2006年11月

HYS64T16000HU–[3.7/5]–A

HYS72T32000HU–[2.5/25F/3/3S/3.7/5]–A

HYS64T32001HU–[2.5/25F/3/3S/3.7/5]–A

HYS[64/72]T64020HU–[2.5/25F/3/3S/3.7]–A

240针无缓冲DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

SDRAM UDIMM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.41

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

HYS64T16000HU- [ 3.7 / 5 ] -A ， HYS72T32000HU- [ 2.5 / 25F / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS64T32001HU- [ 2.5 / 25F / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ，

HYS[64/72]T64020HU–[2.5/25F/3/3S/3.7]–A

修订历史： 2006-11 ，牧师1.41

页面

所有

所有

科目（自上次调整的重大变化）

更新奇梦达

改编网络版

产品组合扩展：增加-2.5F和-3.7产品

第1.1章

增加了对普通自刷新和自刷新速率功能列表功能

第3章

第3章

第4章

第4章

第5章

更新

I

DD

电流

更正注4 - 表18

更新SPD码

SPD代码更新：字节49位0 = 1 （ HighT_SRFEntry ）的所有产品类型

包装纲要更新

上一个版本： 2006-04 ，牧师1.4

上一个版本： 2005-09 ，牧师1.3

上一个版本： 2005-05 ，牧师1.2

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03062006-0GN5-WTPW

2

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1

概观

本章给出了1.8 V 240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发

长度（ 4 & 8 ）和突发类型

自动刷新（ CBR）和自刷新

平均更新周期7.8微秒在

T

例

低于

85 ℃， 85 ℃和95 ℃的3.9微秒

通过EMRS2设置可编程自刷新速率

所有输入和输出SSTL_18兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

2

舞会

UDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米

WIDE

基于标准的参考布局生卡“ A” ， “C” ，

“D” ，“E” ， “F”和“G”的

符合RoHS标准的产品

1)

240引脚PC2-6400 ， PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-

用作主要的3200 DDR2 SDRAM内存模块

当安装在诸如移动通信系统存储器

个人计算机。

16M

×

64, 32M

×

64, 32M

×

72, 64M

×

64, 64M

×

72

模块的组织和16M

×

16, 32M

×

8芯片

组织

128 MB ， 256 MB和512 MB模块内置256兆

DDR2 SDRAM的在PG- TFBGA -60和PG- TFBGA -84

chipsize包

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

比DDR2-400快所有速度等级符合

DDR2-400的时序规格

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–25F

–2.5

–3

–3S

–3.7

–5

单位

PC2-6400 PC2-6400 PC2-5300 PC2-5300 PC2-4200 PC2-3200 -

5–5–5

6–6–6

4–4–4

5–5–5

4–4–4

3–3–3

f

CK6

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

400

400

266

200

12.5

12.5

45

57.5

400

333

266

200

15

15

45

60

–

333

333

200

12

12

45

57

–

333

266

200

15

15

45

60

–

266

266

200

15

15

45

60

–

200

200

200

15

15

40

55

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.41 ， 2006-11

03062006-0GN5-WTPW

3

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

存储器阵列的设计与256兆双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

2

舞会

使用2针I设备

2

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达HYS [ 64/72 ] T [ 16/32/64 ] 0xxHU- [2.5 /../ 5 ] -A

模块系列是无缓冲DIMM模块“ UDIMM的”与

基于DDR2技术30,0 mm的高度。 DIMM是

可作为在16M非ECC模块

×

64 （ 128MB ） ，

32M

×

64 （ 256MB ） ， 64M

×

64 （ 512MB ），并作为ECC模块

在32M

×

72 （ 256MB ） ， 64M

×

72 （ 512MB ）的组织和

密度，用于安装到240针连接器

插槽。

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

1)

