HY62UF16201A系列
128Kx16bit全CMOS SRAM
文档标题
128K X16位3.0V超低功耗全CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
05
历史
草案日期
备注
06
07
08
分输出负载为两个因素
12月10日。 2000年最后
- tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
- 其他
添加标记信息
纠正PKG尺寸（ E1 ）
八月01. 2001年
添加尺寸和6×8 PKG尺寸的标注信息
为6×8独立的部件号（ HY62UF16201AF1 ） PKG 8月31日2001
从7x8 PKG尺寸大小（ HY62UF16201AF ）
改变AC特性
三月24， 2002
- tBLZ
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.08 / 2002年3月
海力士半导体
HY62UF16201A系列
描述
该HY62UF16201A是一种高速，超低价
电源和2Mbit的全CMOS SRAM作为组织
131,072字由16位。该HY62UF16201A
采用高性能的全CMOS工艺
技术和设计用于高速和
低功耗电路技术。它特别良好
适合于高密度的低功率系统
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据仍然有效，在一
1.2V的最小供电电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL / SL-部分）
- 。 1.2V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 48 - FBGA
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62UF16201A
2.7~3.3
55/70/85/100
HY62UF16201A-I
2.7~3.3
55/70/85/100
注意事项：
1.空白：商业， I：工业
2.电流值最大。
手术
电流/ ICC（毫安）
3
3
待机电流（ UA）
LL
SL
10
2
10
2
温度
(°C)
0~70
-40~85(I)
引脚连接
/磅
/ OE A0
A1
A4
A6
A7
A2
NC
A0
框图
ROW
解码器
SENSE AMP
添加输入缓冲器
I/O1
IO9 / UB A3
IO10 IO11 A5
VSS IO12 NC
VCC IO13 NC
/ CS IO1
IO2 IO3
IO4的Vcc
COLUMNDECODER
数据I / O
卜FF器
A16 IO5 Vss的
存储阵列
128K ×16
写入驱动器
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7
IO16 NC
NC
A8
A12 A13 / WE IO8
A9
A10 A11 NC
/ CS
/ OE
/磅
/ UB
/ WE
控制
逻辑
A16
I/O16
48 - FBGA （顶视图）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节控制（ I / O1 I / O8 ）
高字节控制（ I / O9 I / O16 ）
引脚名称
I/O1~I/O16
A0~A16
VCC
VSS
NC
引脚功能
数据输入/输出
地址输入
Power(2.7V~3.3V)
地
无连接
Rev.08 / 2002年3月
2
HY62UF16201A系列
订购信息
产品型号
HY62UF16201ALLF
HY62UF16201ALLF-I
HY62UF16201ASLF
HY62UF16201ASLF-I
HY62UF16201ALLF1
HY62UF16201ALLF1-I
HY62UF16201ASLF1
HY62UF16201ASLF1-I
速度
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
动力
LL-部分
LL-部分
SL-部分
SL-部分
LL-部分
LL-部分
SL-部分
SL-部分
温度。
I
I
I
I
包
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
注意：
1.空白：商业， I：工业
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
VCC
T
A
参数
输入/输出电压
电源
工作温度
等级
-0.2 3.6
-0.2 4.6
0到70
-40到85
-55到150
1.0
260
10
单位
V
V
°C
°C
°C
W
° C秒
备注
HY62UF16201A
HY62UF16201A-I
T
英镑
储存温度
P
D
功耗
T
SOLDER
球焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/ CS
H
X
L
L
L
/ WE
X
X
H
H
H
/ OE
X
X
H
H
L
/磅
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
/ UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
读
I / O
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
D
IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
L
L
X
写
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
2， UB ， LB （上，下字节使能）
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当LB为低时，数据被写入或读出的低位字节，I / O 1 -I / O 8 。
当UB为低电平时，数据被写入或读出的高字节， I / O 9 -I / O 16 。
Rev.08 / 2002年3月
2
HY62UF16201A系列
建议的直流工作条件
符号
参数
分钟。
VCC
电源电压
2.7
VSS
地
0
V
IH
输入高电压
2.2
V
IL
输入低电压
-0.3
(1)
注意：
1. VIL = -1.5V脉冲宽度小于30ns的
典型值。
3.0
0
-
-
马克斯。
3.3
0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
DC电气特性
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -40 ° C至85°C （ I）
符号
参数
I
LI
输入漏电流
I
LO
输出漏电流
测试条件
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
白细胞介素，
/
UB
=
/ LB = V
IH
/ CS = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
周期时间= Min.100 ％的关税，
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
周期时间= 1us的，
/ CS < 0.2V ，V
IN
<0.2V ，我
I / O =
0mA
/ CS = V
IH
or
/ UB & / LB = V
IH ，
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS >为VCC - 0.2V或
SL
/ UB = / LB >为VCC - 0.2V ，
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL
V
IN
< VSS + 0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH =
-1.0mA
分钟。
-1
-1
典型值。
-
-
马克斯。
1
1
单位
uA
uA
ICC
I
CC1
工作电源
当前
平均开工
当前
-
-
-
-
3
45
5
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
