【2006年9月HYB18TC512160BFHYB18TC512800BF512兆位双数据速率 - 】,IC型号HYB18TC512160BF-3.7,HYB18TC512160BF-3.7 PDF资料,HYB18TC512160BF-3.7经销商,ic,电子元器件-51电子网

2006年9月

HYB18TC512160BF

HYB18TC512800BF

512兆位双数据速率 - 双SDRAM的

DDR2 SDRAM

符合RoHS标准的产品

互联网数据表

修订版1.11

互联网数据表

HYB18TC512[16/80]0BF

512兆位双数据速率 - 双SDRAM的

HYB18TC512160BF ， HYB18TC512800BF

修订历史： 2006-09 ，牧师1.11

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更新奇梦达

改编网络版

修改AC时序参数

产品类型： HYB18TC512160BF - 2.5 ， HYB18TC512800BF - 2.5 ， HYB18TC512160BF - 3 ，

HYB18TC512800BF -3， HYB18TC512160BF -3S ， HYB18TC512800BF - 3S， HYB18TC512160BF - 3.7 ，

HYB18TC512800BF - 3.7 ， HYB18TC512160BF - 5 ， HYB18TC512800BF - 5

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上一个版本： 2006-06 ， Rev.1.1

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03292006-HDLH-OAY6

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HYB18TC512[16/80]0BF

512兆位双数据速率 - 双SDRAM的

概观

本章提供了512兆双倍数据速率- SDRAM两个产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

512 - Mbit的双数据速率 - 双SDRAM提供以下主要功能：

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和开 -

1.8 V

0.1 V电源1.8 V

0.1 V（ SSTL_18 ）

模端接（ ODT）为更好的信号质量。

兼容的I / O

自动预充电操作进行读取和写入突发

DRAM的组织与/ 4 ， 8和16的数据输出

自动刷新，自刷新和节能电源 -

双数据速率的架构：每两次数据传输

断模式

时钟周期的四个内部银行的并发操作

平均更新周期7.8

在

例

低于85

可编程CAS延时： 3 ，4，5和6中

可编程突发长度： 4和8

°C, 3.9

在85 ℃和95 ℃下

差分时钟输入（ CK和CK ）

通过EMRS2设置可编程自刷新速率

通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新

双向，差分数据选通（ DQS和DQS ）是

DCC通过EMRS2设置启用

发送/接收的数据。与读取边缘对齐

完整和强度降低数据输出驱动器

数据中心对齐与写入数据。

1kB的页面大小

×8,

2KB页大小

×16

DLL对齐DQ和DQS转换时钟

封装： PG - TFBGA - 84

×8

组件PG- TFBGA-

DQS可以用于单端数据选通信号被禁止

×16

组件

手术

符合RoHS标准的产品

进入每个时钟上升沿命令，数据和

数据掩码被引用到的DQS的两个边缘

比DDR400快所有的速度等级符合

数据掩码（ DM ），用于写入数据

DDR400时序规格在时钟速率运行时

中科院发布了可编程的附加延迟更好

200兆赫。

指令和数据总线效率

为各种速度下的性能表的列表可以在下面找到

第4页表1中的“性能表-2.5 ”

第4页表2“ -3 （S ）性能表”

表3 “性能表-3.7 ”第4页

第5页表4“性能表-5”

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.11 ， 2006-09

03292006-HDLH-OAY6

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HYB18TC512[16/80]0BF

512兆位双数据速率 - 双SDRAM的

表1

为-2.5性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–2.5

DDR2-800E 6-6-6

单位

—

兆赫

CK6

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

400

333

266

200

表2

为-3性能表（ S）

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3

DDR2-667C 4-4-4

–3S

DDR2-667D 5-5-5

333

266

200

单位

—

兆赫

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

333

200

表3

为-3.7性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3.7

DDR2-533C 4-4-4

单位

—

兆赫

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

266

200

牧师1.11 ， 2006-09

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HYB18TC512[16/80]0BF

512兆位双数据速率 - 双SDRAM的

表4

性能表-5

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–5

DDR2-400B 3-3-3

单位

—

兆赫

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

200

牧师1.11 ， 2006-09

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