PC2–6400

HYS64T32001HU–2.5–A

HYS64T64020HU–2.5–A

HYS72T32000HU–2.5–A

HYS72T64020HU–2.5–A

HYS64T32001HU–25F–A

HYS64T64020HU–25F–A

HYS72T32000HU–25F–A

HYS72T64020HU–25F–A

PC2–5300

HYS64T32001HU–3–A

HYS64T64020HU–3–A

HYS72T32000HU–3–A

HYS72T64020HU–3–A

HYS64T32001HU–3S–A

HYS64T64020HU–3S–A

HYS72T32000HU–3S–A

HYS72T64020HU–3S–A

PC2–4200

HYS64T16000HU–3.7–A

HYS64T32001HU–3.7–A

HYS72T32000HU–3.7–A

HYS64T64020HU–3.7–A

128MB 1Rx16 PC2-4200U - 444-11 -C1

256MB 1Rx8 PC2-4200U - 444-11 -A1

256MB 1Rx8 PC2-4200E - 444-11 -A1

512MB 2Rx8 PC2-4200U - 444-12 -E1

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

2级，非ECC

256兆位（ X16 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256MB 1Rx8 PC2-5300U - 444-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-5300U - 444-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-5300E - 444-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-5300E - 444-12 - G0

256MB 1Rx8 PC2-5300U - 555-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-5300U - 555-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-5300E - 555-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-5300E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256MB 1Rx8 PC2-6400U - 666-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-6400U - 666-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-6400E - 666-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-6400E - 666-12 - G0

256MB 1Rx8 PC2-6400U - 555-12 -D0

512MB 2Rx8 PC2-6400U - 555-12 - E0

256MB 1Rx8 PC2-6400E - 555-12 -F0

512MB 2Rx8 PC2-6400E - 555-12 - G0

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

1等级，非ECC

2级，非ECC

1等级， ECC

2级， ECC

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

合规守则

2)

描述

SDRAM技术

牧师1.41 ， 2006-11

03062006-0GN5-WTPW

4

互联网数据表

HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A

无缓冲DDR2 SDRAM模组

产品类型

1)

PC2–3200

HYS64T16000HU–5–A

HYS64T32001HU–5–A

HYS72T32000HU–5–A

合规守则

2)

128MB 1Rx16 PC2-3200U - 333-11 -C1

256MB 1Rx8 PC2-3200U - 333-11 -A1

256MB 1Rx8 PC2-3200E - 333-11 -A1

描述

1等级，非ECC

1等级，非ECC

1等级， ECC

SDRAM技术

256兆位（ X16 ）

256兆比特（ X8 ）

256兆比特（ X8 ）

1 ）所有产品类型结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T16000HU - 3.7 -A ，表示修订版“A”死亡

用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

本数据手册。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200U - 444-11 - C1 ”，其中

4200U是指无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）

延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD修订版1.1和

生产的原卡“ C” 。

表3

地址格式

DIMM

密度

128兆字节

256兆字节

512兆字节

模块

组织

16M

×

64

32M

×

64

32M

×

72

64M

×

64

64M

×

72

内存

秩

1

1

1

2

2

ECC /

非ECC

非ECC

非ECC

ECC

非ECC

ECC

＃的＃的SDRAM行/行/列

位

4

8

9

16

18

13/2/9

13/2/10

13/2/10

13/2/10

13/2/10

生

卡

C

A，D

A，F

E

G

表4

在模块组件

产品类型

1)

HYS64T16000HU

HYS64T32001HU

HYS64T64020HU

HYS72T32000HU

HYS72T64020HU

DRAM组件

1)

HYB18T256160AF

HYB18T256800AF

HYB18T256800AF

HYB18T256800AF

HYB18T256800AF

DRAM密度

256兆

256兆

256兆

256兆

256兆

DRAM组织

16M

×

16

32M

×

8

32M

×

8

32M

×

8

32M

×

8

记

2)

1 ）绿色产品

2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。

牧师1.41 ， 2006-11

03062006-0GN5-WTPW

5

一吨一台S等他，V 1 0 2，M A Y 2 0 04

HYB18T256400AF

HYB18T256800AF

HYB18T256160AF

256兆DDR2 SDRAM

M E M O对R P ，R 0 ú TS

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

版2004-04-02

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司04年5月7日。

版权所有。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅在德国或我们的英飞凌科技在全球的代表

（ www.infineon.com ） 。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

英飞凌科技的批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的

生命支持设备或系统中，或发生故障而影响该设备或系统的安全性或有效性。生活

支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或支持和/或保持和

维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其它的健康

人可能受到威胁。

.

