【2007年2月HYB25D128160C[E/F/T]HYB25D128400C[C/E/T]HYB】,IC型号HYB25D128800CT-6,HYB25D128800CT-6 PDF资料,HYB25D128800CT-6经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年2月

HYB25D128160C[E/F/T]

HYB25D128400C[C/E/T]

HYB25D128800C[C/E/F/T]

128 - Mbit的双数据速率SDRAM

DDR SDRAM

互联网数据表

修订版1.6

互联网数据表

HYB25D128xxxC[C/E/F/T](L)

128 - Mbit的双数据速率SDRAM

HYB25D128160C [E / F / T] ， HYB25D128400C [C / E / T]

修订历史： 2007-02 ，牧师1.6

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新增HYB25D128800CE -7和HYB25D128800CT -5-

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03292006-U5AN-6TI1

互联网数据表

HYB25D128xxxC[C/E/F/T](L)

128 - Mbit的双数据速率SDRAM

1.1

概观

特点

本章包含的功能和说明。

双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输

双向数据选通（ DQS）进行传输和接收的数据，在接收机处捕获数据中使用

DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐进行写入数据

差分时钟输入

四大银行内部的并发操作

数据掩码（DM）写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换

命令中输入的每个正CK边缘;数据和数据屏蔽参照DQS的两个边缘

突发长度：2， 4或8个

CAS延迟： 2 ， 2.5 ， 3

自动预充电选项为每个突发访问

自动刷新和自刷新模式

RAS-锁定支持

RAP

RCD

7.8

最大平均周期刷新间隔

2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O

DDQ

= 2.5 V

0.2 V （ DDR266A ， DDR333 ） ;

DDQ

= 2.6 V

0.1 V（ DDR400 ）

= 2.5 V

0.2 V （ DDR266A ， DDR333 ） ;

= 2.6 V

0.1 V（ DDR400 ）

P（ G） -TFBGA - 60封装， 3无人区行（ 8

12 mm

)

P（ G） -TSOPII - 66封装

铅和halogene无=绿色产品

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

部件

模块

@CL3

@CL2.5

@CL2

–5

DDR400B

PC3200-3033

–6

DDR333

PC2700–2533

166

133

–7

DDR266A

PC2100-2033

—

143

133

单位

—

兆赫

CK3

CK2.5

CK2

200

166

133

修订版1.6 ， 2007-02

03292006-U5AN-6TI1

互联网数据表

HYB25D128xxxC[C/E/F/T](L)

128 - Mbit的双数据速率SDRAM

1.2

描述

读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发

导向;存取开始在一个选定的位置，并继续

对于地点在编程设定的号码

序列。访问开始与Active注册

命令，然后接着读或写

命令。地址位注册暗合了

ACTIVE命令用于选择银行和行是

访问。地址位注册暗合了

读或写命令用于选择银行和

开始为突发访问列位置。

在DDR SDRAM提供了可编程的读或写

2 ，4或8的位置突发长度。在自动预充电

功能可被使能，以提供一个自定时排

预充电时的突发访问结束时启动的。

与标准的SDRAM ，流水线，多组

架构

DDR SDRAM的允许并发

操作，从而通过提供高有效带宽

隐藏行预充电和激活时间。

自动刷新模式以及一个省电设置

掉电模式。所有输入均与JEDEC兼容

标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ， II类

兼容。

注意：所描述的功能和定时

包含在此数据表规格为

DLL中启用的操作模式。

在128兆位双数据速率SDRAM的是一个高速

的CMOS，包含动态随机存取存储器

134217728位。它在内部配置为四银行

DRAM 。

在128兆位双数据速率SDRAM采用一个双

数据速率的体系结构来实现高速操作。该

双倍数据速率的体系结构本质上是一个

预取

建筑与设计为传输两个数据接口

每个时钟周期的话在I / O引脚。一个单一的读或写

ACCESS

为

该

128 - Mbit的双数据速率SDRAM

有效地由一个单一的

2n-bit

宽，一个时钟周期

在内部DRAM芯和2的数据传输

对应的n比特宽的二分之一时钟周期的数据传输

在I / O引脚。

双向数据选通（ DQS ）是外部发送。

与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。 DQS

由DDR SDRAM中读取频闪发射

并通过在写入内存控制器。 DQS是边沿

与读取数据对齐和居中对齐与数据

写道。

在128兆位双数据速率SDRAM从操作

差分时钟（ CK和CK ， CK的路口去HIGH

和CK变低被称为CK的上升沿）。

命令（地址和控制信号）被登记在

CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个

DQS的边缘，和输出数据被引用到的两个边缘

DQS ，以及对照的两个边缘。

修订版1.6 ， 2007-02

03292006-U5AN-6TI1

互联网数据表

HYB25D128xxxC[C/E/F/T](L)