I
SB
I
SB1
待机
当前
（ TTL输入）
-
-
-
-
2.4
-
-
0.5
-
-
0.3
2
10
0.4
-
待机电流
（ CMOS输入）
V
OL
输出低电压
V
OH
输出高电压
注意事项：
1.典型值是在Vcc = 3.0V ，T
A
= 25°C
2.典型值进行采样，而不是100 ％测试
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
条件
C
IN
输入电容（添加， / CS ， / WE ， / OE ）V
IN
= 0V
C
OUT
输出电容（ I / O）
V
I / O
= 0V
注意：
1.这些参数进行采样，而不是100 ％测试
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
Rev.08 / 2002年3月
3
HY62UF16201A系列
AC特性
T
A
= 0℃至70 ℃/ -40 ℃到85 ℃（ I）中，除非另有说明
-55
＃符号
参数
民
最大
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
读周期
TRC
读周期时间
TAA
地址访问时间
TACS
芯片选择访问时间
TOE
输出使能到输出有效
TBA
/ LB ， / UB访问时间
TCLZ
片选到输出中低Z
TOLZ
输出使能到输出中低Z
tBLZ
/ LB ， / UB启用到输出中低Z
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
tBHZ
/ LB ， / UB禁用到输出中高Z
TOH
从地址变更输出保持
写周期
TWC
写周期时间
TCW
芯片的选择要写入的结束
TAW
地址有效到写结束
TBW
/ LB ， / UB有效到写结束
TAS
地址建立时间
TWP
把脉冲宽度
tWR的
写恢复时间
tWHZ
写在高Z输出
TDW
数据写入时间重叠
TDH
从时间写数据保持
拖车
输出写入结束活动
55
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
55
50
50
50
0
45
0
0
25
0
5
-
55
55
30
55
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-70
民
最大
民
-85
最大
民
-10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
70
60
60
60
0
50
0
0
30
0
5
-
70
70
35
70
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
85
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
85
70
70
70
0
55
0
0
35
0
5
-
85
85
40
85
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
100
-
-
-
-
20
5
20
0
0
0
15
100
80
80
80
0
75
0
0
45
0
10
-
100
100
50
100
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
AC测试条件
T
A
= 0℃至70 ℃/ -40 ℃到85 ℃（ I）中，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
OTHERS
价值
0.4V至2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
V
TM
= 2.8V
1029欧姆
D
OUT
CL(1)
1728欧姆
注意：
1.包括夹具和范围电容
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4
HY62UF16201A系列
128Kx16bit全CMOS SRAM
文档标题
128K X16位3.0V超低功耗全CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
05
历史
草案日期
备注
06
07
08
分输出负载为两个因素
12月10日。 2000年最后
- tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
- 其他
添加标记信息
纠正PKG尺寸（ E1 ）
八月01. 2001年
添加尺寸和6×8 PKG尺寸的标注信息
为6×8独立的部件号（ HY62UF16201AF1 ） PKG 8月31日2001
从7x8 PKG尺寸大小（ HY62UF16201AF ）
改变AC特性
三月24， 2002
- tBLZ
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.08 / 2002年3月
海力士半导体
HY62UF16201A系列
描述
该HY62UF16201A是一种高速，超低价
电源和2Mbit的全CMOS SRAM作为组织
131,072字由16位。该HY62UF16201A
采用高性能的全CMOS工艺
技术和设计用于高速和
低功耗电路技术。它特别良好
适合于高密度的低功率系统
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据仍然有效，在一
1.2V的最小供电电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL / SL-部分）
- 。 1.2V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 48 - FBGA
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62UF16201A
2.7~3.3
55/70/85/100
HY62UF16201A-I
2.7~3.3
55/70/85/100
注意事项：
1.空白：商业， I：工业
2.电流值最大。
手术
电流/ ICC（毫安）
3
3
待机电流（ UA）
LL
SL
10
2
10
2
温度
(°C)
0~70
-40~85(I)
引脚连接
/磅
/ OE A0
A1
A4
A6
A7
A2
NC
A0
框图
ROW
解码器
SENSE AMP
添加输入缓冲器
I/O1
IO9 / UB A3
IO10 IO11 A5
VSS IO12 NC
VCC IO13 NC
/ CS IO1
IO2 IO3
IO4的Vcc
COLUMNDECODER
数据I / O
卜FF器
A16 IO5 Vss的
存储阵列
128K ×16
写入驱动器
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7
IO16 NC
NC
A8
A12 A13 / WE IO8
A9
A10 A11 NC
/ CS
/ OE
/磅
/ UB
/ WE
控制
逻辑
A16
I/O16
48 - FBGA （顶视图）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节控制（ I / O1 I / O8 ）
高字节控制（ I / O9 I / O16 ）
引脚名称
I/O1~I/O16
A0~A16
VCC
VSS
NC
引脚功能
数据输入/输出
地址输入
Power(2.7V~3.3V)
地
无连接
Rev.08 / 2002年3月
2
HY62UF16201A系列
订购信息
产品型号
HY62UF16201ALLF
HY62UF16201ALLF-I
HY62UF16201ASLF
HY62UF16201ASLF-I
HY62UF16201ALLF1
HY62UF16201ALLF1-I
HY62UF16201ASLF1
HY62UF16201ASLF1-I
速度
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
55/70/85/100
动力
LL-部分
LL-部分
SL-部分
SL-部分
LL-部分
LL-部分
SL-部分
SL-部分
温度。
I
I
I
I
包
