HY62V8200B系列
256Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
256K ×8位3.3V低功耗CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
03
历史
最初的修订历史将
修订
- 改进工作电流
ICC1 ： 60毫安-> 35毫安
改变sTSOP的缺口位置
- 左上= >左中心
标识信息添加
修订
- AC测试条件添加： 5pF的负载测试
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.29.2000
备注
最终科幻
04
Sep.04.2000
最终科幻
05
Dec.04.2000
最终科幻
06
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转06 / 2001年4月
海力士半导体
Y62V8200B系列
描述
该HY62V8200B是一款高速，低功耗，
2M位CMOS SRAM组织为262,144字
由8位。该HY62V8200B采用高性能
CMOS工艺技术，并专为高
高速低功耗电路技术。这是
特别适合良好，适用于高密度低用
电力系统中的应用。此装置有一个数据
保留模式，保证数据保持
有效电压为2.0V的最小供电电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL-部分）
- 。 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32 sTSOPI - 8X13.4 ， 32 TSOPI -8X20
（标准和反向）
产品
电压
速度
手术
号
(V)
（纳秒）
电流/ ICC（毫安）
HY62V8200B
3.0~3.6
70/85/100
5
HY62V8200B -E 3.0 3.6
70/85/100
5
HY62V8200B-I
3.0~3.6
70/85/100
5
注1.空白：商业， E：扩展， I：工业
2.电流值最大。
待机
电流（微安）
25
25
25
温度
(°C)
0~70
-25~85(E)
-40~85(I)
引脚连接
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
TSOP -I
（标准）
sTSOP -I
（标准）
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
A0 ~ A17
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(3.0V~3.6V)
地
框图
A0
ROW
解码器
SENSE AMP
添加输入缓冲器
I/O1
COLUMNDECODER
数据I / O
卜FF器
存储阵列
256K ×8
写入驱动器
A17
I/O8
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
控制
逻辑
转06 / 2001年4月
2
Y62V8200B系列
订购信息
产品型号
速度
动力
温度。
HY62V8200BLLT1
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLR1
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLST
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLSR
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLT1-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLR1-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLST-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLSR-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLT1-I
70/85/100
LL-部分
I
HY62V8200BLLR1-I
70/85/100
LL-部分
I
HY62V8200BLLST-I
70/85/100
LL-部分
I
HY62V8200BLLSR-I
70/85/100
LL-部分
I
注1.空白：商业， E：扩展， I：工业
包
TSOPI （标准）
TSOPI （反向）
小TSOPI （标准）
小TSOPI （反向）
TSOPI （标准）
TSOPI （反向）
小TSOPI （标准）
小TSOPI （反向）
TSOPI （标准）
TSOPI （反向）
小TSOPI （标准）
小TSOPI （反向）
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
V
CC
T
A
参数
任何引脚相对于VSS的电压
供应相对于VCC电压
VSS
工作温度
等级
-0.2 3.9
-0.2 4.0
0到70
-25到85
-40到85
-55到150
1.0
50
260
5
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
备注
HY62V8200B
HY62V8200B-E
HY62V8200B-I
T
英镑
储存温度
P
D
功耗
I
OUT
数据输出电流
T
SOLDER
引线焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
D
IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH
or
V
IL
)
转06 / 2001年4月
2
Y62V8200B系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
-
-
马克斯。
3.6
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
记
V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的
DC ELCTRICAL特性
VCC = 3.0 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
符号。
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
< Vcc时， / CS1 = V
IH
or
-1
-
1
CS2 = V
IL
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE =
V
IL
ICC
工作电源
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
-
-
5
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均开工
最小占空比= 100 ％
,
-
-
35
当前
/ CS1 = V
IL
CS2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
周期时间= 1us的，我
I / O =
0mA,
-
-
6
/ CS1 < 0.2V ， CS2 >为VCC - 0.2V
V
IN
< 0.2V或V
IN
＆ GT ; VCC - 0.2V
I
SB
TTL待机电流
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
-
-
0.5
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS1 >为VCC - 0.2V或CS2 < 0.2V ， -
I
SB1
待机
HY62V8200B
-
25
当前
HY62V8200B -E V
IN
>的Vcc - 0.2V或
-
-
25
（ CMOS输入） HY62V8200B -I
V
IN
< VSS + 0.2V
-
-
25
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.2
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.3V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
V
V
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
转06 / 2001年4月
3
Y62V8200B系列
AC特性
VCC = 3.0V 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
-70
-85
-10
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
4
TOE
输出使能到输出有效
-
40
-
45
-
50
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
20
0
25
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
20
0
25
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
15
-
15
-
15
-
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
60
-
70
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
20
0
25
0
30
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
35
-
40
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
5
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ
OTHERS
价值
0.4V至2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
注： 1包括夹具和范围电容
转06 / 2001年4月
4