128 - Mbit的双数据速率SDRAM

表2

订购Informationfor不符合RoHS的产品

产品型号

HYB25D128160CT–5

HYB25D128800CT–5

HYB25D128800CT–6

HYB25D128160CT–6

HYB25D128400CT–7

HYB25D128800CC–5

HYB25D128400CC–6

HYB25D128800CC–6

组织。

×16

×8

×16

×4

×8

×4

×8

3-3-3

2.5-3-3

143

200

166

2.5-3-3

2-3-3

166

133

DDR266A

DDR400B

DDR333

2.5-3-3

166

2-3-3

133

DDR333

CAS- RCD-

时钟

RP潜伏期（兆赫）

3-3-3

200

CAS- RCD -RP时钟

潜伏期

（兆赫）

2.5-3-3

166

速度

DDR400B

包

记

P- TSOPII - 66-2 -

—

P- FBGA - 60-12 -

—

表3

订单信息符合RoHS的产品

产品型号

HYB25D128160CE–5

HYB25D128800CE–5

HYB25D128800CF–5

HYB25D128160CE–6

HYB25D128400CE–6

HYB25D128800CE–6

HYB25D128800CF–6

HYB25D128400CE–7

HYB25D128800CE–7

×4

×8

143

×16

×4

×8

2.5-3-3

166

2-3-3

133

DDR333

组织。

×16

×8

CAS- RCD -RP

潜伏期

3-3-3

时钟CAS- RCD -RP

（ MHz）的潜伏期

200

2.5-3-3

时钟

（兆赫）

166

速度

包

记

DDR400B PG- TSOPII - 66-1 -

—

PG- FBGA - 60-19 -

PG- TSOPII - 66-1 -

—

PG- FBGA - 60-19 -

DDR266A PG- TSOPII - 66-1 -

—

1 ） HYB ：代号为内存组件25D ： DDR SDRAM芯片的

DDQ

= 2.5 V 128 ： 128兆位密度400/800/160 ：产品差异

×4,

×8

和

×16

C：模具修订CT / E / C：封装形式TSOP和FBGA L：低功率版（应要求提供） - 这些组件

特别选择低

DD6

自刷新电流-5 / 6/7 / 7F / 8 ：速度等级 - 见

表2

2 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

修订版1.6 ， 2007-02

03292006-U5AN-6TI1

D上T A秒H E E T， 1.0版中，P河2 0 0 4

HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)

128 Mbit的双数据速率SDRAM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

版2004-04

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司2004年。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅（ www.Infineon.com ）。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障

生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

D上T A秒H E E T， 1.0版中，P河2 0 0 4

HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)

128 Mbit的双数据速率SDRAM

DDR SDRAM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)

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1.0版

修订版0.5

2004-04

2003-11

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HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)

128 Mbit的双数据速率SDRAM

1.1

1.2

3.1

3.2

3.2.1

3.2.2

3.2.3

3.2.4

3.3

3.3.1

3.3.2

3.4

3.5

3.5.1

3.5.2

3.5.3

3.5.4

3.5.5

3.6

4.1

4.2

4.3

4.3.1

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

特色：。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8

说明。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8

引脚配置

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

功能说明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

初始化。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

模式寄存器定义。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

突发长度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

突发类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

读取延迟。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

操作模式。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

扩展模式寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

DLL使能/禁用。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

输出驱动强度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

命令。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

操作。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

银行/行激活。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

读取。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

写道。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

预充电。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

掉电。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

简化的状态图。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

电气特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

一般强度拉下来，拉特点。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

实力弱上拉下来，拉特点。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

交流特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

目前的测量条件。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

时序图

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

包装纲要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

数据表

1.0版， 2004-04