数据表
HY[B/E]18M1G16[0/1]BF
1千兆位DDR移动-RAM
HYB18M1G16 [ 0/1 ] BF- 6 ， HYE18M1G16 [ 0/1 ] BF- 6 ， HYB18M1G16 [ 0/1 ] BF- 7.5
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2
数据表
HY[B/E]18M1G16[0/1]BF
1千兆位DDR移动-RAM
1
1.1
概观
特点
低功耗DDR 1Gbit的X16双芯片实现
每个模具被划分为4银行个8 Mbit ×16
2 K字节的页面大小
为降低功耗两个片选（ CS 2 ）
可用于1 CKE和2 CKEs选项。选项与第二CKE提供再论省电
双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输
双向数据选通（ DQS ）传输/数据接收;在接收机处捕获数据中使用
DQS是边沿对齐进行数据读取和中心对齐与写入数据
差分时钟输入（ CK / CK ）
命令中输入正面CK边缘;数据和屏蔽数据被引用到的DQS的两个边缘
四大银行内部的并发操作
可编程CAS延时： 2和3
可编程的突发长度： 2，4， 8和16
可编程驱动强度（全，半，四分之一）
自动刷新和自刷新模式
8192刷新周期/ 64ms的
自动预充电
商用（ 0° C至+ 70 ° C）和扩展（ -25 ° C至+ 85°C ）的工作温度范围
60球PG- VFBGA - 60-6封装（ 11
×
10.5
×
1.0 mm)
符合RoHS产品
1)
省电功能
低电源电压：
V
DD
= 1.70 V
1.90 V,
V
DDQ
= 1.70 V
1.90 V
优化的操作（
I
DD0
,
I
DD4
），自刷新（
I
DD6
）和待机电流（
I
DD2
,
I
DD3
)
DDR I /无DLL 计划
可编程部分阵列自刷新（ PASR ）
温度补偿自刷新（ TCSR ） ，片上温度传感器控制
时钟停止，掉电和深度掉电模式
表1
性能
产品型号代码的运行速度
时钟频率（
f
CKMAX
)
访问时间（
t
ACMAX
)
CL = 3
CL = 2
-6
166
83
5.5
66
6.5
- 7.5
133
兆赫
兆赫
ns
单位
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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1千兆位DDR移动-RAM
表2
内存寻址方案
项
银行
排
柱
地址
BA0 ， BA1
A0 - A12
A0 - A9
表3
订购信息
TYPE
1)
HYB18M1G160BF-6
HYB18M1G161BF-6
HYB18M1G160BF-7.5
HYB18M1G161BF-7.5
扩展级温度范围
HYE18M1G160BF-6
HYE18M1G161BF-6
HYE18M1G160BF-7.5
HYE18M1G161BF-7.5
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
描述
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
166 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 1 CKE （ CKE ）
133 MHz的4银行
×
8兆位
×
16低功耗移动DDR -RAM ， 2 CKE （ CKE0和CKE1 ）
商业级温度范围
1 ） HYB / HYE ：代号为内存产品（ HYB ：标准温度范围; HYE ：扩展温度范围）
18M ： 1.8V移动DDR -RAM
1G ： 1Gbit的密度
160 ： 16位接口的宽度; DDR- Mobile的RAM - 一个CKE （ CKE ）
161 ： 16位接口的宽度; DDR- Mobile的RAM - 两个CKE （ CKE0和CKE1 ）
B：模具修改
F：绿色产品
- 6 / -7.5 ：速度等级（分时钟周期的时间。 ）
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1千兆位DDR移动-RAM
1.2
球CON组fi guration
图1
标准ballout 1千兆移动DDR -RAM与1CKE （ CKE ）
图2
标准ballout 1千兆移动DDR -RAM有两个CKE （ CKE0和CKE1 ）
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