 2.5 , 3
表1
-5的性能, -6和-7
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟
频率
部件
@CL3
@CL2.5
@CL2
–5
DDR400B
–6
DDR333B
166
166
133
–7
DDR266A
143
133
单位
兆赫
兆赫
兆赫
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版2.3 , 2007-03
03062006-8CCM-VPUW
3
互联网数据表
HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
1.2
描述
DQS ,以及对照的两个边缘。读取和写入
访问到DDR SDRAM是迸发导向;访问
开始在一个选定的位置,并继续进行编程
在编程顺序位置号。访问
首先激活命令的登记,这是
然后是读或写命令。地址位
与ACTIVE命令注册重合用于
选择银行和行进行访问。地址位
在读或写命令被注册重合
用于选择银行和起始列位置
突发的访问。
在DDR SDRAM提供了可编程的读或写
2 ,4或8的位置突发长度。在自动预充电
功能可被使能,以提供一个自定时排
预充电时的突发访问结束时启动的。如
与标准的SDRAM中,流水线,多组结构
的DDR SDRAM的允许并发操作,从而
通过隐藏行预充电,提供高效的带宽
和激活时间。
自动刷新模式以及一个省电设置
掉电模式。所有的输入与SSTL_2兼容。所有
输出SSTL_2 , II级兼容。
注意:所描述的功能和定时
包含在此数据表规格为
DLL中启用的操作模式。
在256兆位双数据速率SDRAM的是一个高速
的CMOS,包含动态随机存取存储器
268435456位。它在内部配置为四银行
DRAM 。
256 Mbit的双数据速率SDRAM采用的是双
数据速率的体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是一个的2n预取
建筑与设计为传输两个数据接口
每个时钟周期的话在I / O引脚。一个单一的读或写
ACCESS
256 Mbit的双数据速率SDRAM
有效地由一个单一的2n位的宽,一个时钟周期
在内部DRAM芯和2的数据传输
对应的n比特宽的二分之一时钟周期的数据传输
在I / O引脚。
双向数据选通( DQS )是外部发送。
与数据一起,用于在接收器中的数据采集应用。 DQS
由DDR SDRAM中读取一个闸门和传输
通过在写入内存控制器。 DQS是边沿对齐
与读取和中心对齐进行写入数据。
256 Mbit的双数据速率SDRAM从工作
差分时钟( CK和CK , CK的路口去HIGH
和CK变低被称为CK的上升沿) 。
命令(地址和控制信号)被登记在
CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个
DQS的边缘,和输出数据被引用到的两个边缘
修订版2.3 , 2007-03
03062006-8CCM-VPUW
4
互联网数据表
HY[B/I]25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
表2
对于无铅产品订购信息(符合RoHS )
产品类型
1)
组织CAS- RCD -RP
潜伏期
2.5-3-3
3-3-3
2.5-3-3
时钟频率(MHz )速度
标准温度范围( 0
°C
- +70
°C)
HYB25D256800CE–5A
×8
HYB25D256160CE–5A
×16
HYB25D256800CE–5
HYB25D256160CE–5
HYB25D256800CE–6
HYB25D256160CE–6
HYB25D256400CE–7
HYB25D256400CF–5
HYB25D256800CF–5
HYB25D256160CF–5
HYB25D256400CF–6
HYB25D256800CF–6
HYB25D256160CF–6
HYI25D256800CE–5
HYI25D256160CE–5
HYI25D256800CE–6
HYI25D256160CE–6
HYI25D256800CF–5
HYI25D256160CF–5
HYI25D256800CF–6
HYI25D256160CF–6
×8
×16
×8
×16
×4
×4
×8
×16
×4
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
200
DDR400A PG- TFBGA -60
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
200
DDR400B PG- TSOPII -66
2.5-3-3
166
DDR333
3-3-3
143
200
DDR266A
DDR400A PG- TFBGA -60
166
DDR333
200
DDR400B
200
DDR400A PG- TSOPII -66
HYB25D256800CEL–6
×8
HYB25D256160CEL–6
×16
工业级温度范围(-40
°C
- +85 °C)
修订版2.3 , 2007-03
03062006-8CCM-VPUW
5
D上T A秒H E E T,牧师1.6 ,D权证。 2 0 0 4
HYB25D256[40/80/16]0CE(L)
HYB25D256[40/80/16]0C[T/C/F]
256 Mbit的双数据速率SDRAM
存储器产品
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
2004-12版
出版英飞凌科技股份公司,
圣 - 马丁大街53 ,
81669慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2004年。
版权所有。
请注意!
此处的信息给出描述某些组件,不得被认为是一个保证
的特点。
交货条件和权利,以技术变革保留。
在此,我们不承担任何及所有担保,包括但不限于非侵权的保证,关于
电路,说明和图表说明本发明。
信息
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由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息
的问题,请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。
在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面
的在网络连接氖技术批准,如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障
生命支持设备或系统,或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
装置或系统,意在被植入人体,或支持和/或保持和维持
和/或保护人的生命。如果失败了,这是合理的假设,该用户或其他人的健康可能
受到威胁。
D上T A秒H E E T,牧师1.6 ,D权证。 2 0 0 4
HYB25D256[40/80/16]0CE(L)
HYB25D256[40/80/16]0C[T/C/F]
256 Mbit的双数据速率SDRAM
存储器产品
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
HYB25D256 [ 40/80/16 ] 0CE (L ) , HYB25D256 [ 40/80/16 ] 0C [T / C / F]
修订历史:
以前的版本:
19,20,21
修订版1.6
REV 。 1.5
2004-12
2004-11
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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
目录
1
1.1
1.2
2
3
3.1
3.2
3.2.1
3.2.2
3.2.3
3.2.4
3.3
3.3.1
3.3.2
3.4
3.5
3.5.1
3.5.2
3.5.3
3.5.4
3.5.5
3.5.6
3.6
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
5
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
5.11
5.12
5.13
6
7
概观
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
引脚配置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
功能说明
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
模式寄存器定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
突发长度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
突发类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
读取延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
扩展模式寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
DLL使能/禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输出驱动强度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
银行/行激活。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
读取。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
写道。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
预充电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
掉电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输入时钟频率变化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
简化的状态图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
一般强度拉下来,拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
实力弱上拉下来,拉特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
I
DD
目前的测量条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
时序图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
写命令:数据输入时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
读指令:数据输出时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
初始化和模式寄存器设置命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电源:省电模式命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
刷新:自动刷新模式命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
刷新:自刷新模式命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
阅读:没有自动预充电命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
阅读:使用自动预充电命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
阅读:央行读访问命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
写:如果没有自动预充电命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
写:使用自动预充电命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
写:银行写访问命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
写: DM操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
22
22
23
24
24
25
25
26
26
26
27
30
30
31
41
55
56
60
61
62
62
64
66
68
75
77
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
系统特性的DDR SDRAM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
数据表
5
修订版1.6 , 2004-12
08012003-8754-PAQX
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HYB25D256160CE-5A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HYB25D256160CE-5A
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