HY64SD16162B系列
文档标题
1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM
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修订历史号
1.0
初始
草案日期
12月4日'02
备注
初步
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。 Hynix半导体公司不
假定用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.0 / 12 。 2002年
1
HY64SD16162B系列
1M ×16位低功耗低1T / 1C SRAM
描述
该HY64SD16162B是16Mbit的1T / 1C SRAM
通过高速运转和超低特色
功耗。该HY64SD16162B采用
一个晶体管存储单元和被组织成
1,048,576字由16位。该HY64SD16162B
操作温度的延伸范围和
支持宽工作电压范围。该
HY64SD16162B还支持深度关电
关闭模式的超低待机电流。该
HY64SD16162B提供高密度低
功耗SRAM能力，高速低功耗
系统。
特点
CMOS工艺技术
1M ×16位组织
TTL兼容和三态输出
深度掉电：存储单元数据无效举行
标准引脚配置： 48 - FBGA （ 6mmX8mm ）
数据屏蔽功能由/ LB ， / UB
独立的I / O电源： VDDQ
产品系列
产品编号
HY64SD16162B-DF85E
HY64SD16162B-DF85I
电压[V]
VDD / VDDQ
1.8/1.8
1.8/1.8
模式
1CS与/ UB ， / LB ： TCS
1
1CS与/ UB ， / LB ： TCS
1
速度
(I
SB1
马克斯） （我
DPD
马克斯） （我
CC2
马克斯）
tRC的[ NS ]
75
A
75
A
2
A
2
A
20
mA
20
mA
85
85
功耗
温度。
[°C]
-25~85
-40~85
注1. TCS - / UB ， / LB =高：芯片取消。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
/磅
IO9
/ OE
/ UB
A0
A3
A5
A17
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
/CS1
IO2
IO4
IO5
IO6
/ WE
A11
CS2
IO1
IO3
VDD
VSS
IO7
IO8
NC
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
A19
A0
框图
ROW
解码器
IO1
SENSE AMP
COLUMN
解码器
PRE解码器
IO10 IO11
VSS
IO12
IO8
IO9
添加输入
卜FF器
数据I / O
卜FF器
VDDQ IO13 DNU
IO15 IO14
IO16
A18
A19
A8
A14
A12
A9
存储阵列
1,024K ×16
块
解码器
写入驱动器
IO16
控制
逻辑
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/磅
/ UB
DNU
NC
引脚功能
芯片选择
深度掉电
写使能
低字节（ I / O1 I / O8 ）
高字节（ I / O9 I / O16 ）
不要使用
无连接
引脚名称
/ OE
IO1~IO8
IO9~IO16
A0~A19
VDD
VDDQ
VSS
引脚功能
OUTPUT ENABLE
较低的数据输入/输出
上面的数据输入/输出
地址输入
电源的内部电路
电源的I / O
地
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2
HY64SD16162B系列
订购信息
产品型号
HY64SD16162B-E
HY64SD16162B-I
记
1. E：扩展级温度。 （ -25 ° C 85°C ）
2. I：工业级温度。 （ -40 ° C 85°C ）
速度
85
85
动力
LL-部分
LL-部分
温度
E
1
I
2
包
FBGA
FBGA
绝对最大额定值
1
符号
V
IN
V
OUT
VDD
VDDQ
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
参数
输入电压
输出电压
核心供电
I / O电源
环境温度
储存温度
功耗
球焊接温度&时间
等级
-0.3 VDD + 0.3
-0.3到VDDQ + 0.3
-0.3 3.6
-0.3 3.6
-25到85
-40到85
-55到150
1.0
26010
单位
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
° C秒
备注
HY64SD16162B-E
HY64SD16162B-I
真值表
/ CS1 CS2
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
/ WE
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
/ OE
X
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
/磅
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
/ UB
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
模式
取消
取消
取消
写
读
输出禁用
写
读
输出禁用
写
读
输出禁用
I / O引脚
I/O1~I/O8
I/O9~I/O16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
高-Z
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
高-Z
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
动力
待机
深度掉电
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
记
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IL
或V
IH
)
2 / UB ， / LB （上，下字节使能）
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当/ LB为低时，数据被写入或读出的低位字节， I / O1 - I / O8 。
当/ UB为低时，数据被写入或读出的高字节，I / O9 - 的I / O16 。
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3
HY64SD16162B系列
建议的直流工作条件
符号
VDD
VDDQ
V
SS
V
IH
V
IL
参数
核心供电电压
I / O电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
1.8
1.7
0
2.2
-0.3
1
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
2.2
VDD
0
Vdd+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
注1： VIL = -1.5V脉冲宽度小于10ns的
欠采样，而不是100 ％测试。
DC电气特性
VDD = 1.8V 2.2V ， VDDQ = 1.7V Vdd的，T
A
= -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I）
符号。
参数
测试条件
I
LI
输入漏电流
V
SS
≤V
IN
= VDD
I
LO
I
CC
输出漏电流
工作电源电流
V
SS
≤V
OUT
≤Vddq ，
/CS1=V
IH
， CS2 = V
IH
,
/ OE = V
IH
或/ WE = V
IL
分钟。
-1
-1
-
马克斯。
1
1
3
单位
A
A
mA
/CS1=V
IL
， CS2 = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
, I
I / O
=0mA
/ CS1≤ 0.2V ， CS2
≥Vdd-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥Vdd-0.2V,
周期时间= 1
s
.