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 7× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
FBGA （ 6× 8毫米）
注意：
1.空白：商业， I：工业
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
VCC
T
A
参数
输入/输出电压
电源
工作温度
等级
-0.2 3.6
-0.2 4.6
0到70
-40到85
-55到150
1.0
260
10
单位
V
V
°C
°C
°C
W
° C秒
备注
HY62UF16201A
HY62UF16201A-I
T
英镑
储存温度
P
D
功耗
T
SOLDER
球焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/ CS
H
X
L
L
L
/ WE
X
X
H
H
H
/ OE
X
X
H
H
L
/磅
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
/ UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
读
I / O
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
D
IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
L
L
X
写
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
2， UB ， LB （上，下字节使能）
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当LB为低时，数据被写入或读出的低位字节，I / O 1 -I / O 8 。
当UB为低电平时，数据被写入或读出的高字节， I / O 9 -I / O 16 。
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2
HY62UF16201A系列
建议的直流工作条件
符号
参数
分钟。
VCC
电源电压
2.7
VSS
地
0
V
IH
输入高电压
2.2
V
IL
输入低电压
-0.3
(1)
注意：
1. VIL = -1.5V脉冲宽度小于30ns的
典型值。
3.0
0
-
-
马克斯。
3.3
0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
DC电气特性
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -40 ° C至85°C （ I）
符号
参数
I
LI
输入漏电流
I
LO
输出漏电流
测试条件
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
白细胞介素，
/
UB
=
/ LB = V
IH
/ CS = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
周期时间= Min.100 ％的关税，
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
周期时间= 1us的，
/ CS < 0.2V ，V
IN
<0.2V ，我
I / O =
0mA
/ CS = V
IH
or
/ UB & / LB = V
IH ，
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS >为VCC - 0.2V或
SL
/ UB = / LB >为VCC - 0.2V ，
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL
V
IN
< VSS + 0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH =
-1.0mA
分钟。
-1
-1
典型值。
-
-
马克斯。
1
1
单位
uA
uA
ICC
I
CC1
工作电源
当前
平均开工
当前
-
-
-
-
3
45
5
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
I
SB
I
SB1
待机
当前
（ TTL输入）
-
-
-
-
2.4
-
-
0.5
-
-
0.3
2
10
0.4
-
待机电流
（ CMOS输入）
V
OL
输出低电压
V
OH
输出高电压
注意事项：
1.典型值是在Vcc = 3.0V ，T
A
= 25°C
2.典型值进行采样，而不是100 ％测试
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
条件
C
IN
输入电容（添加， / CS ， / WE ， / OE ）V
IN
= 0V
C
OUT
输出电容（ I / O）
V
I / O
= 0V
注意：
1.这些参数进行采样，而不是100 ％测试
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
Rev.08 / 2002年3月
3
HY62UF16201A系列
AC特性
T
A
= 0℃至70 ℃/ -40 ℃到85 ℃（ I）中，除非另有说明
-55
＃符号
参数
民
最大
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
读周期
TRC
读周期时间
TAA
地址访问时间
TACS
芯片选择访问时间
TOE
输出使能到输出有效
TBA
/ LB ， / UB访问时间
TCLZ
片选到输出中低Z
TOLZ
输出使能到输出中低Z
tBLZ
/ LB ， / UB启用到输出中低Z
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
tBHZ
/ LB ， / UB禁用到输出中高Z
TOH
从地址变更输出保持
写周期
TWC
写周期时间
TCW
芯片的选择要写入的结束
TAW
地址有效到写结束
TBW
/ LB ， / UB有效到写结束
TAS
地址建立时间
TWP
把脉冲宽度
tWR的
写恢复时间
tWHZ
写在高Z输出
TDW
数据写入时间重叠
TDH
从时间写数据保持
拖车
输出写入结束活动
55
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
55
50
50
50
0
45
0
0
25
0
5
-
55
55
30
55
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-70
民
最大
民
-85
最大
民
-10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
70
60
60
60
0
50
0
0
30
0
5
-
70
70
35
70
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
85
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
85
70
70
70
0
55
0
0
35
0
5
-
85
85
40
85
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
100
-
-
-
-
20
5
20
0
0
0
15
100
80
80
80
0
75
0
0
45
0
10
-
100
100
50
100
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
AC测试条件
T
A
= 0℃至70 ℃/ -40 ℃到85 ℃（ I）中，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
OTHERS
价值
0.4V至2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
V
TM
= 2.8V
1029欧姆
D
OUT
CL(1)
1728欧姆
注意：
1.包括夹具和范围电容
Rev.08 / 2002年3月
4
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