HY62SF16804B系列
512Kx16bit全CMOS SRAM
文档标题
512K X16位1.8V超低功耗全CMOS SRAM慢
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版本号
00
历史
初始版本
草案日期
May.29.2001
备注
初步
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.00 /May.2001
海力士半导体
HY62SF16804B
初步
描述
该HY62SF16804B是一种高速，超低价
电源和8Mbit的全CMOS SRAM作为组织
512K字由16位。该HY62SF16804B用途
高性能的全CMOS工艺技术
并且被设计用于高速，低功率
电路技术。它特别适合用于
高密度低功耗系统中的应用。
此装置具有的数据保留模式
保证数据保持在有效的最低
1.2V的电源电压。
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62SF16804B-C
1.65~2.3 70/85/100
HY62SF16804B-I
1.65~2.3 70/85/100
注1. C：商业， I：工业
2.电流值最大。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL / SL-部分）
- 1.2V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 48 - FBGA
手术
电流/ ICC（毫安）
3
3
待机电流（ UA）
LL
SL
15
8
15
8
温度
(°C)
0~70
-40~85
引脚连接
（顶视图）
1
2
3
4
A1
A4
A6
5
A2
NC
6
A0
框图
ROW
解码器
I/O1
SENSE AMP
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
/ OE A0
IO9 / UB A3
IO10 IO11 A5
/ CS IO1
添加输入
卜FF器
PRE解码器
COLUMN
解码器
I/O8
数据I / O
卜FF器
IO2 IO3
IO4的Vcc
VSS IO12 A17 A7
存储阵列
256K ×16
写入驱动器
I/O9
块
解码器
VCC IO13 Vss的A16 IO5 Vss的
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7
A18
I/O16
IO16 NC
A18 A8
A12 A13 / WE IO8
A9
A10 A11 NC
/ CS
/ OE
/磅
/ UB
/ WE
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节控制（ I / O1 I / O8 ）
高字节控制（ I / O9 I / O16 ）
引脚名称
I/O1~I/O16
A0~A18
VCC
VSS
NC
引脚功能
数据输入/输出
地址输入
Power(1.65V~2.3V)
地
无连接
Rev.00 /月。 2001年
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HY62SF16804B
订购信息
产品型号
速度
HY62SF16804B-DFC
70/85/100
HY62SF16804B-SFC
70/85/100
HY62SF16804B-DFI
70/85/100
HY62SF16804B-SFI
70/85/100
注1. C：商业， I：工业
动力
LL-部分
SL-部分
LL-部分
SL-部分
包
FBGA
FBGA
FBGA
FBGA
温度。
C
C
I
I
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
VCC
T
A
参数
输入/输出电压
电源
工作温度
等级
-0.3 VCC + 0.3
-0.3 2.6V
0到70
-40到85
-55到150
1.0
260
10
单位
V
V
°C
°C
°C
W
°C
美国证券交易委员会
备注
HY62SF16804B-C
HY62SF16804B-I
T
英镑
储存温度
P
D
功耗
T
SOLDER
球焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/ CS
H
X
L
L
L
/ WE
X
X
H
H
H
/ OE
X
X
H
H
L
/磅
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
/ UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
读
I / O
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
D
IN
D
IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
L
L
X
写
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH或
V
IL ）
2， UB ， LB （上，下字节使能）
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当LB为低时，数据被写入或读出的低位字节，I / O1 ... I / O8 。
当UB为低时，数据被写入或读出的高字节，I / O9 -I / O16 。
Rev.00 /月。 2001年
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HY62SF16804B
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
1.65
0
1.4
-0.3
(1)
典型值。
1.8
0
-
马克斯。
2.3
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
注：1。 VIL = -1.5V脉冲宽度小于30ns的
DC电气特性
VCC = 1.65V 2.3V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -40 ° C至85°C
符号
参数
测试条件
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
I
LO
输出漏电流
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
白细胞介素，
/
UB
=
/ LB = V
IH
工作电源
ICC
/ CS = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
当前
周期时间=最小， 100 ％的关税，
I
I / O =
0毫安， / CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
IL
平均开工
Icc1
当前
周期时间= 1us的， 100 ％的关税，
I
I / O =
0毫安， / CS < 0.2V ，V
IN
<0.2V
/ CS = V
IH
或/ UB = / LB = V
IH
,
TTL待机电流
I
SB
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS >为VCC - 0.2V或
SL
待机电流
/ UB = / LB > VCC- 0.2V ，
I
SB1
（ CMOS输入）
V
IN
> VCC- 0.2V或
LL
V
IN
< VSS + 0.2V
V
OL
输出低电压
I
OL
= 0.1毫安
V
OH
输出高电压
I
OH =
-0.1mA
注： 1。典型值是在Vcc = 1.8V ，T
A
= 25°C
2.典型值进行采样，而不是100 ％测试
分钟。
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
1.4
-
-
-
1
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
1
1
3
25
3
0.05
8
15
0.2
-
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
Conditio
n
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
输入电容（添加， / CS ， / WE ， / UB ， / LB ， / OE ）
输出电容（ I / O）
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
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HY62SF16804B
AC特点酒色
VCC = 1.65V 2.3V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -40 ° C至85°C
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
符号
参数
-70
分钟。
马克斯。
70
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
70
60
60
60
0
50
0
0
30
0
5
-
70
70
35
70
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
-85
分钟。
马克斯。
85
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
85
70
70
70
0
60
0
0
35
0
5
-
85
85
40
85
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
-10
民
马克斯。
100
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
15
100
80
80
80
0
70
0
0
45
0
10
-
100
100
45
100
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期
TRC
读周期时间
TAA
地址访问时间
TACS
芯片选择访问时间
TOE
输出使能到输出有效
TBA
/ LB ， / UB访问时间
TCLZ
片选到输出中低Z
TOLZ
输出使能到输出中低Z
tBLZ
/ LB ， / UB启用到输出中低Z
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
tBHZ
/ LB ， / UB禁用到输出中高Z
TOH
从地址变更输出保持
写周期
TWC
写周期时间
TCW
芯片的选择要写入的结束
TAW
地址有效到写结束
TBW
/ LB ， / UB有效到写结束
TAS
地址建立时间
TWP
把脉冲宽度
tWR的
写恢复时间
tWHZ
写在高Z输出
TDW
数据写入时间重叠
TDH
从时间写数据保持
拖车
输出写入结束活动
AC测试条件
T
A
= 0℃至70 ℃/ -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
输出负载
其他
价值
0.4V至1.6V
5ns
0.9V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
V
TM
= 1.8V
4091欧姆
D
OUT
CL(1)
3273欧姆
记
1.包括夹具和范围电容
Rev.00 /月。 2001年
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