100 ％的责任，我
I / O
=0mA
/CS1=V
IL
， CS2 = V
IH
,
V
IN
=V
IH
或V
IL
，周期时间=最小。
100 ％的责任，我
I / O
=0mA
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
I
SB
I
SB1
I
DPD
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
TTL待机电流
待机电流（ CMOS输入）
深度掉电
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输出低电压
-
5
mA
-
-
-
-
20
0.5
75
2
mA
mA
A
/CS1,CS2=V
IH
或/ UB ， / LB = V
IH
/CS1,CS2≥Vdd-0.2V,
/ UB ， / LB
≤0.2V
或/ UB ， / LB
≥Vdd-0.2V,
否则CS2 ， / UB ， / LB≥Vdd - 0.2V ，
/CS1≤0.2V或/CS1≥Vdd-0.2V
CS2
≤
V
SS+
0.2V
I
OH
=-0.1mA
I
OH
=-0.4mA
I
OL
=0.1mA
I
OL
=0.4mA
A
VDDQ - 0.2 VDDQ + 0.3
V
VDDQ * 0.8 VDDQ + 0.3
V
0.2
-
V
0.4
-
V
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
C
IN
输入电容（添加， / CS1 ， CS2 ， / WE ， / OE ， / UB ， / LB ）
C
OUT
输出电容（ I / O）
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
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条件
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
MAX 。 UNIT
8
pF
10 pF的
HY64SD16162B系列
AC特性
VDD = 1.8V 2.2V ， VDDQ = 1.7V Vdd的，T
A
= -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
-85
#
符号
参数
单位
分钟。
马克斯。
读周期
读周期时间
1
TRC
85
-
ns
地址访问时间
2
TAA
-
85
ns
芯片选择访问时间
3
TACS
-
85
ns
输出使能到输出有效
4
TOE
-
30
ns
/ LB ， / UB访问时间
5
TBA
-
85
ns
片选到输出中低Z
6
TCLZ
10
-
ns
输出使能到输出中低Z
7
TOLZ
5
-
ns
/ LB ， / UB启用到输出中低Z
8
tBLZ
10
-
ns
芯片禁用高Z输出
9
TCHZ
0
10
ns
输出禁用到输出中高Z
10
tOHZ
0
10
ns
/ LB ， / UB禁用到输出中高Z
11
tBHZ
0
10
ns
从地址变更输出保持
12
TOH
5
-
ns
写周期
写周期时间
13
TWC
85
-
ns
芯片的选择要写入的结束
14
TCW
70
-
ns
地址有效到写结束
15
TAW
70
-
ns
/ LB ， / UB有效到写结束
16
TBW
70
-
ns
地址建立时间
17
TAS
0
-
ns
把脉冲宽度
18
TWP
60
-
ns
写恢复时间
19
tWR的
0
-
ns
写在高Z输出
20
tWHZ
0
10
ns
数据写入时间重叠
21
TDW
30
-
ns
从时间写数据保持
22
TDH
0
-
ns
输出写入结束活动
23
拖车
5
-
ns
AC测试条件
T
A
= -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
参数
价值
输入脉冲电平
0.4到VDDQ * 0.8
输入上升和下降时间
5ns
输入时序参考电平
0.9V
输出时序参考电平
0.5*Vddq
输出负载
见下文
AC测试负载
D
OUT
Z
0
= 50欧姆
R
L
= 50欧姆
V
L
=0.5*Vddq
C
L
1
= 50 pF的
记
1.包括夹具和范围电容。
修订版1.0 / 12 。 2002年
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