HYB18T256400/800/160AF

数据表修订版1.02 （ 05.04 ）

特点

高性能：

-5

加速排序

DDR2

-400

-3.7

DDR2

-533

-3S

DDR2

-667

-3

DDR2

-667

256MB DDR2 SDRAM

单位

TCK

兆赫

Mb / s的/引脚

箱子

（ CL - tRCD的-TRP ）

马克斯。时钟

频率

数据速率

CAS延迟（ CL ）

tRCD的

激进党

tRAS的

TRC

3-3-3

200

400

3

15

15

40

55

4-4-4

266

533

4

15

15

45

60

5-5-5

4-4-4

333

667

5

15

15

45

60

4

12

12

45

57

TCK

ns

ns

ns

ns

1.8V ± 0.1V电源

1.8 V± 0.1V （ SSTL_18 ）兼容）I / O

DRAM的组织与/ 4 ， 8和16的数据输出

双数据速率的架构：每两次数据传输

时钟周期，四个内部银行的并发操作

CAS延时：3， 4和5

突发长度： 4和8

差分时钟输入（ CK和CK ）

双向，差分数据选通（ DQS和

DQS）被发送/与数据接收。边缘

对齐

读取数据中心对齐与写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换时钟

DQS可以用于单端数据选通信号被禁止

手术

进入每个时钟上升沿，数据命令

和数据屏蔽是参照DQS的两边

数据掩码（ DM ），用于写入数据

通过可编程附加延迟中科院发布

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和

片上端接（ ODT）为更好的信号质量。

自动预充电操作进行读取和写入突发

自动刷新，自刷新和节能电源 -

断模式

平均更新周期7.8μs的一件T

例

低于

85

o

C， 3.9μs 85

o

C和95

o

C

正常和实力弱的数据输出驱动器

1K大小页面

铅freePackages ：

60引脚FBGA为X4 & X8组件

84引脚FBPA对于x16组件

1.0说明

256MB的双倍数据速率2 （ DDR2 ） DRAM的都是高

高速CMOS双数据速率2同步DRAM

含设备

268,435,456

位，并在内部config-

置的为四银行的DRAM 。 256MB的芯片组织

因为无论是16兆×4 I / O ×4银行的8Mbit ×8的I / O ×4银行或

为4Mbit ×16的I / O ×4行的设备。这些同步设备

实现高达的高速双数据速率的传输速率

667兆/秒/针一般应用。

该芯片的设计符合所有主要的DDR2 DRAM的关键

特点： （ 1 ）贴有CAS延迟时间相加， （ 2 ）写

延时=读延时-1 ， （ 3 ）正常，实力弱数据 -

输出驱动器， （ 4 ）片外驱动器（ OCD ）阻抗调整

换货和（ 5 ）的ODT （片上终端）的功能。

所有的控制和地址输入与同步

一对外部提供的差分时钟。输入是

在差分时钟交叉点闭锁（ CK的上升沿

和CK下降） 。所有的I / O与单个同步

DQS端或差分（ DQS ， DQS）对在源

同步方式。一个15位的地址总线是用于CON组

在一个RAS /维伊行，列和行地址信息

CAS复用的风格。

在DDR2器件具有1.8V操作+/- 0.1V电源

供应和在FBGA封装。

自动刷新和自刷新模式以及提供

各种节能省电模式。

描述的功能性和时序规范

包括在这个数据表是该DLL启用模式

的操作。

第3页

Rainer.Weidlich@Infineon.com

REV 。 1.02

2004年5月

在网络连接霓虹灯技术

HYB18T256400/800/160AF

256MB DDR2 SDRAM

1.1订购信息

产品型号

HYB18T256400AF(L)-5

HYB18T256800AF(L)-5

HYB18T256160AF(L)-5

HYB18T256400AF(L)-3.7

HYB18T256800AF(L)-3.7

HYB18T256160AF(L)-3.7

HYB18T256400AF(L)-3

HYB18T256800AF(L)-3

HYB18T256160AF(L)-3

HYB18T256400AF(L)-3S

HYB18T256800AF(L)-3S

HYB18T256160A(L)-3S

5

4&5

333

DDR2-667

4&5

266

DDR2-533

3,4 & 5

200

DDR2-400

CAS

潜伏期

时钟

（兆赫）

速度

分类

DRAM组织

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

包

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

注意事项：

1）产品命名看到这个数据表第10

2）版本与在该部件编号为“L”是在标准组件的具有降低的IDD6自刷新低功率版本

电流。请参阅IDD电流规格6.1节。

3 ）所有的FBGA封装是无铅的。

1.2引脚说明

1.2.1 X4组件

符号

A0~A12

A0~A9,A11

BA0 ， BA1

A10/AP

CS

RAS

CAS

WE

DQ0~DQ3

CKE

CK ， CK

DM