HY62V8200B系列
256Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
256K ×8位3.3V低功耗CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
03
历史
最初的修订历史将
修订
- 改进工作电流
ICC1 ： 60毫安-> 35毫安
改变sTSOP的缺口位置
- 左上= >左中心
标识信息添加
修订
- AC测试条件添加： 5pF的负载测试
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.29.2000
备注
最终科幻
04
Sep.04.2000
最终科幻
05
Dec.04.2000
最终科幻
06
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转06 / 2001年4月
海力士半导体
Y62V8200B系列
描述
该HY62V8200B是一款高速，低功耗，
2M位CMOS SRAM组织为262,144字
由8位。该HY62V8200B采用高性能
CMOS工艺技术，并专为高
高速低功耗电路技术。这是
特别适合良好，适用于高密度低用
电力系统中的应用。此装置有一个数据
保留模式，保证数据保持
有效电压为2.0V的最小供电电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL-部分）
- 。 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32 sTSOPI - 8X13.4 ， 32 TSOPI -8X20
（标准和反向）
产品
电压
速度
手术
号
(V)
（纳秒）
电流/ ICC（毫安）
HY62V8200B
3.0~3.6
70/85/100
5
HY62V8200B -E 3.0 3.6
70/85/100
5
HY62V8200B-I
3.0~3.6
70/85/100
5
注1.空白：商业， E：扩展， I：工业
2.电流值最大。
待机
电流（微安）
25
25
25
温度
(°C)
0~70
-25~85(E)
-40~85(I)
引脚连接
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
TSOP -I
（标准）
sTSOP -I
（标准）
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
A0 ~ A17
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(3.0V~3.6V)
地
框图
A0
ROW
解码器
SENSE AMP
添加输入缓冲器
I/O1
COLUMNDECODER
数据I / O
卜FF器
存储阵列
256K ×8
写入驱动器
A17
I/O8
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
控制
逻辑
转06 / 2001年4月
2
Y62V8200B系列
订购信息
产品型号
速度
动力
温度。
HY62V8200BLLT1
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLR1
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLST
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLSR
70/85/100
LL-部分
HY62V8200BLLT1-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLR1-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLST-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLSR-E
70/85/100
LL-部分
E
HY62V8200BLLT1-I
70/85/100
LL-部分
I
HY62V8200BLLR1-I
70/85/100
LL-部分
I
HY62V8200BLLST-I
70/85/100
LL-部分
I
HY62V8200BLLSR-I
70/85/100
LL-部分
I
注1.空白：商业， E：扩展， I：工业
包
TSOPI （标准）
TSOPI （反向）
小TSOPI （标准）
小TSOPI （反向）
TSOPI （标准）
TSOPI （反向）
小TSOPI （标准）
小TSOPI （反向）
TSOPI （标准）
TSOPI （反向）
小TSOPI （标准）
小TSOPI （反向）
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
V
CC
T
A
参数
任何引脚相对于VSS的电压
供应相对于VCC电压
VSS
工作温度
等级
-0.2 3.9
-0.2 4.0
0到70
-25到85
-40到85
-55到150
1.0
50
260
5
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
备注
HY62V8200B
HY62V8200B-E
HY62V8200B-I
T
英镑
储存温度
P
D
功耗
I
OUT
数据输出电流
T
SOLDER
引线焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
D
IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH
or
V
IL
)
转06 / 2001年4月
2
Y62V8200B系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
-
-
马克斯。
3.6
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
记
V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的
DC ELCTRICAL特性
VCC = 3.0 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
符号。
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
< Vcc时， / CS1 = V
IH
or
-1
-
1
CS2 = V
IL
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE =
V
IL
ICC
工作电源
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
-
-
5
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均开工
最小占空比= 100 ％
,
-
-
35
当前
/ CS1 = V
IL
CS2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
周期时间= 1us的，我
I / O =
0mA,
-
-
6
/ CS1 < 0.2V ， CS2 >为VCC - 0.2V
V
IN
< 0.2V或V
IN
＆ GT ; VCC - 0.2V
I
SB
TTL待机电流
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
-
-
0.5
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS1 >为VCC - 0.2V或CS2 < 0.2V ， -
I
SB1
待机
HY62V8200B
-
25
当前
HY62V8200B -E V
IN
>的Vcc - 0.2V或
-
-
25
（ CMOS输入） HY62V8200B -I
V
IN
< VSS + 0.2V
-
-
25
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.2
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.3V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
V
V
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
转06 / 2001年4月
3
Y62V8200B系列
AC特性
VCC = 3.0V 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
-70
-85
-10
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
4
TOE
输出使能到输出有效
-
40
-
45
-
50
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
20
0
25
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
20
0
25
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
15
-
15
-
15
-
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
60
-
70
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
20
0
25
0
30
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
35
-
40
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
5
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ
OTHERS
价值
0.4V至2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
注： 1包括夹具和范围电容
转06 / 2001年4月
4
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