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址输入

列地址输入

对于自动预充电

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出（ X4 ）

时钟使能

差分时钟输入

数据输入掩码

符号

DQS ， DQS

NC

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDL

VSSDL

VREF

ODT

俄罗斯足协

NC

功能

差分数据选通信号

无连接（芯片到管脚）

电源电压

地

电源电压DQ

地面的DQ

电源电压为DLL

地面DLL

参考电压为SSTL

输入

片上终端启用

留作将来使用

没有连接

第4页

REV 。 1.02

2004年5月

在网络连接霓虹灯技术

HYB18T256400/800/160AF

256MB DDR2 SDRAM

1.2.1 X8组件

符号

A0~A12

A0~A9

BA0 ， BA1

A10/AP

CS

RAS

CAS

WE

DQ0~DQ7

CKE

CK ， CK

DM

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址输入

列地址输入

对于自动预充电

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出（ X8 ）

时钟使能

差分时钟输入

数据输入掩码

符号

DQS ， DQS

RDQS ， RDQS

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDL

VSSDL

VREF

ODT

俄罗斯足协

NC

功能

差分数据选通信号

差分读数据选通

电源电压

地

电源电压DQ

地面的DQ

电源电压为DLL

地面DLL

参考电压为SSTL

输入

片上终端启用

留作将来使用

没有连接

1.2.3 X16组件

符号

A0~A12

A0~A8

BA0 ， BA1

A10/AP

CS

RAS

CAS

WE

LDQ0 7 ， UDQ0 7

CKE

CK ， CK

LDM ， UDM

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址输入

列地址输入

对于自动预充电

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出

时钟使能

差分时钟输入

数据输入掩码

符号

LDQS ， LDQS

UDQS ， UDQS

NC

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDL

VSSDL

VREF

ODT

俄罗斯足协

NC

功能

差分数据选通信号

无连接（芯片到管脚）

电源电压

地

电源电压DQ

地面的DQ

电源电压为DLL

地面DLL

参考电压为SSTL

输入

片上终端启用

留作将来使用

没有连接

第5页

REV 。 1.02

2004年5月

在网络连接霓虹灯技术

2007年3月

HYS72T32000HR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

HYS72T64001HR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

HYS72T64020HR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

240引脚注册DDR2 SDRAM模组

DDR2 SDRAM

SDRAM RDIMM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.21

互联网数据表

HYS72T[32/64]0xxHR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

HYS72T32000HR- [ 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS72T64001HR- [ 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS72T64020HR- [ 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A

修订历史： 2007-03 ，牧师1.21

页面

所有

所有

第4章

第5章

科目（自上次调整的重大变化）

更新奇梦达

改编网络版

SPD代码更新：字节49位0 = 1 （ HighT_SRFEntry ）的所有产品类型

包装纲要更新

上一个版本： 2005-09 ，牧师1.2

上一个版本： 2005-06 ，牧师1.1

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

09152006-J5FK-C565

2

互联网数据表

HYS72T[32/64]0xxHR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

1

概观

本章介绍了240针注册DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4 ， 5 & 6 ） ，突发长度

（ 4 & 8 ）和突发类型

自动刷新（ CBR）和自刷新

所有输入和输出SSTL_18兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

2

舞会

RDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 133.35毫米

WIDE

基于标准的参考布局生卡“ AF” ， “B-

G“ & ”C - H“

符合RoHS标准的产品

1)

240针PC2-6400 ， PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-3200

适用于PC ，工作站DDR2 SDRAM内存模块，

服务器主内存的应用

一个等级32M X 72 ， 64M X 72和两个队伍64M

×

72

模块的组织和32M

×

8, 64M

×

4芯片

组织

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

比DDR2-400快所有速度等级符合

DDR2-400的时序规格

内置有256兆的DDR2 SDRAM在P- TFBGA - 60

chipsize包。

表1

为-2.5 & -3的性能（S ）

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–2.5

PC2-6400 6-6-6

–3

PC2-5300 4-4-4

333

333

333

200

12

12

45

57

–3S

PC2-5300 5-5-5

333

333

266

200

15

15

45

60

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

单位

—

f

CK6

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

400

333

266

200

15

15

45

60

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.21 ， 2007-03

09152006-J5FK-C565

3

互联网数据表

HYS72T[32/64]0xxHR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

表2

为DDR2-533和DDR2-400的性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3.7

PC2-4200 4-4-4

–5

PC2-3200 3-3-3

200

200

200

15

15

40

55

单位

—

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

f

CK5

f

CK4

f

CK3

t

RCD

t

RP

t

RAS

t

RC

266

266

200

15

15

45

60

牧师1.21 ， 2007-03

09152006-J5FK-C565

4

互联网数据表

HYS72T[32/64]0xxHR–[2.5/3/3S/3.7/5]–A

注册DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

设备和PLL的时钟分配。这将减少

电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来

SDRAM的时序。去耦电容安装在

PCB板。该功能的DIMM串行存在检测

基于串行

2

使用2针我PROM设备

2

C

协议。前128字节被编程

配置数据和写保护;第二个

128字节是提供给客户。

奇梦达HYS72T [ 32/64 ] 0xxHR- [ 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -A

模块系列是注册的DIMM模块“的RDIMM ”与

基于DDR2技术3000毫米的高度。 DIMM是

可在32M ECC模块x 72 （ 256兆字节）和

64M X 72 （ 512兆字节）的组织和密度，适用于

安装到240针连接器插座。

存储器阵列的设计与256兆双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。所有的控制和

DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动

表3

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

1)

PC2-6400

HYS72T32000HR–2.5–A

HYS72T64001HR–2.5–A

HYS72T64020HR–2.5–A

PC2-5300

HYS72T32000HR–3–A

HYS72T64001HR–3–A

HYS72T64020HR–3–A

HYS72T32000HR–3S–A

HYS72T64001HR–3S–A

HYS72T64020HR–3S–A

PC2–4200

HYS72T32000HR–3.7–A

HYS72T64001HR–3.7–A

HYS72T64020HR–3.7–A

PC2-3200

HYS72T32000HR–5–A

HYS72T64001HR–5–A

HYS72T64020HR–5–A

256 MB 1R × 8 PC2-3200R - 333-11 -F0

512 MB 1R × 4 PC2-3200R - 333-11 -H0

512 MB 2R × 8 PC2-3200R - 333-11 - G0

1等级， ECC

1等级， ECC

2等级， ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 8 PC2-4200R - 444-11 -F0

512 MB 1R × 4 PC2-4200R - 444-11 -H0

512 MB 2R × 8 PC2-4200R - 444-11 - G0

1等级， ECC

1等级， ECC

2等级， ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 8 PC2-5300R - 444-12 -F0

512 MB 1R × 4 PC2-5300R - 444-12 -H0

512 MB 2R × 8 PC2-5300R - 444-12 - G0

256 MB 1R × 8 PC2-5300R - 555-12 -F0

512 MB 1R × 4 PC2-5300R - 555-12 -H0

512 MB 2R × 8 PC2-5300R - 555-12 - G0

1等级， ECC

1等级， ECC

2等级， ECC

1等级， ECC

1等级， ECC

2等级， ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 8 PC2-6400R - 666-12 -F0

512 MB 1R × 4 PC2-6400R - 666-12 -H0

512 MB 2R × 8 PC2-6400R - 666-12 - G0

1等级， ECC

1等级， ECC

2等级， ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

合规守则

2)

描述

SDRAM技术

1 ）所有的部件号结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T32000HR - 5 -A ，表示修订版“A”是模具

用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

本数据手册。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-11 - F0 ”，其中

4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）延迟

= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.1版并制作

对原卡“ F”

牧师1.21 ， 2007-03

09152006-J5FK-C565

5

一吨一台S等他，V 1 0 2，M A Y 2 0 04

HYB18T256400AF

HYB18T256800AF

HYB18T256160AF

256兆DDR2 SDRAM

M E M O对R P ，R 0 ú TS

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

版2004-04-02

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司04年5月7日。

版权所有。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

在网络连接霓虹灯技术是经过批准的CECC制造商。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅在德国或我们的英飞凌科技在全球的代表

（ www.infineon.com ） 。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

英飞凌科技的批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的

生命支持设备或系统中，或发生故障而影响该设备或系统的安全性或有效性。生活

支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或支持和/或保持和

维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其它的健康

人可能受到威胁。

.

HYB18T256400/800/160AF

数据表修订版1.02 （ 05.04 ）

特点

高性能：

-5

加速排序

DDR2

-400

-3.7

DDR2

-533

-3S

DDR2

-667

-3

DDR2

-667

256MB DDR2 SDRAM

单位

TCK

兆赫

Mb / s的/引脚

箱子

（ CL - tRCD的-TRP ）

马克斯。时钟

频率

数据速率

CAS延迟（ CL ）

tRCD的

激进党

tRAS的

TRC

3-3-3

200

400

3

15

15

40

55

4-4-4

266

533

4

15

15

45

60

5-5-5

4-4-4

333

667

5

15

15

45

60

4

12

12

45

57

TCK

ns

ns

ns

ns

1.8V ± 0.1V电源

1.8 V± 0.1V （ SSTL_18 ）兼容）I / O

DRAM的组织与/ 4 ， 8和16的数据输出

双数据速率的架构：每两次数据传输

时钟周期，四个内部银行的并发操作

CAS延时：3， 4和5

突发长度： 4和8

差分时钟输入（ CK和CK ）

双向，差分数据选通（ DQS和

DQS）被发送/与数据接收。边缘

对齐

读取数据中心对齐与写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换时钟

DQS可以用于单端数据选通信号被禁止

手术

进入每个时钟上升沿，数据命令

和数据屏蔽是参照DQS的两边

数据掩码（ DM ），用于写入数据

通过可编程附加延迟中科院发布

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和

片上端接（ ODT）为更好的信号质量。

自动预充电操作进行读取和写入突发

自动刷新，自刷新和节能电源 -

断模式

平均更新周期7.8μs的一件T

例

低于

85

o

C， 3.9μs 85

o

C和95

o

C

正常和实力弱的数据输出驱动器

1K大小页面

铅freePackages ：

60引脚FBGA为X4 & X8组件

84引脚FBPA对于x16组件

1.0说明

256MB的双倍数据速率2 （ DDR2 ） DRAM的都是高

高速CMOS双数据速率2同步DRAM

含设备

268,435,456

位，并在内部config-

置的为四银行的DRAM 。 256MB的芯片组织

因为无论是16兆×4 I / O ×4银行的8Mbit ×8的I / O ×4银行或

为4Mbit ×16的I / O ×4行的设备。这些同步设备

实现高达的高速双数据速率的传输速率

667兆/秒/针一般应用。

该芯片的设计符合所有主要的DDR2 DRAM的关键

特点： （ 1 ）贴有CAS延迟时间相加， （ 2 ）写

延时=读延时-1 ， （ 3 ）正常，实力弱数据 -

输出驱动器， （ 4 ）片外驱动器（ OCD ）阻抗调整

换货和（ 5 ）的ODT （片上终端）的功能。

所有的控制和地址输入与同步

一对外部提供的差分时钟。输入是

在差分时钟交叉点闭锁（ CK的上升沿

和CK下降） 。所有的I / O与单个同步

DQS端或差分（ DQS ， DQS）对在源

同步方式。一个15位的地址总线是用于CON组

在一个RAS /维伊行，列和行地址信息

CAS复用的风格。

在DDR2器件具有1.8V操作+/- 0.1V电源

供应和在FBGA封装。

自动刷新和自刷新模式以及提供

各种节能省电模式。

描述的功能性和时序规范

包括在这个数据表是该DLL启用模式

的操作。

第3页

Rainer.Weidlich@Infineon.com

REV 。 1.02

2004年5月

在网络连接霓虹灯技术

HYB18T256400/800/160AF

256MB DDR2 SDRAM

1.1订购信息

产品型号

HYB18T256400AF(L)-5

HYB18T256800AF(L)-5

HYB18T256160AF(L)-5

HYB18T256400AF(L)-3.7

HYB18T256800AF(L)-3.7

HYB18T256160AF(L)-3.7

HYB18T256400AF(L)-3

HYB18T256800AF(L)-3

HYB18T256160AF(L)-3

HYB18T256400AF(L)-3S

HYB18T256800AF(L)-3S

HYB18T256160A(L)-3S

5

4&5

333

DDR2-667

4&5

266

DDR2-533

3,4 & 5

200

DDR2-400

CAS

潜伏期

时钟

（兆赫）

速度

分类

DRAM组织

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

4银行×16兆比特×4

4银行×8兆比特×8

4银行×4兆位×16

包

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

60引脚FBGA

60引脚FBGA

84引脚FBGA

注意事项：

1）产品命名看到这个数据表第10

2）版本与在该部件编号为“L”是在标准组件的具有降低的IDD6自刷新低功率版本

电流。请参阅IDD电流规格6.1节。

3 ）所有的FBGA封装是无铅的。

1.2引脚说明

1.2.1 X4组件

符号

A0~A12

A0~A9,A11

BA0 ， BA1

A10/AP

CS

RAS

CAS

WE

DQ0~DQ3

CKE

CK ， CK

DM

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址输入

列地址输入

对于自动预充电

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出（ X4 ）

时钟使能

差分时钟输入

数据输入掩码

符号

DQS ， DQS

NC

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDL

VSSDL

VREF

ODT

俄罗斯足协

NC

功能

差分数据选通信号

无连接（芯片到管脚）

电源电压

地

电源电压DQ

地面的DQ

电源电压为DLL

地面DLL

参考电压为SSTL

输入

片上终端启用

留作将来使用

没有连接

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在网络连接霓虹灯技术

HYB18T256400/800/160AF

256MB DDR2 SDRAM

1.2.1 X8组件

符号

A0~A12

A0~A9

BA0 ， BA1

A10/AP

CS

RAS

CAS

WE

DQ0~DQ7

CKE

CK ， CK

DM

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址输入

列地址输入

对于自动预充电

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出（ X8 ）

时钟使能

差分时钟输入

数据输入掩码

符号

DQS ， DQS

RDQS ， RDQS

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDL

VSSDL

VREF

ODT

俄罗斯足协

NC

功能

差分数据选通信号

差分读数据选通

电源电压

地

电源电压DQ

地面的DQ

电源电压为DLL

地面DLL

参考电压为SSTL

输入

片上终端启用

留作将来使用

没有连接

1.2.3 X16组件

符号

A0~A12

A0~A8

BA0 ， BA1

A10/AP

CS

RAS

CAS

WE

LDQ0 7 ， UDQ0 7

CKE

CK ， CK

LDM ， UDM

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址输入

列地址输入

对于自动预充电

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出

时钟使能

差分时钟输入

数据输入掩码

符号

LDQS ， LDQS

UDQS ， UDQS

NC

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VDDL

VSSDL

VREF

ODT

俄罗斯足协

NC

功能

差分数据选通信号

无连接（芯片到管脚）

电源电压

地

电源电压DQ

地面的DQ

电源电压为DLL

地面DLL

参考电压为SSTL

输入

片上终端启用

留作将来使用

没有连接

第5页

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2004年5月

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